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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BCV47,215 NXP USA Inc. BCV47,215 -
RFQ
ECAD 2332 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCV47 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BFR505T,115 NXP USA Inc. BFR505T,115 -
RFQ
ECAD 5108 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 BFR50 150MW SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 18mA NPN 60 @ 5mA,6v 9GHz 1.2db〜2.1dB @ 900MHz
BUK9E2R3-40E,127 NXP USA Inc. BUK9E2R3-40E,127 -
RFQ
ECAD 1962年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk9 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 120A(TC) 5V,10V 2.2MOHM @ 25A,10V 2.1V @ 1mA 87.8 NC @ 5 V ±10V 13160 PF @ 25 V - 293W(TC)
PDTA143XE,115 NXP USA Inc. PDTA143XE,115 -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 50 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 10 kohms
BUK7511-55A,127 NXP USA Inc. BUK7511-55A,127 -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 10V 11mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 3093 PF @ 25 V - 166W(TC)
MRF8S9102NR3 NXP USA Inc. MRF8S9102NR3 -
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ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 920MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 750 MA 28W 23.1db - 28 V
MRF7S21170HR5 NXP USA Inc. MRF7S21170HR5 -
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ECAD 4660 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 2.17GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 1.4 a 50W 16dB - 28 V
BSN304,126 NXP USA Inc. BSN304,126 -
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ECAD 9918 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BSN3 MOSFET (金属 o化物) TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 300 v 300mA(TA) 2.4V,10V 6ohm @ 250mA,10v 2V @ 1mA ±20V 120 pf @ 25 V - 1W(ta)
PDTC115EK,115 NXP USA Inc. PDTC115EK,115 -
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ECAD 3416 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTC115 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 20 ma 1µA npn-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 80 @ 5mA,5V 100 kohms 100 kohms
BC557B,112 NXP USA Inc. BC557B,112 -
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ECAD 2655 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC55 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
PBSS4032SP,115 NXP USA Inc. PBSS4032SP,115 -
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000
PHP174NQ04LT,127 NXP USA Inc. PHP174NQ04LT,127 -
RFQ
ECAD 2807 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP17 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 4.5V,10V 4mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 64 NC @ 5 V ±15V 5345 pf @ 25 V - 250W(TC)
2PC4617SM,315 NXP USA Inc. 2PC4617SM,315 -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2PC46 430兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) NPN 200mv @ 5mA,50mA 270 @ 1mA,6v 100MHz
BFG325W/XR,115 NXP USA Inc. BFG325W/XR,115 -
RFQ
ECAD 5371 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFG32 210MW CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 18.3db 6V 35mA NPN 60 @ 15mA,3v 14GHz 1.1db @ 2GHz
PDTC124EMB NXP USA Inc. PDTC124EMB -
RFQ
ECAD 2024 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BC547B,112 NXP USA Inc. BC547B,112 -
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC54 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5V 100MHz
BLC8G27LS-140AV518 NXP USA Inc. BLC8G27LS-140AV518 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 100
PDTC143EU,115 NXP USA Inc. PDTC143EU,115 -
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTC14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BC53-16PA,115 NXP USA Inc. BC53-16PA,115 -
RFQ
ECAD 8453 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-Powerudfn BC53 420兆W 3-Huson(2x2) 下载 0000.00.0000 1 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
PDTA123ET,215 NXP USA Inc. PDTA123ET,215 0.0200
RFQ
ECAD 1850年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA12 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BUJ403A/DG,127 NXP USA Inc. BUJ403A/DG,127 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 100 W TO-220AB 下载 Ear99 8541.29.0095 760 550 v 6 a 100µA NPN 1V @ 400mA,2a 20 @ 500mA,5V -
BF245A,126 NXP USA Inc. BF245A,126 -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BF245 100MHz JFET TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 933171550126 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 6.5mA - - 1.5dB 15 v
PBSS4140DPN/DG/B2115 NXP USA Inc. PBSS4140DPN/DG/B2115 -
RFQ
ECAD 1095 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BC556B,112 NXP USA Inc. BC556B,112 -
RFQ
ECAD 6425 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC55 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
PBLS6024D,115 NXP USA Inc. PBLS6024D,115 0.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS60 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BUK6213-30C,118 NXP USA Inc. BUK6213-30C,118 -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk62 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500
PBSS5140U,135 NXP USA Inc. PBSS5140U,135 0.0500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 350兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 5,793 40 V 1 a 100NA PNP 500mv @ 100mA,1a 300 @ 100mA,5V 150MHz
PMN34UN,135 NXP USA Inc. PMN34UN,135 -
RFQ
ECAD 2155 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN3 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 30 V 4.9A(TC) 1.8V,4.5V 46mohm @ 2a,4.5V 700mv @ 1MA(typ) 9.9 NC @ 4.5 V ±8V 790 pf @ 25 V - 1.75W(TC)
PSMN2R6-60PS127 NXP USA Inc. PSMN2R6-60PS127 -
RFQ
ECAD 4559 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
BLF6G20-180PN112 NXP USA Inc. BLF6G20-180PN112 99.8400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库