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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
BUK6E2R3-40C,127 NXP USA Inc. BUK6E2R3-40C,127 -
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ECAD 7460 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛蚀刻6 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
PSMN5R0-100ES NXP USA Inc. PSMN5R0-100ES -
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ECAD 5915 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN5R0 - 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 -
BLF7G20LS-90P,112 NXP USA Inc. BLF7G20LS-90P,112 64.1700
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ECAD 100 0.00000000 恩智浦 - 管子 的积极 65V 表面贴装 SOT-1121B 2.11GHz~2.17GHz LDMOS LDMOST 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 6 双重、共同来源 2微安 550毫安 90W 19.5分贝 - 28V
BUK9226-75A/C1,118 NXP USA Inc. BUK9226-75A/C1,118 1.0000
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ECAD 4294 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
2PB710AQ,115 NXP USA Inc. 2PB710AQ,115 -
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ECAD 6719 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2PB71 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 12,000 50V 500毫安 10nA(ICBO) 国民党 600毫伏@30毫安,300毫安 85@150mA,10V 100兆赫兹
BUK754R0-40C,127 NXP USA Inc. BUK754R0-40C,127 0.4900
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ECAD 989 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 40V 100A(塔) 4mOhm@25A,10V 4V@1mA 97nC@10V ±20V 5708pF@25V - 203W(塔)
PEMH11,315 NXP USA Inc. PEMH11,315 -
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ECAD 4717 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMH11 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 2 NPN - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V - 10k欧姆 10k欧姆
MRF8S26060HR3 NXP USA Inc. MRF8S26060HR3 -
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ECAD 9534 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-400-240 MRF8 2.69GHz LDMOS NI-400-240 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935314195118 5A991G 8541.29.0075 250 - 450毫安 15.5W 16.3分贝 - 28V
BLF6G20LS-180RN112 NXP USA Inc. BLF6G20LS-180RN112 84.7000
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ECAD 10 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
PBSS4140DPN/DG/B2115 NXP USA Inc. PBSS4140DPN/DG/B2115 -
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ECAD 1095 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
AFT20S015GNR1 NXP USA Inc. AFT20S015GNR1 26.1700
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ECAD 第777章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 TO-270BA AF20 2.17GHz LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 - 132毫安 1.5W 17.6分贝 - 28V
MRF7S15100HSR3 NXP USA Inc. MRF7S15100HSR3 -
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ECAD 5839 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 1.51GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935317045128 EAR99 8541.29.0075 250 - 600毫安 23W 19.5分贝 - 28V
MMRF1020-04NR3 NXP USA Inc. MMRF1020-04NR3 266.1723
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ECAD 2784 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 105V 表面贴装 OM-780-4L MMRF1020 920兆赫 LDMOS OM-780-4L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 第860章 100W 19.5分贝 - 48V
BUJ106A,127 NXP USA Inc. BUJ106A,127 0.3400
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ECAD 第955章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 80W TO-220AB 下载 EAR99 8541.29.0095 第642章 400V 10A 100微安 NPN 1V@1.2A、6A 14 @ 500mA,5V -
PMV45EN2215 NXP USA Inc. PMV45EN2215 -
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ECAD 4632 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
MRF8S9260HR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HR3 -
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ECAD 9673 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 SOT-957A MRF8 960兆赫 LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935317145128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.7安 75W 18.6分贝 - 28V
ON5275,135 NXP USA Inc. ON5275,135 -
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ECAD 2230 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA ON5275 - - SC-73 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934058851135 EAR99 8541.29.0095 4,000 - - - - -
PSMN040-200W,127 NXP USA Inc. PSMN040-200W,127 -
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ECAD 5543 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 200V 50A(温度) 10V 40毫欧@25A,10V 4V@1mA 183nC@10V ±20V 9530pF@25V - 300W(温度)
PHP63NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP63NQ03LT,127 -
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ECAD 6309 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP63 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 30V 68.9A(温度) 5V、10V 13毫欧@25A,10V 2.5V@1mA 9.6nC@5V ±20V 920pF@25V - 111W(温度)
BUK653R7-30C,127 NXP USA Inc. BUK653R7-30C,127 -
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ECAD 4875 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹65 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 30V 100A(温度) 4.5V、10V 3.9毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 78nC@10V ±16V 4707pF@25V - 158W(温度)
BF904AWR,115 NXP USA Inc. BF904AWR,115 -
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ECAD 4937 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BF904 200兆赫 场效应晶体管 CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 10毫安 - - 1分贝 5V
PMD4002K,115 NXP USA Inc. PMD4002K,115 -
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ECAD 6984 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 40V 感应驱动器 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMD40 SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 3,000 600毫安 NPN + 基极-发射极
AFT05MP075GNR1 NXP USA Inc. AFT05MP075GNR1 15.7228
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ECAD 7722 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 40V 表面贴装 TO-270BB AF05 520兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 海鸥 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935311172528 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 400毫安 70W 18.5分贝 - 12.5V
PMST3906,135 NXP USA Inc. PMST3906,135 0.0200
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ECAD 1006 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 14,774 40V 200毫安 50nA(ICBO) 国民党 400mV@5mA、50mA 100@10mA,1V 250兆赫
MMRF5016HSR5 NXP USA Inc. MMRF5016HSR5 -
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ECAD 7750 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 48V 表面贴装 NI-400S-2S MMRF5 1.8GHz~2.2GHz HEMT NI-400S-2S - 1(无限制) REACH 不出行 935331343528 过时的 0000.00.0000 250 - 32W - -
ON5257,215 NXP USA Inc. ON5257,215 -
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ECAD 9913 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 ON52 - - SOT-23 (TO-236AB) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934058039215 EAR99 8541.29.0095 3,000 - - - - -
BUK7520-100A,127 NXP USA Inc. BUK7520-100A,127 -
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ECAD 1638 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 296 N沟道 100伏 63A(温度) 10V 20毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 4373pF@25V - 200W(温度)
MRFG35030R5 NXP USA Inc. MRFG35030R5 -
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ECAD 1207 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V HF-600 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 - - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 650毫安 3W 12分贝 - 12V
J2A012ZXT/S1AZ312J NXP USA Inc. J2A012ZXT/S1AZ312J -
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ECAD 第1469章 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J2A0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
PHP3055E,127 NXP USA Inc. PHP3055E,127 -
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ECAD 3736 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP30 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 10.3A(温度) 10V 150mOhm@5.5A,10V 4V@1mA 5.8nC@10V ±20V 250pF@25V - 33W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库