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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PUMD9115 | - | ![]() | 1095 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT2222A/LF1215 | 1.0000 | ![]() | 3315 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PMBT2222 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V13250HSR5 | - | ![]() | 9553 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 120V | 安装结构 | NI-780S | MRF6 | 1.3GHz | LDMOS | NI-780S | - | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 935323152178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100毫安 | 250W | 22.7分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH1,115 | - | ![]() | 2295 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PEMH1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK761R3-30E,118 | - | ![]() | 7654 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 山毛洼76 | MOSFET(金属O化物) | D2PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 30V | 120A(温度) | 10V | 1.3毫欧@25A,10V | 4V@1mA | 154nC@10V | ±20V | 11960pF@25V | - | 357W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | PBRP113ZT,215 | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | PBRP113 | 250毫W | SOT-23 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,362 | 40V | 600毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 750mV@6mA、600mA | 230@300mA,5V | 1欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-16,112 | - | ![]() | 2142 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC33 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123JE,115 | - | ![]() | 9674 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | PDTC123 | 150毫W | SC-75 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 1微安 | NPN - 预偏置 | 100mV@250μA,5mA | 100@10mA,5V | 2.2欧姆 | 47欧姆 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMD48,115 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PUMD48 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBHV8515QA147 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF888D112 | 250.9600 | ![]() | 122 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S8046NR1 | - | ![]() | 1997年 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 66伏 | 表面贴装 | TO-270AB | MRFE6 | 894兆赫 | LDMOS | TO-270 WB-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 5A991G | 8541.29.0075 | 500 | - | 300毫安 | 35.5W | 19.8分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7880-55,135 | - | ![]() | 4435 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | 山毛秃78 | MOSFET(金属O化物) | SC-73 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N沟道 | 55V | 3.5A(塔) | 10V | 80毫欧@5A,10V | 4V@1mA | ±16V | 500pF@25V | - | 1.8W(塔) | |||||||||||||||||||||
![]() | BCW61C/DG/B2215 | 0.0200 | ![]() | 117 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TMB,315 | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | PDTA123 | 250毫W | DFN1006B-3 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100毫安 | 1微安 | PNP - 预偏置 | 150mV@500μA,10mA | 30@20mA,5V | 180兆赫 | 2.2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA115TS,126 | - | ![]() | 3963 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | PDTA115 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100毫安 | 1微安 | PNP - 预偏置 | 150mV@250μA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BFS20,215 | - | ![]() | 2658 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BFS20 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN40UPEA115 | 0.2700 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | MOSFET(金属O化物) | 6-TSOP | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 20V | 4.7A(塔) | 1.8V、4.5V | 43毫欧@3A,4.5V | 950mV@250μA | 23nC@4.5V | ±8V | 1820pF@10V | - | 500mW(Ta),8.33W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PMZB350UPE,315 | - | ![]() | 第1157章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-XFDFN | MOSFET(金属O化物) | DFN1006B-3 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | P沟道 | 20V | 1A(塔) | 1.8V、4.5V | 450mOhm@300mA,4.5V | 950mV@250μA | 1.9nC@4.5V | ±8V | 127pF@10V | - | 360mW(Ta),3.125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB27NQ10T,118 | - | ![]() | 7872 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PHB27 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB20,115 | - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | PEMB20 | 300毫W | SOT-666 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,700 | 50V | 100毫安 | 1微安 | 2 PNP - 预偏置(双) | 150mV@500μA,10mA | 30@20mA,5V | - | 2.2k欧姆 | 2.2k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9K29-100E/CX | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | 山毛洼9K29 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD34NQ10T,118 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 博士34 | MOSFET(金属O化物) | DPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 100伏 | 35A(温度) | 10V | 40毫欧@17A,10V | 4V@1mA | 40nC@10V | ±20V | 1704pF@25V | - | 136W(温度) | ||||||||||||||||||||
| MRF6S27050HR3 | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 68V | 安装结构 | SOT-957A | MRF6 | 2.62GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 500毫安 | 7W | 16分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1576S,115 | 0.0200 | ![]() | 7813 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 2PA15 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX2020P1115 | 0.0700 | ![]() | 第262章 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PVR100AZ-B5V0,115 | - | ![]() | 8512 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | 个人录像10 | 550毫W | SC-73 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN + 齐纳二极管 | - | 160@100mA,1V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R4-30MLD115 | - | ![]() | 9137 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556B,112 | - | ![]() | 6425 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC55 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 220@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK652R0-30C,127 | - | ![]() | 3607 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | 山毛凹65 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 30V | 120A(温度) | 4.5V、10V | 2.2毫欧@25A,10V | 2.8V@1mA | 229nC@10V | ±16V | 14964pF@25V | - | 306W(温度) |

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