晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
MRF101AN	26.4000	询价	第836章	恩智浦	-	管子	的积极	133伏			TO-220-3	MRF101	1.8MHz～250MHz	LDMOS		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			10微安	100毫安	115W	21.1分贝											-			50V
BFU910F115	1.0000	询价	8233	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
BUK75150-55A,127	-	询价	6536	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛秃75		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	11A（温度）	10V	150mOhm@5A，10V	4V@1mA	5.5nC@10V	±20V	322pF@25V	-	36W（温度）
PHD97NQ03LT,118	0.3100	询价	5	恩智浦	*	大部分	的积极					博士97					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
BFG10W/X,115	-	询价	2510	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		175°C（太焦）	表面贴装	SOT-343 反向引脚	BFG10			400毫W	4-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000						-												10V	250毫安			NPN		25@50mA，5V	1.9GHz	-
MRF5P21180HR5	-	询价	1093	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-1230	MRF5	2.16GHz	LDMOS		NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	1.6安	38W	14分贝											-			28V
MRF8S21100HSR3,128	-	询价	6770	恩智浦	*	大部分	的积极					MRF8S21100		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1															-
MRFE6VP8600HSR5	-	询价	3050	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	130伏		安装结构	NI-1230S	MRFE6	860兆赫	LDMOS		NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50	双重的		-	1.4A	125W	19.3分贝											-			50V
BC53PAS115	0.0600	询价	48	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
MMRF5017HS-1GHZ	-	询价	5591	恩智浦	*	托盘	SIC停产					MMRF5017					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
A3G22H400-04SR3	122.6564	询价	8801	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极					A3G22					下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250
BC857AT,115	-	询价	7061	恩智浦	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	BC857			150毫W	SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																		45V	100毫安		15nA（ICBO）	国民党	400毫伏@5毫安、100毫安	125@2mA，5V	100兆赫兹
PHP3055E,127	-	询价	3736	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP30		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	10.3A（温度）	10V	150mOhm@5.5A，10V	4V@1mA	5.8nC@10V	±20V	250pF@25V	-	33W（温度）
MRFG35002N6R5	-	询价	4922	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	65毫安	1.5W	10分贝											-			6V
PMDPB30XN/S711115	-	询价	5269	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK7506-55A127	-	询价	8755	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					55V	75A（温度）	10V	6.3毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	6000pF@25V	-	300W（温度）
BUK7520-100A,127	-	询价	1638	恩智浦	TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	296		N沟道					100伏	63A（温度）	10V	20毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	4373pF@25V	-	200W（温度）
PMV45EN2215	-	询价	4632	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK653R7-30C,127	-	询价	4875	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛凹65		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					30V	100A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	78nC@10V	±16V	4707pF@25V	-	158W（温度）
MRF8S9260HR3	-	询价	9673	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V		安装结构	SOT-957A	MRF8	960兆赫	LDMOS		NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935317145128	EAR99	8541.29.0075	250			-	1.7安	75W	18.6分贝											-			28V
MMRF5016HSR5	-	询价	7750	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	48V		表面贴装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz～2.2GHz	HEMT		NI-400S-2S	-		1（无限制）	REACH 不出行	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-		32W	-											-
BUK9Y29-40E/CX	-	询价	7745	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					布克9					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,500人
2PC1815Y,412	-	询价	3623	恩智浦	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2PC18			500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
PMST3906,135	0.0200	询价	1006	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	14,774																		40V	200毫安		50nA（ICBO）	国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
ON5257,215	-	询价	9913	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	ON52	-	-		SOT-23 (TO-236AB)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934058039215	EAR99	8541.29.0095	3,000	-		-		-	-											-
BLF4G20LS-110B,112	-	询价	3899	恩智浦	-	托盘	过时的	65V		安装结构	SOT-502B	BLF4	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60			12A	650毫安	100W	13.4分贝											-			28V
PHP63NQ03LT,127	-	询价	6309	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP63		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					30V	68.9A（温度）	5V、10V	13毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	9.6nC@5V	±20V	920pF@25V	-	111W（温度）
BF904AWR,115	-	询价	4937	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V		表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF904	200兆赫	场效应晶体管		CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	10毫安	-	-											1分贝			5V
MRF6S19120HR3	-	询价	8593	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	1A	19W	15分贝											-			28V
MRFG35030R5	-	询价	1207	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V			HF-600	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	650毫安	3W	12分贝											-			12V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²