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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PUMD9115 NXP USA Inc. PUMD9115 -
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ECAD 1095 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
PMBT2222A/LF1215 NXP USA Inc. PMBT2222A/LF1215 1.0000
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ECAD 3315 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PMBT2222 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF6V13250HSR5 NXP USA Inc. MRF6V13250HSR5 -
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ECAD 9553 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 120V 安装结构 NI-780S MRF6 1.3GHz LDMOS NI-780S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935323152178 EAR99 8541.29.0075 50 - 100毫安 250W 22.7分贝 - 50V
PEMH1,115 NXP USA Inc. PEMH1,115 -
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ECAD 2295 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PEMH1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
BUK761R3-30E,118 NXP USA Inc. BUK761R3-30E,118 -
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ECAD 7654 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼76 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 30V 120A(温度) 10V 1.3毫欧@25A,10V 4V@1mA 154nC@10V ±20V 11960pF@25V - 357W(温度)
PBRP113ZT,215 NXP USA Inc. PBRP113ZT,215 0.0400
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ECAD 21 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PBRP113 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0095 8,362 40V 600毫安 500纳安 PNP - 预偏置 750mV@6mA、600mA 230@300mA,5V 1欧姆 10欧姆
BC337-16,112 NXP USA Inc. BC337-16,112 -
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ECAD 2142 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC33 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 100@100mA,1V 100兆赫兹
PDTC123JE,115 NXP USA Inc. PDTC123JE,115 -
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ECAD 9674 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTC123 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@10mA,5V 2.2欧姆 47欧姆
PUMD48,115 NXP USA Inc. PUMD48,115 -
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ECAD 7402 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PUMD48 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PBHV8515QA147 NXP USA Inc. PBHV8515QA147 0.1000
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 5,000
BLF888D112 NXP USA Inc. BLF888D112 250.9600
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ECAD 122 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
MRFE6S8046NR1 NXP USA Inc. MRFE6S8046NR1 -
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ECAD 1997年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 表面贴装 TO-270AB MRFE6 894兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 500 - 300毫安 35.5W 19.8分贝 - 28V
BUK7880-55,135 NXP USA Inc. BUK7880-55,135 -
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ECAD 4435 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 山毛秃78 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 55V 3.5A(塔) 10V 80毫欧@5A,10V 4V@1mA ±16V 500pF@25V - 1.8W(塔)
BCW61C/DG/B2215 NXP USA Inc. BCW61C/DG/B2215 0.0200
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ECAD 117 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTA123TMB,315 NXP USA Inc. PDTA123TMB,315 0.0200
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ECAD 110 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 PDTA123 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@20mA,5V 180兆赫 2.2欧姆
PDTA115TS,126 NXP USA Inc. PDTA115TS,126 -
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ECAD 3963 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTA115 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@250μA,5mA 100 @ 1mA,5V 100欧姆
BFS20,215 NXP USA Inc. BFS20,215 -
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ECAD 2658 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BFS20 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
PMN40UPEA115 NXP USA Inc. PMN40UPEA115 0.2700
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ECAD 46 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 20V 4.7A(塔) 1.8V、4.5V 43毫欧@3A,4.5V 950mV@250μA 23nC@4.5V ±8V 1820pF@10V - 500mW(Ta),8.33W(Tc)
PMZB350UPE,315 NXP USA Inc. PMZB350UPE,315 -
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ECAD 第1157章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 3-XFDFN MOSFET(金属O化物) DFN1006B-3 下载 0000.00.0000 1 P沟道 20V 1A(塔) 1.8V、4.5V 450mOhm@300mA,4.5V 950mV@250μA 1.9nC@4.5V ±8V 127pF@10V - 360mW(Ta),3.125W(Tc)
PHB27NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB27NQ10T,118 -
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ECAD 7872 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PHB27 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800
PEMB20,115 NXP USA Inc. PEMB20,115 -
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ECAD 4834 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMB20 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0095 3,700 50V 100毫安 1微安 2 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 30@20mA,5V - 2.2k欧姆 2.2k欧姆
BUK9K29-100E/CX NXP USA Inc. BUK9K29-100E/CX -
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ECAD 8972 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 山毛洼9K29 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1,500人
PHD34NQ10T,118 NXP USA Inc. PHD34NQ10T,118 -
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ECAD 9369 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士34 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100伏 35A(温度) 10V 40毫欧@17A,10V 4V@1mA 40nC@10V ±20V 1704pF@25V - 136W(温度)
MRF6S27050HR3 NXP USA Inc. MRF6S27050HR3 -
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ECAD 7271 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 2.62GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 250 - 500毫安 7W 16分贝 - 28V
2PA1576S,115 NXP USA Inc. 2PA1576S,115 0.0200
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ECAD 7813 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 2PA15 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
NX2020P1115 NXP USA Inc. NX2020P1115 0.0700
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ECAD 第262章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 3,000
PVR100AZ-B5V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B5V0,115 -
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ECAD 8512 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 个人录像10 550毫W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
PSMN2R4-30MLD115 NXP USA Inc. PSMN2R4-30MLD115 -
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ECAD 9137 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1,500人
BC556B,112 NXP USA Inc. BC556B,112 -
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ECAD 6425 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC55 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 220@2mA,5V 100兆赫兹
BUK652R0-30C,127 NXP USA Inc. BUK652R0-30C,127 -
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ECAD 3607 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹65 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 30V 120A(温度) 4.5V、10V 2.2毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 229nC@10V ±16V 14964pF@25V - 306W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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