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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BF820,215	-	RFQ	1747年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BF820					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF5S9150HR5	-	RFQ	2289	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.5 a	33W	19.7db											-			28 V
PHB222NQ04LT，118	-	RFQ	4382	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	93.6 NC @ 5 V	±15V	7880 pf @ 25 V	-	300W（TC）
ON5087,115	0.2800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-343F	ON50				4-DFP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
BC817-40/DG/B2215	1.0000	RFQ	9598	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PDTA113EE，115	-	RFQ	5506	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA113			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 1.5mA，30mA	30 @ 40mA，5V		1 kohms	1 kohms
PHD110NQ03LT，118	-	RFQ	3628	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	博士学位		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MRF19085LR5	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF19	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-	850 MA	18W	13DB											-			26 V
BFU530WX	0.5800	RFQ	18	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFU530			450MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						18.5db												12V	40mA			NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz			0.6dB @ 900MHz
2PA1015GR，126	-	RFQ	5321	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PA10			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	150 ma		100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314716178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-	1.3 a	50W	17.8db											-			30 V
PHB55N03LTA，118	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB55		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
PHU77NQ03T，127	-	RFQ	8351	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU77		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					25 v	75A（TC）	10V	9.5MOHM @ 25A，10V	3.2V @ 1mA	17.1 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 12 V	-	107W（TC）
BUK7Y6R0-60EX	-	RFQ	7606	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	100A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	45.4 NC @ 10 V	±20V	4021 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
BFG520/X，215	-	RFQ	3958	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG52			300MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	70mA			NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
MRF8S26060HSR3	-	RFQ	6622	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF8	2.69GHz	ldmos		NI-400S-2S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321447118	5A991G	8541.29.0075	250			-	450 MA	15.5W	16.3db											-			28 V
MRF9030LSR1	-	RFQ	5222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	250 MA	30W	19db											-			26 V
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
AFT26H200W03SR6	-	RFQ	8143	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4S	AFT26	2.5GHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	93531121128	Ear99	8541.29.0095	150			-	500 MA	45W	14.1db											-			28 V
MRF6V4300NR5	-	RFQ	9285	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	450MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310007578	Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	300W	22DB											-			50 V
ON5275,135	-	RFQ	2230	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5275	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058851135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
BLF8G10L-160V，118	-	RFQ	2946	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BLF8					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066408118	Ear99	8541.29.0075	100
MRFG35010NR5	-	RFQ	4367	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	180 MA	9W	10dB											-			12 v
A2T07H310-24SR6	-	RFQ	7187	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	A2T07	880MHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935312272128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	700 MA	47W	18.6dB											-			28 V
PH2369,116	-	RFQ	2145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PH23			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		15 v	200 ma		400NA（ICBO）	NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	500MHz
PMST5550,135	-	RFQ	5130	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载						0000.00.0000	1																		140 v	300 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
MPSA42,126	-	RFQ	8225	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA42			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		300 v	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
MRF6V122550HSR5	284.8516	RFQ	9126	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v		底盘安装	NI-780	MRF6V12250	1.03GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317106178	Ear99	8541.29.0075	50			-	100 ma	275W	20.3db											-			50 V
PDTD123YQA147	1.0000	RFQ	2873	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
PDTB114EU135	-	RFQ	2077	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²