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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUK7510-55AL127	1.0200	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	BUK7510		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	6280 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BC68PAS115	-	RFQ	5550	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC846DS	1.0000	RFQ	5637	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
PH3530DL115	0.4600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC327-16,112	-	RFQ	3249	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC32			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
AFV141KHR5	603.9620	RFQ	4677	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v			底盘安装	SOT-979A	AFV141	1.4GHz	ldmos		NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320646178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	1000W	17.7dB											-			50 V
BSS84AK-B215	-	RFQ	7547	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF7S38075HR5	-	RFQ	4257	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	SOT-957A	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	12W	14dB											-			30 V
PMD4003K，115	-	RFQ	1900	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40V		门驱动程序	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMD40				SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000			1a																			NPN +基本发射机二极管
PEMH10,115	-	RFQ	3415	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PEMH1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
MRF8P18265HSR5	-	RFQ	8158	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	SOT-111110B	MRF8	1.88GHz	ldmos		NI1230S-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	800 MA	72W	16dB											-			30 V
PSMN3R5-80ES，127	1.4000	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
PMZB370UNE，315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	10,000		n通道					30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 500mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	±8V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BUK7C3R8-80EJ	-	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-		表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c3		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067494118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					80 V	-		-	-				-	-
MHT1004NR3	-	RFQ	9097	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			表面安装	OM-780-2	MHT10	2.45GHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316281528	Ear99	8541.29.0075	250			10µA	100 ma	280W	15.2db											-			32 v
PBSS5160T，215	0.0600	RFQ	9141	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PHPT610035PK115	-	RFQ	3056	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,500
PHP45NQ10TA，127	-	RFQ	7128	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-		通过洞	TO-220-3	PHP45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934059957127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	47A（TC）		25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	61 NC @ 10 V		2600 PF @ 25 V	-	-
PSMN2R9-25ylc	1.0000	RFQ	9589	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
PHB96NQ03LT，118	-	RFQ	1908年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
BSR16/LF1R	-	RFQ	4087	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR1				SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BCW66G215	1.0000	RFQ	5035	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
ON5451,518	-	RFQ	1667年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					-	ON5451	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934063297518	Ear99	8541.29.0095	2,000	-		-		-	-											-
PDTB123YU115	0.0300	RFQ	75	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMV28UNEA215	-	RFQ	1192	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMR370XN，115	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-75，SOT-416	PMR3		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	840ma（tc）	2.5V，4.5V	440MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.65 NC @ 4.5 V	±12V	37 pf @ 25 V	-	530MW（TC）
BFU550A235	-	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
MZ0912B50Y，114	-	RFQ	7912	NXP USA Inc.	*	托盘	积极的						MZ091					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	32
MRF6P23190HR6	-	RFQ	5371	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			底盘安装	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150			-	1.9 a	40W	14dB											-			28 V
BUK7Y22-100E115	-	RFQ	7119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²