晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
MRF7S19080HSR3	-	询价	6781	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935319237128	EAR99	8541.29.0075	250			-	750毫安	24W	18分贝											-			28V
BUK9E2R3-40E,127	-	询价	1962年	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	布克9		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	120A（温度）	5V、10V	2.2毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	87.8nC@5V	±10V	13160pF@25V	-	293W（温度）
PHB18NQ10T,118	0.4500	询价	1	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	第727章		N沟道					100V	18A（温度）	10V	90毫欧@9A，10V	4V@1mA	21nC@10V	±20V	633pF@25V	-	79W（温度）
MRFE6S9060GNR1	35.5106	询价	7979	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	66伏		表面贴装	TO-270BB	MRFE6	880兆赫	LDMOS		TO-270 WB-4海鸥	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310336528	EAR99	8541.29.0075	500			-	450毫安	14W	21.1分贝											-			28V
PDTD113ZU115	0.0400	询价	1867年	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	5,340
BUK7520-100A,127	-	询价	1638	恩智浦	TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	296		N沟道					100V	63A（温度）	10V	20毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	4373pF@25V	-	200W（温度）
BF1101R,215	-	询价	9420	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V		表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应管		SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	12毫安	-	-											1.7分贝			5V
PDTA113EM，315	0.0300	询价	140	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000
BC638,126	-	询价	8083	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC63			830毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																		60V	1A		100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	100兆赫兹
PSMN8R040PS127	-	询价	9657	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		N沟道					40V	77A（塔）		7.6毫欧@25A，10V	4V@1mA	21nC@10V	±20V	12V时为1262pF	-	86W（塔）
BUK7Y20-30B115	1.0000	询价	7818	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
PHU97NQ03LT,127	-	询价	8021	恩智浦	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PHU97		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					25V	75A（温度）	4.5V、10V	6.6毫欧@25A，10V	2.15V@1mA	11.7nC@4.5V	±20V	1570pF@12V	-	107W（温度）
PBSS305NZ,135	-	询价	4669	恩智浦	*	大部分	的积极					PBSS3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	4,000
BLC8G24LS-240AVU	-	询价	4646	恩智浦	-	托盘	的积极	65V		安装结构	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS		SOT1252-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934067995112	EAR99	8541.29.0075	20	双重的		-	800毫安	63W	15分贝											-			30V
BUK958R5-40E,127	-	询价	3037	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	75A（温度）	5V、10V	6.6毫欧@20A，10V	2.1V@1mA	20.9nC@5V	±10V	2600pF@25V	-	96W（温度）
PMCPB5530X	1.0000	询价	5685	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
MHT2025NR1	-	询价	4929	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					MHT20					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	935341634528	过时的		500
A2T23H160-24SR3	132.9651	询价	4413	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	NI-780S-4L2L	A2T23	2.3GHz	LDMOS		NI-780S-4L2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935326016128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的		-	350毫安	28W	17.7分贝											-			28V
BUK9E04-40A,127	-	询价	7608	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	84		N沟道					40V	75A（温度）	4.3V、10V	4mOhm@25A，10V	2V@1mA	128nC@5V	±15V	8260pF@25V	-	300W（温度）
BC69-16PASX	0.0700	询价	63	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-UDFN 裸露焊盘				420毫W	DFN2020D-3	下载					EAR99	8541.29.0075	1																		20V	2A		100nA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	85@500mA，1V	140兆赫
MRF8S18120HSR3	-	询价	7139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF8	1.81GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250			-	800毫安	72W	18.2分贝											-			28V
BCX51-10115	1.0000	询价	3209	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
BLF10H6600P112	238.3900	询价	14	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
PDTB113ZS,126	-	询价	8465	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PDTB113			500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	500毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	70@50mA，5V		1欧姆	10欧姆
BC817,215	-	询价	9704	恩智浦	*	大部分	的积极					BC817					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
BC817-16W,135	0.0200	询价	40	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC817			200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		45V	500毫安		100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
MRFE8VP8600HR5	154.7816	询价	5941	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极					MRFE8					-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935318365178	EAR99	8541.29.0095	50
BUK969R3-100E,118	1.1100	询价	8475	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					100V	100A（温度）	5V、10V	8.9毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	94.3nC@5V	±10V	11650pF@25V	-	263W（温度）
AFT18H357-24SR6	-	询价	6672	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-1230-4LS2L	AFFT18	1.81GHz	LDMOS		NI-1230-4LS2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	150	双重的		-	800毫安	63W	17.3分贝											-			28V
BLF7G24LS-140,118	68.7500	询价	970	恩智浦	-	大部分	的积极	65V			SOT-502B	BLF7	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS		SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			28A	1.3A	30W	18.5分贝											-			28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²