晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BF1211,215	-	询价	2570	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V		表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF121	400兆赫	场效应晶体管		SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	15毫安	-	29分贝											0.9分贝			5V
PSMN070-200B,118	-	询价	3268	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN0					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
PH3530DL115	0.4600	询价	24	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PDTC115EU,115	-	询价	1191	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTC11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PMBT2222,215	-	询价	2040年	恩智浦	*	大部分	的积极					PMBT2222					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK9875-100A/CUX	-	询价	9397	恩智浦	*	大部分	的积极										-						0000.00.0000	1
PUMD17,115	0.0300	询价	298	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	PUMD17			300毫W	SOT-363	下载						0000.00.0000	11,225																		50V	100毫安					1微安		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	150mV@500μA，10mA	60@5mA，5V	-	47k欧姆	22k欧姆
A5G38H045N-3700	337.5000	询价	4488	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		-	-		6-PDFN (7x6.5)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	-		-		5W	-											-
BC639,126	-	询价	4119	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC63			830毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																		80V	1A					100nA（ICBO）		NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	180兆赫
PMBFJ110,215	-	询价	2273	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMBFJ1			250毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					25V							30pF @ 10V (VGS)							25V	10毫安@15伏	4V@1μA		18欧姆
MRF6VP3091NR1	-	询价	8018	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	115V		表面贴装	TO-270AB	MRF6	860兆赫	LDMOS		TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314619528	EAR99	8541.29.0075	500	双重的		-	350毫安	18W	22分贝											-			50V
MRF6S19200HSR5	-	询价	7514	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏		安装结构	NI-780S	MRF6	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.6安	56W	17.9分贝											-			28V
PBSS303PD,115	0.1100	询价	7	恩智浦	*	大部分	的积极					PBSS3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000
MRF5S19130HR5	-	询价	6320	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	1.2A	26W	13分贝											-			28V
PUMX1,115	-	询价	5735	恩智浦	*	大部分	的积极					PUMX1					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PSMN3R5-30YL,115	-	询价	4239	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人
PSMN3R7-25YLC,115	-	询价	7551	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669	PSMN3		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					25V	97A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	1.95V@1mA	10V时为21.6nC	±20V	1585pF@12V	-	64W（温度）
BF1208D,115	-	询价	7972	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V		表面贴装	SOT-563、SOT-666	BF120	400兆赫	场效应晶体管		SOT-666	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 沟道双感应		30毫安	19毫安	-	32分贝											0.9分贝			5V
PEMH16,115	-	询价	7278	恩智浦	*	大部分	的积极					PEMH1					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000
NX602NBKS115	-	询价	5279	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
MRF8S21100HR5	-	询价	9731	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	场效应晶体管		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		-	700毫安	24W	18.3分贝											-			28V
MRFE6S9160HR3	-	询价	5968	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏		安装结构	SOT-957A	MRFE6	880兆赫	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.2A	35W	21分贝											-			28V
PHD78NQ03LT,118	-	询价	2348	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	博士78		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					25V	75A（温度）	5V、10V	9毫欧@25A，10V	2V@1mA	11nC@4.5V	±20V	970pF@12V	-	107W（温度）
PHW80NQ10T,127	-	询价	9408	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	PHW80		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					100伏	80A（温度）	10V	15毫欧@25A，10V	4V@1mA	109nC@10V	±20V	4720pF@25V	-	263W（温度）
NX7002BKXB147	0.0500	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
BUK953R5-60E,127	0.9000	询价	2	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					60V	120A（塔）		3.4毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	95nC@5V	±10V	13490pF@25V	-	293W（塔）
PUMD3/ZL,165	0.0300	询价	260	恩智浦	*	大部分	的积极										-					EAR99	8541.21.0075	1
MRF6S18140HR5	-	询价	9344	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	SOT-957A	MRF6	1.88GHz	LDMOS		NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.2A	29W	16分贝											-			28V
PDTA143EQA147	0.0300	询价	40	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	5,000
BUK7E2R3-40E,127-恩智浦	1.0000	询价	4675	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK	-	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					40V	120A（温度）	10V	2.3毫欧@25A，10V	4V@1mA	10V时为109.2nC	±20V	8500pF@25V	-	293W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²