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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BUK98150-55135	-	RFQ	1071	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4,000
BUK7L06-34ARC，127	-	RFQ	2374	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	buk7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					34 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 30a，10v	3.8V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	4533 PF @ 25 V	-	250W（TC）
2PB710AS，115	-	RFQ	7330	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pb71			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	12,000																		50 V	500 MA		10NA（ICBO）	PNP	600mv @ 30mA，300mA	170 @ 150mA，10v	140MHz
BC807-40/S500215	-	RFQ	4227	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC847BW，115	0.0200	RFQ	18	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	18,453																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
MRF6S27085HR3	-	RFQ	2562	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.66GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	900 MA	20W	15.5db											-			28 V
PBLS1504V，115	-	RFQ	1164	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PBLS1504			300MW	SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50V，15V	100mA，500mA		1µA，100NA	1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 50mA，500mA	60 @ 5mA，5v / 150 @ 100mA，2V	280MHz	22KOHMS	22KOHMS
BC640,126	-	RFQ	7198	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC64			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		80 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PDTA123TMB，315	0.0200	RFQ	110	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA123			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v	180 MHz	2.2 kohms
BLF6G24-180PN，112	-	RFQ	8647	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			底盘安装	SOT539A	BLF6	2GHz〜2GHz	ldmos		SOT539A	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934063604112	Ear99	8541.29.0095	20			-		50W	17.5db											-
MRF6S9130HSR5	-	RFQ	5711	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	950 MA	27W	19.2db											-			28 V
PSMN008-75P，127	-	RFQ	8560	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	75A（TC）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	122.8 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	230W（TC）
BLF8G10LS-160V，112	66.3900	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v		法兰安装	SOT-502B	BLF8	920MHz〜960MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				1.1 a	35W	19.7db											-			30 V
MRF6P23190HR5	-	RFQ	2966	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.9 a	40W	14dB											-			28 V
PMZB350UPE，315	-	RFQ	1157	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1		P通道					20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	450MOHM @ 300mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V	±8V	127 pf @ 10 V	-	360MW（TA），3.125W（TC）
BFG67,215	-	RFQ	3653	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG67			380MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												10V	50mA			NPN		60 @ 15mA，5V	8GHz			1.3db〜3db @ 1GHz〜2GHz
BLS7G2933S-150,112	515.3300	RFQ	32	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	60 V		底盘安装	SOT-922-1		2.9GHz〜3.3GHz	ldmos		CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			4.2µA	100 ma	150W	13.5dB											-			32 v
MRF7S24250N-3STG	-	RFQ	2591	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的					MRF7S24250					-	rohs3符合条件		到达不受影响	935345449598		0000.00.0000	1
BUK654R0-75C，127	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	234 NC @ 10 V	±16V	15450 pf @ 25 V	-	306W（TC）
PEMB4,115	0.0400	RFQ	56	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMB4			300MW	SOT-666	下载					Ear99	8541.21.0095	1																		50V	100mA		1µA	2 PNP-）	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V	-	10KOHMS	-
PSMN8R5-108ES127	-	RFQ	4809	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PHP54N06T，127	-	RFQ	5698	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP54		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	54A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	1592 PF @ 25 V	-	118W（TC）
MMRF1007HSR5	679.4412	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	110 v			NI-1230-4S	MMRF1007	1.03GHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320316178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	1000W	20dB											-			50 V
PBSS303PD，115	0.1100	RFQ	7	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000
PBLS2023D，115	0.1200	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS20					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	177		n通道					120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）
PEMB10115	-	RFQ	9249	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMB10			300MW	SOT-666	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50V	100mA		1µA	2（PNP 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	2.2kohms	47kohms
RX1214B300YI112	473.2400	RFQ	15	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			底盘安装	SOT-439A				570W	CDFM2	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1						8DB												60V	21a			NPN
BUK9E1R8-40E，127	-	RFQ	3772	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9e1r8		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066586127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	1.7MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	120 NC @ 5 V	±10V	16400 PF @ 25 V	-	349W（TC）
MMRF2004NBR1	-	RFQ	2402	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	TO-272-16变体，平线	MMRF2004	2.7GHz	ldmos		TO-272 WB-16	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320315528	Ear99	8541.29.0075	500			-	77 MA	4W	28.5db											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²