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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTB114EU135	-	RFQ	2077	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2PB710ASL/ZLR	-	RFQ	6880	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					2pb71					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC327-25,112	-	RFQ	9269	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC32			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
BFG10W/X，115	-	RFQ	2510	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-343反向固定	BFG10			400MW	4-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-												10V	250mA			NPN		25 @ 50mA，5V	1.9GHz			-
PBLS4004V，115	-	RFQ	8002	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PBLS4004			300MW	SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50V，40V	100mA，500mA		1µA	1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 350mv @ 50mA，500mA	60 @ 5mA，5v / 150 @ 100mA，2V	300MHz	22KOHMS	22KOHMS
MRF5S9150HR5	-	RFQ	2289	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.5 a	33W	19.7db											-			28 V
BF820,215	-	RFQ	1747年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BF820					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PHB110NQ06LT，118	-	RFQ	3593	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB11		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	3960 pf @ 25 V	-	200W（TC）
PHB222NQ04LT，118	-	RFQ	4382	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	93.6 NC @ 5 V	±15V	7880 pf @ 25 V	-	300W（TC）
PHD110NQ03LT，118	-	RFQ	3628	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	博士学位		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
PBSS305NZ，135	-	RFQ	4669	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000
A2V09H400-04NR3	96.6966	RFQ	3828	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	OM-780-4L	A2V09	720MHz〜960MHz	ldmos		OM-780-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			10µA	688 MA	107W	17.9db											-			48 v
BUK958R5-40E，127	-	RFQ	3037	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	20.9 NC @ 5 V	±10V	2600 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BFG135,115	-	RFQ	7904	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG13			1W	SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000						-												15V	150mA			NPN		80 @ 100mA，10v	7GHz			-
PDTC144EQA147	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
MRF6V4300NR5	-	RFQ	9285	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	450MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310007578	Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	300W	22DB											-			50 V
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314716178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-	1.3 a	50W	17.8db											-			30 V
PHB55N03LTA，118	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB55		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
MRF9030LSR1	-	RFQ	5222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	250 MA	30W	19db											-			26 V
AFT21S140W02GSR3	-	RFQ	8192	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780GS-2L	AFT21	2.14GHz	ldmos		NI-780GS-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935324832128	5A991G	8541.29.0075	250			-	800 MA	32W	19.3db											-			28 V
BUK98150-55,135	-	RFQ	2989	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	5.5A（TC）	5V	150MOHM @ 5A，5V	2V @ 1mA		±10V	330 pf @ 25 V	-	8.3W（TC）
BUK7628-100A/C，118	-	RFQ	6717	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7628		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934060683118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	47A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3100 pf @ 25 V	-	166W（TC）
ON5275,135	-	RFQ	2230	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5275	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058851135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
BLF8G10L-160V，118	-	RFQ	2946	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BLF8					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066408118	Ear99	8541.29.0075	100
MRF8S26060HSR3	-	RFQ	6622	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF8	2.69GHz	ldmos		NI-400S-2S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321447118	5A991G	8541.29.0075	250			-	450 MA	15.5W	16.3db											-			28 V
AFT26H200W03SR6	-	RFQ	8143	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4S	AFT26	2.5GHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	93531121128	Ear99	8541.29.0095	150			-	500 MA	45W	14.1db											-			28 V
BUK7Y6R0-60EX	-	RFQ	7606	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	100A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	45.4 NC @ 10 V	±20V	4021 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
MRFG35010NR5	-	RFQ	4367	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	180 MA	9W	10dB											-			12 v
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PHU77NQ03T，127	-	RFQ	8351	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU77		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					25 v	75A（TC）	10V	9.5MOHM @ 25A，10V	3.2V @ 1mA	17.1 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 12 V	-	107W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²