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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PMST3904,135	-	RFQ	2685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMST3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
A2T21H140-24SR3	-	RFQ	7065	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			OM780-4	A2T21	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		OM780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935340104128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		10µA	350 MA	169w	17.4db											-			28 V
PBSS4160PANPS115	0.1300	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	2,423
BUK9Y12-55B，115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	61.8A（TC）	5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.15V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±15V	2880 pf @ 25 V	-	106W（TC）
PUMD48,125	-	RFQ	3841	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMD48					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PEMB11,115	-	RFQ	3258	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
BSP126,115	-	RFQ	7230	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSP1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK9509-40B，127	0.4400	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PDTD114EU115	0.0300	RFQ	28	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC817-16W，135	0.0200	RFQ	40	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
PUMD9115	-	RFQ	1095	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
BC817-25QA147	0.0300	RFQ	134	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BUK7105-40AIE，118	1.2300	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BUK71					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
MRF372R5	-	RFQ	3144	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	857MHz〜863MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			17a	800 MA	180W	17dB											-			32 v
PDTB123EK，115	-	RFQ	6446	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTB123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	500 MA		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	40 @ 50mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
MRF5P20180HR5	-	RFQ	1260	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-1230	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	38W	14dB											-			28 V
PBSS3515M，315	0.0400	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
PHP110NQ08T，127	-	RFQ	4764	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	113.1 NC @ 10 V	±20V	4860 pf @ 25 V	-	230W（TC）
2PB710AQ，115	-	RFQ	6719	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pb71			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	12,000																		50 V	500 MA		10NA（ICBO）	PNP	600mv @ 30mA，300mA	85 @ 150mA，10V	100MHz
A2T23H160-24SR3	132.9651	RFQ	4413	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	NI-780S-4L2L	A2T23	2.3GHz	ldmos		NI-780S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935326016128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	350 MA	28W	17.7dB											-			28 V
PSMN7R8-120PS127	-	RFQ	4606	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PDTC123JE，115	-	RFQ	9674	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC123			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
BUK958R5-40E，127	-	RFQ	3037	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	20.9 NC @ 5 V	±10V	2600 PF @ 25 V	-	96W（TC）
PDTA124ES，126	-	RFQ	7510	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA124			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		22 KOHMS	22 KOHMS
PUMH15,115	-	RFQ	2531	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMH15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PSMN6R0-30YLB，115	1.0000	RFQ	8064	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	71A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	1.95V @ 1mA	19 nc @ 10 V	±20V	1088 pf @ 15 V	-	58W（TC）
PUMD3/ZL，165	0.0300	RFQ	260	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-					Ear99	8541.21.0075	1
MMRF1006HSR5	-	RFQ	3075	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	120 v			NI-1230S-4	MMRF1006	450MHz	ldmos		NI-1230S-4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311705178	Ear99	8541.29.0075	50			-	150 ma	1000W	20dB											-			50 V
MRF5S21090HR5	-	RFQ	4248	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	2.11GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	850 MA	19w	14.5db											-			28 V
MMRF1013HR5	-	RFQ	6834	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-979A	MMRF1013	2.9GHz	ldmos		NI-1230-4H	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935322103178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	320W	13.3db											-			30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²