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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMV170UN,215 | - | ![]() | 9261 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | PMV1 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 (TO-236AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 20V | 1A(塔) | 1.8V、4.5V | 165毫欧@1A,4.5V | 1V@250μA | 1.65nC@4.5V | ±8V | 10V时为83pF | - | 325mW(Ta),1.14W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BF1102,115 | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 7V | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | BF110 | 800兆赫 | 场效应晶体管 | 6-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N 沟道双感应 | 40毫安 | 15毫安 | - | - | 2分贝 | 5V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE8VP8600HSR5 | 155.8210 | ![]() | 3586 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 115V | 安装结构 | NI-1230-4S | MRFE8 | 860兆赫 | LDMOS | NI-1230-4S | - | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 935345546178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 20微安 | 1.4A | 140W | 21分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5223,118 | - | ![]() | 6876 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-263-5、D²Pak(4引脚+接片)、TO-263BB | ON52 | - | - | D2PAK | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934056465118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S21100HSR5 | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | NI-780S | MRF5 | 2.16GHz~2.17GHz | LDMOS | NI-780S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.05安 | 23W | 13.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-10PAS115 | - | ![]() | 2782 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56PAS115 | - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA113EU,115 | 0.0200 | ![]() | 第430章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | PDTA113 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100毫安 | 1微安 | PNP - 预偏置 | 150mV@1.5mA、30mA | 30@40mA,5V | 1欧姆 | 1欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF1004GNR1 | 24.8182 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 68V | 表面贴装 | TO-270BA | MMRF1004 | 2.17GHz | LDMOS | TO-270-2海鸥 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 935320363528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 130毫安 | 10W | 15.5分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN017-30BL118 | - | ![]() | 9646 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMT1,315 | 1.0000 | ![]() | 8345 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | PEMT1 | 300毫W | SOT-666 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 2 PNP(双) | 200毫伏@5毫安,50毫安 | 120@1mA,6V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T20H160W04NR3 | - | ![]() | 8702 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | OM780-4 | A2T20 | 1.88GHz~2.025GHz | LDMOS | OM780-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 935313076528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | 10微安 | 400毫安 | 200W | 17分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD15,115 | 0.0600 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | PEMD15 | 300毫W | SOT-666 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,400 | 50V | 100毫安 | 1微安 | 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) | 150mV@500μA,10mA | 30@10mA,5V | - | 4.7k欧姆 | 4.7k欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1212WR,115 | - | ![]() | 8539 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 6V | 表面贴装 | SC-82A、SOT-343 | BF121 | 400兆赫 | 场效应晶体管 | CMPAK-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N 沟道双感应 | 30毫安 | 12毫安 | - | 30分贝 | 0.9分贝 | 5V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008PBKT,115 | - | ![]() | 5425 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | NX30 | MOSFET(金属O化物) | SC-75 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 200mA(塔) | 2.5V、4.5V | 4.1欧姆@200mA,4.5V | 1.1V@250μA | 0.72nC@4.5V | ±8V | 15V时为46pF | - | 250mW(Ta)、770mW(Tc) | |||||||||||||||||||||
| PH4530L,115 | - | ![]() | 5176 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-100、SOT-669 | PH45 | MOSFET(金属O化物) | LFPAK56,电源-SO8 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | N沟道 | 30V | 80A(温度) | 5V、10V | 5.7毫欧@15A,10V | 2V@1mA | 5V时为23.5nC | ±20V | 1972pF@10V | - | 62.5W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB10115 | - | ![]() | 9249 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | 聚苯B二胺10 | 300毫W | SOT-666 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100毫安 | 1微安 | 2 PNP 预偏置(双) | 100mV@250μA,5mA | 100@10mA,5V | - | 2.2k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5240V,115 | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PBSS5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP52N06T,127 | - | ![]() | 1863年 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | PHP52 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 60V | 52A(温度) | 10V | 22毫欧@25A,10V | 4V@1mA | 36nC@10V | ±20V | 1592pF@25V | - | 120W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | AFT20S015NR1528 | - | ![]() | 6830 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546B,126 | - | ![]() | 7004 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC54 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 400毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||
| MRF7S21150HSR3 | - | ![]() | 第1533章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | NI-780S | MRF7 | 2.11GHz~2.17GHz | LDMOS | NI-780S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 935309845128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.35安 | 44W | 17.5分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5450,518 | - | ![]() | 2493 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | ON5450 | - | - | - | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 935288032518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN70XPE,115 | 0.0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | MOSFET(金属O化物) | 6-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | P沟道 | 20V | 3.2A(塔) | 2.5V、4.5V | 85毫欧@2A,4.5V | 1.25V@250μA | 7.8nC@4.5V | ±12V | 602pF@10V | - | 500mW(Ta),6.25W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMV62XN215 | 0.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9200HSR3 | - | ![]() | 第1422章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 66伏 | 表面贴装 | NI-880S | MRFE6 | 880兆赫 | LDMOS | NI-880S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4A | 58W | 21分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP45NQ11T,127 | 0.4100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 管子 | 的积极 | PHP45 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9220HSR3 | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 70V | 安装结构 | NI-780S | MRF8 | 960兆赫 | LDMOS | NI-780S | - | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 935310477128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6安 | 65W | 19.4分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS2540E,115 | - | ![]() | 1310 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | PBSS2 | 250毫W | SC-75 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV@50mA、500mA | 100@100mA,2V | 450兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK654R6-55C,127 | - | ![]() | 5882 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | 山毛凹65 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 55V | 100A(温度) | 4.5V、10V | 5.4毫欧@25A,10V | 2.8V@1mA | 124nC@10V | ±16V | 7750pF@25V | - | 204W(温度) |

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