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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PMV170UN,215 NXP USA Inc. PMV170UN,215 -
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ECAD 9261 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMV1 MOSFET(金属O化物) SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 1A(塔) 1.8V、4.5V 165毫欧@1A,4.5V 1V@250μA 1.65nC@4.5V ±8V 10V时为83pF - 325mW(Ta),1.14W(Tc)
BF1102,115 NXP USA Inc. BF1102,115 -
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ECAD 7660 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BF110 800兆赫 场效应晶体管 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 40毫安 15毫安 - - 2分贝 5V
MRFE8VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE8VP8600HSR5 155.8210
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ECAD 3586 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 115V 安装结构 NI-1230-4S MRFE8 860兆赫 LDMOS NI-1230-4S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935345546178 EAR99 8541.29.0075 50 20微安 1.4A 140W 21分贝 - 50V
ON5223,118 NXP USA Inc. ON5223,118 -
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ECAD 6876 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-263-5、D²Pak(4引脚+接片)、TO-263BB ON52 - - D2PAK - 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 934056465118 EAR99 8541.29.0095 800 - - - - -
MRF5S21100HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR5 -
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ECAD 9264 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-780S MRF5 2.16GHz~2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.05安 23W 13.5分贝 - 28V
BC53-10PAS115 NXP USA Inc. BC53-10PAS115 -
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ECAD 2782 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC56PAS115 NXP USA Inc. BC56PAS115 -
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ECAD 8724 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTA113EU,115 NXP USA Inc. PDTA113EU,115 0.0200
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ECAD 第430章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 PDTA113 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0095 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@1.5mA、30mA 30@40mA,5V 1欧姆 1欧姆
MMRF1004GNR1 NXP USA Inc. MMRF1004GNR1 24.8182
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ECAD 2878 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 68V 表面贴装 TO-270BA MMRF1004 2.17GHz LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935320363528 EAR99 8541.29.0075 500 - 130毫安 10W 15.5分贝 - 28V
PSMN017-30BL118 NXP USA Inc. PSMN017-30BL118 -
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ECAD 9646 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 1
PEMT1,315 NXP USA Inc. PEMT1,315 1.0000
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ECAD 8345 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMT1 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 1 40V 100毫安 100nA(ICBO) 2 PNP(双) 200毫伏@5毫安,50毫安 120@1mA,6V 100兆赫兹
A2T20H160W04NR3 NXP USA Inc. A2T20H160W04NR3 -
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ECAD 8702 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V OM780-4 A2T20 1.88GHz~2.025GHz LDMOS OM780-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935313076528 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 10微安 400毫安 200W 17分贝 - 28V
PEMD15,115 NXP USA Inc. PEMD15,115 0.0600
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ECAD 8863 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMD15 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 3,400 50V 100毫安 1微安 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 30@10mA,5V - 4.7k欧姆 4.7k欧姆
BF1212WR,115 NXP USA Inc. BF1212WR,115 -
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ECAD 8539 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 6V 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BF121 400兆赫 场效应晶体管 CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 12毫安 - 30分贝 0.9分贝 5V
NX3008PBKT,115 NXP USA Inc. NX3008PBKT,115 -
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ECAD 5425 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 NX30 MOSFET(金属O化物) SC-75 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 30V 200mA(塔) 2.5V、4.5V 4.1欧姆@200mA,4.5V 1.1V@250μA 0.72nC@4.5V ±8V 15V时为46pF - 250mW(Ta)、770mW(Tc)
PH4530L,115 NXP USA Inc. PH4530L,115 -
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ECAD 5176 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH45 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 80A(温度) 5V、10V 5.7毫欧@15A,10V 2V@1mA 5V时为23.5nC ±20V 1972pF@10V - 62.5W(温度)
PEMB10115 NXP USA Inc. PEMB10115 -
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ECAD 9249 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 聚苯B二胺10 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 2 PNP 预偏置(双) 100mV@250μA,5mA 100@10mA,5V - 2.2k欧姆 47k欧姆
PBSS5240V,115 NXP USA Inc. PBSS5240V,115 -
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ECAD 6901 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000
PHP52N06T,127 NXP USA Inc. PHP52N06T,127 -
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ECAD 1863年 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP52 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 52A(温度) 10V 22毫欧@25A,10V 4V@1mA 36nC@10V ±20V 1592pF@25V - 120W(温度)
AFT20S015NR1528 NXP USA Inc. AFT20S015NR1528 -
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ECAD 6830 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
BC546B,126 NXP USA Inc. BC546B,126 -
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ECAD 7004 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC54 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 400毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
MRF7S21150HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21150HSR3 -
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ECAD 第1533章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935309845128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.35安 44W 17.5分贝 - 28V
ON5450,518 NXP USA Inc. ON5450,518 -
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ECAD 2493 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - ON5450 - - - - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935288032518 EAR99 8541.29.0095 600 - - - - -
PMN70XPE,115 NXP USA Inc. PMN70XPE,115 0.0600
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ECAD 50 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 3,000 P沟道 20V 3.2A(塔) 2.5V、4.5V 85毫欧@2A,4.5V 1.25V@250μA 7.8nC@4.5V ±12V 602pF@10V - 500mW(Ta),6.25W(Tc)
PMV62XN215 NXP USA Inc. PMV62XN215 0.0400
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ECAD 9 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
MRFE6S9200HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9200HSR3 -
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ECAD 第1422章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 表面贴装 NI-880S MRFE6 880兆赫 LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 58W 21分贝 - 28V
PHP45NQ11T,127 NXP USA Inc. PHP45NQ11T,127 0.4100
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ECAD 11 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PHP45 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
MRF8S9220HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HSR3 -
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ECAD 2652 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-780S MRF8 960兆赫 LDMOS NI-780S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935310477128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6安 65W 19.4分贝 - 28V
PBSS2540E,115 NXP USA Inc. PBSS2540E,115 -
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ECAD 1310 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PBSS2 250毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 250mV@50mA、500mA 100@100mA,2V 450兆赫
BUK654R6-55C,127 NXP USA Inc. BUK654R6-55C,127 -
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ECAD 5882 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹65 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 100A(温度) 4.5V、10V 5.4毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 124nC@10V ±16V 7750pF@25V - 204W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库