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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BUK754R0-40C，127	0.4900	RFQ	989	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	100A（TA）		4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±20V	5708 PF @ 25 V	-	203W（TA）
PDTD123EU115	0.0300	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PSMN5R9-30YL，115	-	RFQ	6195	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN5		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	78A（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 20A，10V	2.15V @ 1mA	21.3 NC @ 10 V	±20V	1226 pf @ 15 V	-	63W（TC）
BF904,215	-	RFQ	1055	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											1dB			5 v
PHP193NQ06T，127	-	RFQ	9255	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	85.6 NC @ 10 V	±20V	5082 PF @ 25 V	-	300W（TC）
CLF1G0035-200PU	-	RFQ	6477	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的				-		-	-		-	-	不适用				Ear99	8541.29.0075	20	-		-		-	-											-
BUK9230-100B，118	-	RFQ	9343	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk92					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
MRF9080LR5	-	RFQ	4727	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF90	960MHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	600 MA	70W	18.5db											-			26 V
PHB146NQ06LT，118	-	RFQ	1453	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB14		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±15V	5675 PF @ 25 V	-	250W（TC）
MRF9085LSR5	-	RFQ	7837	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF90	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-	700 MA	90W	17.9db											-			26 V
BSS84AKW，115	1.0000	RFQ	7745	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSS84		-			下载						0000.00.0000	1															-
MRFG35030R5	-	RFQ	1207	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v			HF-600	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	650 MA	3W	12DB											-			12 v
PHK24NQ04LT，518	-	RFQ	1983	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHK24		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	21.2A（TC）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 14A，10V	2V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	2985 pf @ 25 V	-	6.25W（TC）
PBSS4120T/S500,215	-	RFQ	3055	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					PBSS4					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
BSR31,135	-	RFQ	3086	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSR3					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
pumb2/zlx	-	RFQ	8798	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					PUMB2					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
BFU580GX	0.8300	RFQ	999	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFU580			1W	SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						10.5db												12V	60mA			NPN		60 @ 30mA，8v	11GHz			1.4dB @ 1.8GHz
MRFE8VP8600HSR5	155.8210	RFQ	3586	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	115 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE8	860MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935345546178	Ear99	8541.29.0075	50			20µA	1.4 a	140W	21dB											-			50 V
PMMT491A，215	0.0400	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMMT4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRF7S18125AHSR5	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.88GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.1 a	125W	17dB											-			28 V
MRF8S8260HSR3	-	RFQ	1485	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	NI-880S	MRF8	895MHz	ldmos		NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310533128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.5 a	70W	21.1db											-			28 V
MRF9080LR3	-	RFQ	1939年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF90	960MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	600 MA	70W	18.5db											-			26 V
PHK12NQ10T，518	-	RFQ	3680	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHK12		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	11.6A（TC）	10V	28mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±20V	1965 pf @ 25 V	-	8.9W（TC）
psmn021-100ylx	1.0000	RFQ	2749	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	49A（TC）	5V，10V	21.5Mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	65.6 NC @ 10 V	±20V	4640 pf @ 25 V	-	147W（TC）
NX3008PBKT，115	-	RFQ	5425	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NX30		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					30 V	200ma（ta）	2.5V，4.5V	4.1OHM @ 200mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.72 NC @ 4.5 V	±8V	46 pf @ 15 V	-	250MW（TA），770MW（（TC）
BLF7G22L-130112	80.9000	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		5A991G	8541.29.0075	1
BUK764R3-40B，118	-	RFQ	7936	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4824 PF @ 25 V	-	254W（TC）
BFR520,215	-	RFQ	7196	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR52			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	70mA			NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
MRFE6S9205HSR5	-	RFQ	6531	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		表面安装	NI-880S	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	58W	21.2db											-			28 V
PDTA144EE，115	-	RFQ	1657年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA144			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		47科姆斯	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²