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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PSMN3R5-80ES，127	1.4000	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK7C3R8-80EJ	-	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c3		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067494118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					80 V	-		-	-				-	-
PMZB370UNE，315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	10,000		n通道					30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 500mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	±8V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
PHD55N03LTA，118	-	RFQ	2500	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD55		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
2N3904,412	-	RFQ	9623	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2n39			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																		40 V	200 ma		50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
MRF7S21210HR3	-	RFQ	5235	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.4 a	63W	18.5db											-			28 V
PMF77XN，115	-	RFQ	8937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF77		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	97MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.9 NC @ 4.5 V	±12V	170 pf @ 15 V	-	270MW（TA），1.92W（tc）
BUK9Y41-80E/GFX	-	RFQ	9871	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
BF904AWR，115	-	RFQ	4937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF904	200MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											1dB			5 v
PUMH2/HE115	0.0300	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BFG520/XR，215	-	RFQ	9105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFG52			300MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	70mA			NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
BC51PAS115	-	RFQ	8256	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PDTC124EK，115	-	RFQ	7515	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC124			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		22 KOHMS	22 KOHMS
AFT05MP075N-54M	514.8700	RFQ	5002	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFT05MP075N-54M			1
PHPT60406NY115	-	RFQ	8266	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,500
MHT1108NT1	-	RFQ	4254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	16-vdfn暴露垫	MHT11	2.45GHz	ldmos		16-DFN （4x6）	下载		3（168））	到达不受影响	935337042515	Ear99	8541.29.0075	1,000			10µA	110 MA	12.5W	18.6dB											-			32 v
PHB96NQ03LT，118	-	RFQ	1908年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
BLF6G20-110,112	-	RFQ	1486	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A		1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20			29a	900 MA	25W	19db											-			28 V
BUK753R1-40B，127	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PMGD175XNE115	1.0000	RFQ	1660年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC846DS	1.0000	RFQ	5637	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PH3530DL115	0.4600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMXB350UPE147	-	RFQ	9685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
MRF1570NT1	-	RFQ	5432	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		底盘安装	TO-272-8	MRF15	470MHz	ldmos		TO-272-8包装	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	935313761528	Ear99	8541.21.0075	500			-	800 MA	70W	11.5db											-			12.5 v
BUK663R5-30C，118	0.4300	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	800
BUK7631-100E，118	0.6100	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	532		n通道					100 v	34A（TC）	10V	31mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	29.4 NC @ 10 V	±20V	1738 PF @ 25 V	-	96W（TC）
MRF7S18170HSR3	-	RFQ	8787	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF7	1.81GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.4 a	50W	17.5db											-			28 V
2PC4617SM，315	-	RFQ	9614	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2PC46			430兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																		50 V	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	270 @ 1mA，6v	100MHz
BUK6C3R3-75C，118	-	RFQ	3614	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					75 v	181a（TC）	10V	3.4mohm @ 90A，10V	2.8V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±16V	15800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BC327-16,112	-	RFQ	3249	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC32			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²