SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PSMN005-55P,127 NXP USA Inc. PSMN005-55P,127 -
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ECAD 7457 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 5.8毫欧@25A,10V 2V@1mA 103nC@5V ±15V 6500pF@25V - 230W(温度)
BCV47,215 NXP USA Inc. BCV47,215 -
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ECAD 2332 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BCV47 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK7514-55A,127 NXP USA Inc. BUK7514-55A,127 -
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ECAD 6366 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛秃75 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 73A(温度) 10V 14毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 25V时为2464pF - 166W(温度)
BC857BW,135 NXP USA Inc. BC857BW,135 0.0200
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ECAD 23 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC857 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000
MRF6VP41KHR6 NXP USA Inc. MRF6VP41KHR6 -
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ECAD 5850 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 110V 安装结构 NI-1230 MRF6 450兆赫 LDMOS NI-1230 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 150毫安 1000W 20分贝 - 50V
PN2222A,412 NXP USA Inc. PN2222A,412 -
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ECAD 5961 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PN22 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 5,000 40V 600毫安 10nA(ICBO) NPN 1V@50mA、500mA 100@150mA,10V 300兆赫
BC846AW135 NXP USA Inc. BC846AW135 0.0200
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ECAD 209 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.21.0075 1
PSMN057-200P,127 NXP USA Inc. PSMN057-200P,127 1.4600
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN0 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
MMRF1009HR5 NXP USA Inc. MMRF1009HR5 594.7988
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ECAD 8031 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 110V 安装结构 SOT-957A MMRF1009 1.03GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 200毫安 500W 19.7分贝 - 50V
BF1100WR,115 NXP USA Inc. BF1100WR,115 -
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ECAD 6703 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 14V 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BF110 800兆赫 场效应晶体管 CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 10毫安 - - 2分贝 9V
MRF7S21210HR3 NXP USA Inc. MRF7S21210HR3 -
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ECAD 5235 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 63W 18.5分贝 - 28V
MRF5S19090HSR3 NXP USA Inc. MRF5S19090HSR3 -
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ECAD 7876 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-780S MRF5 1.93GHz~1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 850毫安 18W 14.5分贝 - 28V
BC807-40W/MI135 NXP USA Inc. BC807-40W/MI135 0.0200
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ECAD 7245 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 10,000
PBSS5140U,135 NXP USA Inc. PBSS5140U,135 0.0500
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ECAD 13 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 350毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 5,793 40V 1A 100纳安 国民党 500mV@100mA,1A 300@100mA,5V 150兆赫
MRFG35010NR5 NXP USA Inc. MRFG35010NR5 -
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ECAD 4367 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 180毫安 9W 10分贝 - 12V
PH6530AL,115 NXP USA Inc. PH6530AL,115 -
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ECAD 6446 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH65 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V - - - - -
MRF8S23120HR3 NXP USA Inc. MRF8S23120HR3 -
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ECAD 5902 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF8 2.3GHz LDMOS NI-780H-2L - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935319465128 EAR99 8541.29.0075 250 - 800毫安 28W 16分贝 - 28V
MRFE6VP5600HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP5600HSR6 -
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ECAD 7384 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 130伏 安装结构 NI-1230-4S MRFE6 230兆赫 LDMOS NI-1230-4S - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 100毫安 600W 25分贝 - 50V
MRF19030LSR5 NXP USA Inc. MRF19030LSR5 -
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ECAD 1502 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-400S MRF19 1.96GHz LDMOS NI-400S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8542.31.0001 50 - 300毫安 30W 13分贝 - 26V
BUK653R5-55C NXP USA Inc. BUK653R5-55C 1.0000
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ECAD 7599 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1
MRF5S9150HR5 NXP USA Inc. MRF5S9150HR5 -
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ECAD 2289 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF5 880兆赫 LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.5安 33W 19.7分贝 - 28V
PMP4501V,115 NXP USA Inc. PMP4501V,115 1.0000
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ECAD 1066 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 项目管理计划4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 4,000
PDTC143XEF,115 NXP USA Inc. PDTC143XEF,115 -
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ECAD 8858 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-89、SOT-490 PDTC143 250毫W SC-89 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@500μA,10mA 50@10mA,5V 4.7欧姆 10欧姆
PH5830DL,115 NXP USA Inc. PH5830DL,115 0.2200
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ECAD 106 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 1
PSMN5R9-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN5R9-30YL,115 -
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ECAD 6195 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PSMN5 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 78A(温度) 4.5V、10V 6.1毫欧@20A,10V 2.15V@1mA 10V时为21.3nC ±20V 1226pF@15V - 63W(温度)
PDTA143EMB,315 NXP USA Inc. PDTA143EMB,315 0.0300
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ECAD 200 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 - 表面贴装 SC-101、SOT-883 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 国民党 150mV@500μA,10mA 30@10mA,5V 180兆赫
PH2230DLS115 NXP USA Inc. PH2230DLS115 0.8000
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ECAD 7 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,500人
MRF6V12250HR3 NXP USA Inc. MRF6V12250HR3 -
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ECAD 1994年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 100伏 安装结构 SOT-957A MRF6 1.03GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 100毫安 275W 20.3分贝 - 50V
MW7IC2020NT1528 NXP USA Inc. MW7IC2020NT1528 -
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ECAD 第1347章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 MW7IC 下载 0000.00.0000 1
BUK7575-100A,127 NXP USA Inc. BUK7575-100A,127 0.3300
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ECAD 10 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 100伏 23A(塔) 75毫欧@13A,10V 4V@1mA ±20V 1210pF@25V - 99W(塔)
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    30,000,000

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    全球制造商

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