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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
PEMD6,115 NXP USA Inc. PEMD6,115 -
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ECAD 8814 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PEMD6 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
PMP5501V,115 NXP USA Inc. PMP5501V,115 -
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ECAD 6787 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 项目管理计划5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 4,000
BC56-10PAS115 NXP USA Inc. BC56-10PAS115 0.0600
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ECAD 54 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK7E1R6-30E,127 NXP USA Inc. BUK7E1R6-30E,127 -
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ECAD 8847 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 30V 120A(温度) 10V 1.6毫欧@25A,10V 4V@1mA 154nC@10V ±20V 11960pF@25V - 349W(温度)
BUK7631-100E,118 NXP USA Inc. BUK7631-100E,118 0.6100
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 第532章 N沟道 100伏 34A(温度) 10V 31mOhm@10A,10V 4V@1mA 10V时为29.4nC ±20V 1738pF@25V - 96W(温度)
BC53-16PA,115 NXP USA Inc. BC53-16PA,115 -
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ECAD 8453 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-PowerUDFN BC53 420毫W 3-休森 (2x2) 下载 0000.00.0000 1 80V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 145兆赫
BSR16/DG/B3215 NXP USA Inc. BSR16/DG/B3215 0.0500
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ECAD 36 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTA123JU,115 NXP USA Inc. PDTA123JU,115 -
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ECAD 5971 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA12 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
2PA1774QM,315 NXP USA Inc. 2PA1774QM,315 -
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ECAD 4407 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 2PA17 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000
MRF6S9125MBR1 NXP USA Inc. MRF6S9125MBR1 -
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ECAD 7183 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V TO-272-4 MRF6 880兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 950毫安 27W 20.2分贝 - 28V
BLF8G10L-160V,118 NXP USA Inc. BLF8G10L-160V,118 -
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ECAD 2946 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 BLF8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934066408118 EAR99 8541.29.0075 100
BCW30,215 NXP USA Inc. BCW30,215 -
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ECAD 6986 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BCW30 250毫W TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 32V 100毫安 100nA(ICBO) 国民党 150mV@2.5mA、50mA 215@2mA,5V 100兆赫兹
PDTC114YS,126 NXP USA Inc. PDTC114YS,126 -
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ECAD 1319 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTC114 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@5mA,5V 10欧姆 47欧姆
PHPT60610NY115 NXP USA Inc. PHPT60610NY115 0.2200
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ECAD 38 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,343
MRFE6VP6300HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HSR5 124.2016
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ECAD 9437 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 130伏 表面贴装 NI-780S-4L MRFE6 230兆赫 LDMOS NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935314385178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 300W 26.5分贝 - 50V
PMGD400UN,115 NXP USA Inc. PMGD400UN,115 -
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ECAD 8557 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PMGD4 MOSFET(金属O化物) 410毫W 6-TSSOP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 30V 第710章 480毫欧@200毫安,4.5伏 1V@250μA 0.89nC@4.5V 43pF@25V 逻辑电平门
BLF4G10LS-120,112 NXP USA Inc. BLF4G10LS-120,112 -
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ECAD 6038 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502B BLF4 920MHz~960MHz LDMOS SOT502B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 20 12A 650毫安 48W 19分贝 - 28V
PSMN4R3-80ES,127 NXP USA Inc. PSMN4R3-80ES,127 1.1900
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ECAD 第540章 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
BUK6C3R3-75C,118 NXP USA Inc. BUK6C3R3-75C,118 -
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ECAD 3614 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) MOSFET(金属O化物) D2PAK-7 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 75V 181A(TC) 10V 3.4毫欧@90A,10V 2.8V@1mA 253nC@10V ±16V 15800pF@25V - 300W(温度)
BUK954R4-40B127 NXP USA Inc. BUK954R4-40B127 0.7200
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 4mOhm@25A,10V 2V@1mA 64nC@5V ±15V 7124pF@25V - 254W(温度)
BUK961R7-40E,118 NXP USA Inc. BUK961R7-40E,118 -
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ECAD 7882 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 40V 120A(温度) 5V、10V 1.5毫欧@25A,10V 2.1V@1mA 105.4nC@5V ±10V 15010pF@25V - 324W(温度)
ON4970,115 NXP USA Inc. ON4970,115 -
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ECAD 4487 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA ON49 - - SC-73 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934042780115 EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
PBLS1504V,115 NXP USA Inc. PBLS1504V,115 -
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ECAD 1164 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PBLS1504 300毫W SOT-666 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 50V、15V 100毫安、500毫安 1μA、100nA 1个NPN预偏置,1个PNP 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V 280兆赫 22k欧姆 22k欧姆
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. AFT09S200W02NR3 -
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ECAD 2548 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 表面贴装 OM-780-2 AF09 960兆赫 LDMOS OM-780-2 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935311675528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 56W 19.2分贝 - 28V
BFU550AR NXP USA Inc. BFU550AR 0.3800
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ECAD 138 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFU550 450毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 18分贝 12V 50毫安 NPN 60@15mA,8V 11GHz 0.6dB@900MHz
PHD108NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHD108NQ03LT,118 -
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ECAD 9462 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士10 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 25V 75A(温度) 5V、10V 6毫欧@25A,10V 2V@1mA 16.3nC@4.5V ±20V 1375pF@12V - 187W(温度)
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. PDTB113ES,126 -
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ECAD 3482 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTB113 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 500毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 33@50mA,5V 1欧姆 1欧姆
PMN22XN,115 NXP USA Inc. PMN22XN,115 -
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ECAD 6116 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞2 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 5.7A(塔) 2.5V、4.5V 27毫欧@5.7A,4.5V 1.5V@250μA 10nC@4.5V ±12V 585pF@15V - 545mW(Ta),6.25W(Tc)
PDTA143XK,115 NXP USA Inc. PDTA143XK,115 -
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ECAD 1945年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA143 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 50@10mA,5V 4.7欧姆 10欧姆
MMRF5018HSR5 NXP USA Inc. MMRF5018HSR5 278.3694
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ECAD 2606 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 125V 表面贴装 NI-400S-2SA 1MHz~2.7GHz - NI-400S-2SA - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 568-MMRF5018HSR5TR EAR99 8541.29.0095 50 - - 125W 17.3分贝 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库