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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN005-55P,127 | - | ![]() | 7457 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | PSMN0 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 55V | 75A(温度) | 4.5V、10V | 5.8毫欧@25A,10V | 2V@1mA | 103nC@5V | ±15V | 6500pF@25V | - | 230W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | BCV47,215 | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BCV47 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7514-55A,127 | - | ![]() | 6366 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | 山毛秃75 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 55V | 73A(温度) | 10V | 14毫欧@25A,10V | 4V@1mA | ±20V | 25V时为2464pF | - | 166W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BW,135 | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BC857 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP41KHR6 | - | ![]() | 5850 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 110V | 安装结构 | NI-1230 | MRF6 | 450兆赫 | LDMOS | NI-1230 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 双重的 | - | 150毫安 | 1000W | 20分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222A,412 | - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | PN22 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 40V | 600毫安 | 10nA(ICBO) | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846AW135 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN057-200P,127 | 1.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PSMN0 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF1009HR5 | 594.7988 | ![]() | 8031 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 110V | 安装结构 | SOT-957A | MMRF1009 | 1.03GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200毫安 | 500W | 19.7分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1100WR,115 | - | ![]() | 6703 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 14V | 表面贴装 | SC-82A、SOT-343 | BF110 | 800兆赫 | 场效应晶体管 | CMPAK-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N 沟道双感应 | 30毫安 | 10毫安 | - | - | 2分贝 | 9V | ||||||||||||||||||||||||
| MRF7S21210HR3 | - | ![]() | 5235 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | SOT-957A | MRF7 | 2.17GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4A | 63W | 18.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S19090HSR3 | - | ![]() | 7876 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | NI-780S | MRF5 | 1.93GHz~1.99GHz | LDMOS | NI-780S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 850毫安 | 18W | 14.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40W/MI135 | 0.0200 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5140U,135 | 0.0500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 350毫W | SOT-323 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,793 | 40V | 1A | 100纳安 | 国民党 | 500mV@100mA,1A | 300@100mA,5V | 150兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35010NR5 | - | ![]() | 4367 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 15V | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT场效应管 | PLD-1.5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180毫安 | 9W | 10分贝 | - | 12V | |||||||||||||||||||||||||||
| PH6530AL,115 | - | ![]() | 6446 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 表面贴装 | SC-100、SOT-669 | PH65 | MOSFET(金属O化物) | LFPAK56,电源-SO8 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | N沟道 | 30V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S23120HR3 | - | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | SOT-957A | MRF8 | 2.3GHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 935319465128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 800毫安 | 28W | 16分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP5600HSR6 | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 130伏 | 安装结构 | NI-1230-4S | MRFE6 | 230兆赫 | LDMOS | NI-1230-4S | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 双重的 | - | 100毫安 | 600W | 25分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF19030LSR5 | - | ![]() | 1502 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | NI-400S | MRF19 | 1.96GHz | LDMOS | NI-400S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 300毫安 | 30W | 13分贝 | - | 26V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK653R5-55C | 1.0000 | ![]() | 7599 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S9150HR5 | - | ![]() | 2289 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 68V | 安装结构 | SOT-957A | MRF5 | 880兆赫 | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.5安 | 33W | 19.7分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP4501V,115 | 1.0000 | ![]() | 1066 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 项目管理计划4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143XEF,115 | - | ![]() | 8858 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | PDTC143 | 250毫W | SC-89 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100毫安 | 1微安 | NPN - 预偏置 | 100mV@500μA,10mA | 50@10mA,5V | 4.7欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PH5830DL,115 | 0.2200 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN5R9-30YL,115 | - | ![]() | 6195 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SC-100、SOT-669 | PSMN5 | MOSFET(金属O化物) | LFPAK56,电源-SO8 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | N沟道 | 30V | 78A(温度) | 4.5V、10V | 6.1毫欧@20A,10V | 2.15V@1mA | 10V时为21.3nC | ±20V | 1226pF@15V | - | 63W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143EMB,315 | 0.0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | - | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | 250毫W | DFN1006B-3 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100毫安 | 1微安 | 国民党 | 150mV@500μA,10mA | 30@10mA,5V | 180兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH2230DLS115 | 0.8000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V12250HR3 | - | ![]() | 1994年 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 100伏 | 安装结构 | SOT-957A | MRF6 | 1.03GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100毫安 | 275W | 20.3分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC2020NT1528 | - | ![]() | 第1347章 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | MW7IC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7575-100A,127 | 0.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 100伏 | 23A(塔) | 75毫欧@13A,10V | 4V@1mA | ±20V | 1210pF@25V | - | 99W(塔) |

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