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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PMV56XN，215	-	RFQ	2112	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV5		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	3.76A（TC）	2.5V，4.5V	85MOHM @ 3.6A，4.5V	650mv @ 1mA （最小）	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	230 pf @ 10 V	-	1.92W（TC）
ON5258215	0.2200	RFQ	696	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	3,000
ON5450,518	-	RFQ	2493	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5450	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288032518	Ear99	8541.29.0095	600	-		-		-	-											-
BUK9Y3R0-40E/CX	-	RFQ	6430	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
PMMT591A，215	-	RFQ	7320	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMMT5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMN34LN，135	-	RFQ	2284	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN3		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	5.7A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 2.5a，10v	2V @ 1mA	13.1 NC @ 10 V	±15V	500 pf @ 20 V	-	1.75W（TC）
PEMH11,315	-	RFQ	4717	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH11			300MW	SOT-666	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50V	100mA		1µA	2 NPN- 预偏（双重）	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	-	10KOHMS	10KOHMS
BUK9E3R7-60E，127	-	RFQ	6212	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	120A（TC）	5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（TC）
BC638,126	-	RFQ	8083	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC63			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	100MHz
BUK969R0-60E，118	-	RFQ	8852	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	75A（TC）	5V	8mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	29.8 NC @ 5 V	±10V	4350 pf @ 25 V	-	137W（TC）
MRFE8VP8600HR5	154.7816	RFQ	5941	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					MRFE8					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318365178	Ear99	8541.29.0095	50
PBSS4260PAN	1.0000	RFQ	4486	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PSMN8R5-100XSQ	-	RFQ	4908	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49a（TJ）	10V	8.5mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	5512 PF @ 50 V	-	55W（TC）
BCW70,235	0.0300	RFQ	30	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW70					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
MRFE6VP61K25GNR6	195.5361	RFQ	8842	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	OM-1230G-4L	MRFE6	230MHz	ldmos		OM-1230G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315986528	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	1250W	23dB											-			50 V
BUK6C2R1-55C，118-nx	-	RFQ	1965年	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	228a（TC）	10V	2.3MOHM @ 90A，10V	2.8V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±16V	16000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PUMD48,125	-	RFQ	3841	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMD48					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF6VP21KHR5	883.3100	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	1000W	24dB											-			50 V
2PA1015Y，126	-	RFQ	1960年	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PA10			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	150 ma		100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
ON5223,118	-	RFQ	6876	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934056465118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
2N7000,126	-	RFQ	8714	NXP USA Inc.	Trenchmos™	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N70		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					60 V	300mA（TC）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±30V	40 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
PBSS9110D/S911115	0.0800	RFQ	51	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMV170UN，215	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	165mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	1.65 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	325MW（TA），1.14W（tc）
BUK9Y12-55B，115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	61.8A（TC）	5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.15V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±15V	2880 pf @ 25 V	-	106W（TC）
2PA1774QM，315	-	RFQ	4407	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA17					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
PH2230DLS115	0.8000	RFQ	7	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,500
PDTC144EQA147	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
But11apx，127	-	RFQ	2146	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	But11			32 W	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																		450 v	5 a		1ma	NPN	1.5V @ 600mA，3a	14 @ 500mA，5V	-
MRF372R5	-	RFQ	3144	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	857MHz〜863MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			17a	800 MA	180W	17dB											-			32 v
MRF5P20180HR5	-	RFQ	1260	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-1230	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	38W	14dB											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²