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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f)
ON5089,115 NXP USA Inc. ON5089,115 0.3200
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-343F ON50 4-DFP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
2N3904,412 NXP USA Inc. 2N3904,412 -
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ECAD 9623 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2N39 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 40V 200毫安 50nA(ICBO) NPN 200毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 300兆赫
PHD18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHD18NQ10T,118 -
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ECAD 5266 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士18 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 934055700118 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100伏 18A(温度) 10V 90毫欧@9A,10V 4V@1mA 21nC@10V ±20V 633pF@25V - 79W(温度)
PEMH10,115 NXP USA Inc. PEMH10,115 -
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ECAD 3415 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PEMH1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
MHT1801A NXP USA Inc. MHT1801A 1.1400
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ECAD 9 0.00000000 恩智浦 * 大部分 不适合新设计 - 不适用 供应商未定义 可根据要求提供REACH信息 2832-MHT1801A EAR99 1
PVR100AZ-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B3V0,115 -
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ECAD 2613 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 个人录像10 550毫W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
BC327-25,112 NXP USA Inc. BC327-25,112 -
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ECAD 9269 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC32 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 80兆赫
PSMN8R5-100PS127 NXP USA Inc. PSMN8R5-100PS127 -
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ECAD 7000 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
MPSA42,126 NXP USA Inc. MPSA42,126 -
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ECAD 8225 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 MPSA42 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 300伏 100毫安 100nA(ICBO) NPN 500mV@2mA、20mA 40@30mA,10V 50兆赫
MHT1108NT1 NXP USA Inc. MHT1108NT1 -
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ECAD 4254 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 MHT11 2.45GHz LDMOS 16-DFN (4x6) 下载 3(168小时) REACH 不出行 935337042515 EAR99 8541.29.0075 1,000 10微安 110毫安 12.5W 18.6分贝 - 32V
BUK7K5R6-30E,115 NXP USA Inc. BUK7K5R6-30E,115 -
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ECAD 6100 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛凹7K5 MOSFET(金属O化物) 64W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 30V 40A 5.6毫欧@25A,10V 4V@1mA 29.7nC@10V 1969pF@25V -
BUK9514-55A,127 NXP USA Inc. BUK9514-55A,127 0.4000
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ECAD 7 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 55V 73A(温度) 4.5V、10V 13毫欧@25A,10V 2V@1mA ±10V 3307pF@25V - 149W(温度)
BSR16,215 NXP USA Inc. BSR16,215 -
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ECAD 8277 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BSR1 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BFG520W,115 NXP USA Inc. BFG520W,115 -
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ECAD 1947年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 SOT-343 反向引脚 BFG52 500毫W 4-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 - 15V 70毫安 NPN 60@20mA,6V 9GHz 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
BLS3135-10,114 NXP USA Inc. BLS3135-10,114 -
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ECAD 2116 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 200°C(太焦) 表面贴装 SOT-445C BLS3 34W CDFM2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 4 9分贝 75V 1.5A NPN 40@250mA,5V 3.5GHz -
BC337-40,116 NXP USA Inc. BC337-40,116 -
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ECAD 2291 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC33 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 250@100mA,1V 100兆赫兹
BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK661R8-30C,118 1.1300
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 120A(温度) 4.5V、10V 1.9毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 168nC@10V ±16V 10918pF@25V - 263W(温度)
BSS138BKW-B115 NXP USA Inc. BSS138BKW-B115 0.0300
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ECAD 9273 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1,899
BUK9Y41-80E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y41-80E/GFX -
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ECAD 9871 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 布克9 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1,500人
BUK654R0-75C,127 NXP USA Inc. BUK654R0-75C,127 -
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ECAD 8242 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹65 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 120A(温度) 4.5V、10V 4.2毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 234nC@10V ±16V 15450pF@25V - 306W(温度)
BF422,116 NXP USA Inc. BF422,116 -
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ECAD 8206 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF422 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 250伏 50毫安 10nA(ICBO) NPN 600mV@5mA、30mA 50@25mA,20V 60兆赫
BC875,126 NXP USA Inc. BC875,126 -
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ECAD 第1437章 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC87 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 1A 50纳安 NPN-达林顿 1.8V@1mA、1A 2000@500mA,10V 200兆赫
MZ0912B50Y,114 NXP USA Inc. MZ0912B50Y,114 -
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ECAD 7912 0.00000000 恩智浦 * 托盘 的积极 MZ091 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 32
2PB1219AR/ZLX NXP USA Inc. 2PB1219AR/ZLX -
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ECAD 3503 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-70、SOT-323 2PB12 SC-70 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069197115 过时的 0000.00.0000 10,000
BC856A,215 NXP USA Inc. BC856A,215 0.0200
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ECAD 707 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC856 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK9Y12-40E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y12-40E/GFX -
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ECAD 8308 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 布克9 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1,500人
BFU590Q115 NXP USA Inc. BFU590Q115 0.5000
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ECAD 106 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,000
BLF4G22LS-130,112 NXP USA Inc. BLF4G22LS-130,112 -
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ECAD 6514 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502B BLF4 2.11GHz~2.17GHz LDMOS SOT502B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 60 15A 1.15安 33W 13.5分贝 - 28V
BUK765R2-40B,118 NXP USA Inc. BUK765R2-40B,118 0.7900
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ECAD 13 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 第379章 N沟道 40V 75A(温度) 10V 5.2毫欧@25A,10V 4V@1mA 52nC@10V ±20V 3789pF@25V - 203W(温度)
BF550,215 NXP USA Inc. BF550,215 -
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ECAD 6379 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BF550 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库