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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电压 - 测试 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电阻 - RDS(On) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK9226-75A/C1,118 | 1.0000 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56PAS115 | - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-10PAS115 | - | ![]() | 2782 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60610PYX | - | ![]() | 9450 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 175°C(太焦) | 表面贴装 | SC-100、SOT-669 | PHPT60610 | 1.5W | LFPAK56,电源-SO8 | 下载 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 10A | 100纳安 | 国民党 | 470mV@1A、10A | 120@500mA,2V | 85兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN70XPE,115 | 0.0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | MOSFET(金属O化物) | 6-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | P沟道 | 20V | 3.2A(塔) | 2.5V、4.5V | 85毫欧@2A,4.5V | 1.25V@250μA | 7.8nC@4.5V | ±12V | 602pF@10V | - | 500mW(Ta),6.25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4403YS115 | 1.0000 | ![]() | 8445 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9200HSR3 | - | ![]() | 第1422章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 66伏 | 表面贴装 | NI-880S | MRFE6 | 880兆赫 | LDMOS | NI-880S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4A | 58W | 21分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R8-120PSQ | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK | 下载 | EAR99 | 8541.29.0095 | 177 | N沟道 | 120V | 70A(温度) | 10V | 7.9毫欧@25A,10V | 4V@1mA | 167nC@10V | ±20V | 9473pF@60V | - | 349W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T20H160W04NR3 | - | ![]() | 8702 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | OM780-4 | A2T20 | 1.88GHz~2.025GHz | LDMOS | OM780-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 935313076528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | 10微安 | 400毫安 | 200W | 17分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP5600HSR6 | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 130伏 | 安装结构 | NI-1230-4S | MRFE6 | 230兆赫 | LDMOS | NI-1230-4S | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 双重的 | - | 100毫安 | 600W | 25分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9220HSR3 | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 70V | 安装结构 | NI-780S | MRF8 | 960兆赫 | LDMOS | NI-780S | - | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 935310477128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6安 | 65W | 19.4分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG590/X,215 | - | ![]() | 4324 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 175°C(太焦) | 表面贴装 | TO-253-4、TO-253AA | BFG59 | 400毫W | SOT-143B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 15V | 200毫安 | NPN | 60@70mA,8V | 5GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF19030LSR5 | - | ![]() | 1502 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | NI-400S | MRF19 | 1.96GHz | LDMOS | NI-400S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 300毫安 | 30W | 13分贝 | - | 26V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD143XT215 | 0.0300 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,030 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21090HR5 | - | ![]() | 4248 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | SOT-957A | MRF5 | 2.11GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 850毫安 | 19W | 14.5分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMSTA3904,135 | - | ![]() | 6870 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | PMSTA3904 | 200毫W | SC-70 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934061808135 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40V | 200毫安 | 50nA(ICBO) | NPN | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 100@10mA,1V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS3904,126 | - | ![]() | 1991年 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | MPS39 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40V | 100毫安 | 50nA(ICBO) | NPN | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 100@10mA,1V | 180兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6510-75C,127 | - | ![]() | 4920 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | 山毛凹65 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 75V | 77A(温度) | 4.5V、10V | 10.4毫欧@25A,10V | 2.8V@1mA | 10V时为81nC | ±16V | 5251pF@25V | - | 158W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6213-30C,118 | - | ![]() | 1984年 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 山毛凹62 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS3515M,315 | 0.0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PBSS3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5441518 | 0.7300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLS2731-10,114 | - | ![]() | 9526 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 托盘 | 过时的 | 200°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-445C | BLS2 | 145W | CDFM2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | 10分贝 | 75V | 1.5A | NPN | 40@250mA,5V | 3.1GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CW/ZL115 | 0.0300 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PVR100AZ-B5V0,115 | - | ![]() | 8512 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | 个人录像10 | 550毫W | SC-73 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN + 齐纳二极管 | - | 160@100mA,1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856T,115 | - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | BC856 | 150毫W | SC-75 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 400毫伏@5毫安、100毫安 | 125@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP75NQ08T,127 | - | ![]() | 6949 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | PHP75 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 75V | 75A(温度) | 10V | 13毫欧@25A,10V | 4V@1mA | 40nC@10V | ±20V | 1985pF@25V | - | 157W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP18NQ10T,127 | 0.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PHP18 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBFJ309,215 | - | ![]() | 7304 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | PMBFJ3 | 250毫W | SOT-23 (TO-236AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N沟道 | 25V | 5pF@10V | 25V | 12毫安@10伏 | 1V@1μA | 50欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19200HSR3 | - | ![]() | 7164 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 66伏 | 安装结构 | NI-780S | MRF6 | 1.93GHz~1.99GHz | LDMOS | NI-780S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6安 | 56W | 17.9分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB123YK,115 | - | ![]() | 7325 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | PDTB123 | 250毫W | SMT3;帕金克 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 500毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 70@50mA,5V | 2.2欧姆 | 10欧姆 |

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