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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
BUK7105-40AIE，118	1.2300	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BUK71					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
PHP193NQ06T，127	-	RFQ	9255	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	85.6 NC @ 10 V	±20V	5082 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MRF6V2300NR1	-	RFQ	7766	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	900 MA	300W	25.5db											-			50 V
MHT1001HR5	-	RFQ	5861	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-979A	MHT1001	2.39GHz	ldmos		NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935325901178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	1.9 a	40W	14dB											-			28 V
PBSS305PZ，135	0.2100	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000
PSMN8R5-108ESQ	-	RFQ	4797	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN8		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					108 v	100A（TJ）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	111 NC @ 10 V	±20V	5512 PF @ 50 V	-	263W（TC）
MRF6P9220HR5	-	RFQ	3500	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF6	880MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	47W	20dB											-			28 V
PHP21N06T，127	-	RFQ	7939	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP21		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	21a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	69W（TC）
2PB709ART，235	0.0200	RFQ	7556	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2pb70					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000
PSMN017-30BL118	-	RFQ	9646	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	1
BF422,116	-	RFQ	8206	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF422			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		250 v	50 mA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
BUK9609-75A，118	1.5200	RFQ	760	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	198		n通道					75 v	75A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	8840 pf @ 25 V	-	230W（TC）
MRFE6VP61K25NR6	182.7500	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	OM-1230-4L	MRFE6	230MHz	ldmos		OM-1230-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	1250W	23dB											-			50 V
PHK5NQ15T518	-	RFQ	1420	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					150 v	5A（TC）	5V，10V	75MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	6.25W（TC）
MRF8S9220HSR3	-	RFQ	2652	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-780	MRF8	960MHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310477128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.6 a	65W	19.4dB											-			28 V
A2T09VD250NR1	47.5929	RFQ	2461	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	TO-270-6变体，平面线	A2T09	920MHz	ldmos		TO-270WB-6A	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320819528	Ear99	8541.29.0075	500	双重的		-	1 a	65W	22.5dB											-			48 v
BF1105,215	-	RFQ	6128	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF110	800MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA		-	20dB											1.7dB			5 v
PDTA144TS，126	-	RFQ	9267	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA144			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		47科姆斯
BUK9516-55A，127	-	RFQ	9062	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	66A（TC）	5V，10V	15mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3085 pf @ 25 V	-	138W（TC）
PMV32UP/MI215	1.0000	RFQ	9934	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMST5401,135	-	RFQ	8793	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMST5			200兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																		150 v	300 MA		50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
MRFE6S9200H5	-	RFQ	5094	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	SOT-957A	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	58W	21dB											-			28 V
PSMN2R9-25YLC，115	-	RFQ	7671	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
PHD98N03LT，118	-	RFQ	9496	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD98		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	40 NC @ 5 V	±20V	3000 pf @ 20 V	-	111W（TC）
PSMN6R0-30YLB，115	1.0000	RFQ	8064	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	71A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	1.95V @ 1mA	19 nc @ 10 V	±20V	1088 pf @ 15 V	-	58W（TC）
PHM30NQ10T，518	-	RFQ	3144	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PHM30		MOSFET （金属 o化物）		8-hvson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	37.6A（TC）	10V	20mohm @ 18a，10v	4V @ 1mA	53.7 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
PH4030AL115	0.0800	RFQ	7571	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000		n通道					30 V	100A（TC）		4mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	36.6 NC @ 10 V		2090 pf @ 12 V	-	-
MMRF5017HS-1GHZ	-	RFQ	5591	NXP USA Inc.	*	托盘	在sic中停产					MMRF5017					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
BUK9640-100A，118	-	RFQ	8854	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
MRF6S9045NR1	-	RFQ	6948	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AA	MRF6	880MHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	350 MA	10W	22.7dB											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²