SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
BUK9226-75A/C1,118 NXP USA Inc. BUK9226-75A/C1,118 1.0000
询价
ECAD 4294 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
BC56PAS115 NXP USA Inc. BC56PAS115 -
询价
ECAD 8724 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC53-10PAS115 NXP USA Inc. BC53-10PAS115 -
询价
ECAD 2782 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PHPT60610PYX NXP USA Inc. PHPT60610PYX -
询价
ECAD 9450 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PHPT60610 1.5W LFPAK56,电源-SO8 下载 EAR99 8541.29.0075 1 60V 10A 100纳安 国民党 470mV@1A、10A 120@500mA,2V 85兆赫
PMN70XPE,115 NXP USA Inc. PMN70XPE,115 0.0600
询价
ECAD 50 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 3,000 P沟道 20V 3.2A(塔) 2.5V、4.5V 85毫欧@2A,4.5V 1.25V@250μA 7.8nC@4.5V ±12V 602pF@10V - 500mW(Ta),6.25W(Tc)
PMBT4403YS115 NXP USA Inc. PMBT4403YS115 1.0000
询价
ECAD 8445 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 3,000
MRFE6S9200HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9200HSR3 -
询价
ECAD 第1422章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 表面贴装 NI-880S MRFE6 880兆赫 LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 58W 21分贝 - 28V
PSMN7R8-120PSQ NXP USA Inc. PSMN7R8-120PSQ -
询价
ECAD 2412 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 177 N沟道 120V 70A(温度) 10V 7.9毫欧@25A,10V 4V@1mA 167nC@10V ±20V 9473pF@60V - 349W(温度)
A2T20H160W04NR3 NXP USA Inc. A2T20H160W04NR3 -
询价
ECAD 8702 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V OM780-4 A2T20 1.88GHz~2.025GHz LDMOS OM780-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935313076528 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 10微安 400毫安 200W 17分贝 - 28V
MRFE6VP5600HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP5600HSR6 -
询价
ECAD 7384 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 130伏 安装结构 NI-1230-4S MRFE6 230兆赫 LDMOS NI-1230-4S - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 100毫安 600W 25分贝 - 50V
MRF8S9220HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HSR3 -
询价
ECAD 2652 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-780S MRF8 960兆赫 LDMOS NI-780S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935310477128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6安 65W 19.4分贝 - 28V
BFG590/X,215 NXP USA Inc. BFG590/X,215 -
询价
ECAD 4324 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFG59 400毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 200毫安 NPN 60@70mA,8V 5GHz -
MRF19030LSR5 NXP USA Inc. MRF19030LSR5 -
询价
ECAD 1502 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-400S MRF19 1.96GHz LDMOS NI-400S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8542.31.0001 50 - 300毫安 30W 13分贝 - 26V
PDTD143XT215 NXP USA Inc. PDTD143XT215 0.0300
询价
ECAD 3377 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 8,030
MRF5S21090HR5 NXP USA Inc. MRF5S21090HR5 -
询价
ECAD 4248 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF5 2.11GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 - 850毫安 19W 14.5分贝 - 28V
PMSTA3904,135 NXP USA Inc. PMSTA3904,135 -
询价
ECAD 6870 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PMSTA3904 200毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934061808135 EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 200毫安 50nA(ICBO) NPN 300毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 300兆赫
MPS3904,126 NXP USA Inc. MPS3904,126 -
询价
ECAD 1991年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 MPS39 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 40V 100毫安 50nA(ICBO) NPN 300毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 180兆赫
BUK6510-75C,127 NXP USA Inc. BUK6510-75C,127 -
询价
ECAD 4920 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹65 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 77A(温度) 4.5V、10V 10.4毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 10V时为81nC ±16V 5251pF@25V - 158W(温度)
BUK6213-30C,118 NXP USA Inc. BUK6213-30C,118 -
询价
ECAD 1984年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛凹62 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 2,500人
PBSS3515M,315 NXP USA Inc. PBSS3515M,315 0.0400
询价
ECAD 20 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000
ON5441518 NXP USA Inc. ON5441518 0.7300
询价
ECAD 32 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,000
BLS2731-10,114 NXP USA Inc. BLS2731-10,114 -
询价
ECAD 9526 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 200°C(太焦) 表面贴装 SOT-445C BLS2 145W CDFM2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 4 10分贝 75V 1.5A NPN 40@250mA,5V 3.1GHz -
BC847CW/ZL115 NXP USA Inc. BC847CW/ZL115 0.0300
询价
ECAD 180 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PVR100AZ-B5V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B5V0,115 -
询价
ECAD 8512 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 个人录像10 550毫W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
BC856T,115 NXP USA Inc. BC856T,115 -
询价
ECAD 1611 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 BC856 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 400毫伏@5毫安、100毫安 125@2mA,5V 100兆赫兹
PHP75NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP75NQ08T,127 -
询价
ECAD 6949 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP75 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 75A(温度) 10V 13毫欧@25A,10V 4V@1mA 40nC@10V ±20V 1985pF@25V - 157W(温度)
PHP18NQ10T,127 NXP USA Inc. PHP18NQ10T,127 0.6000
询价
ECAD 4 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PHP18 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
PMBFJ309,215 NXP USA Inc. PMBFJ309,215 -
询价
ECAD 7304 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMBFJ3 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 25V 5pF@10V 25V 12毫安@10伏 1V@1μA 50欧姆
MRF6S19200HSR3 NXP USA Inc. MRF6S19200HSR3 -
询价
ECAD 7164 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 安装结构 NI-780S MRF6 1.93GHz~1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6安 56W 17.9分贝 - 28V
PDTB123YK,115 NXP USA Inc. PDTB123YK,115 -
询价
ECAD 7325 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTB123 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 70@50mA,5V 2.2欧姆 10欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库