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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PHT8N06LT，135	-	RFQ	1176	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT8		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	3.5A（ta）	5V	80mohm @ 5A，5V	2V @ 1mA	11.2 NC @ 5 V	±13V	650 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），8.3W（TC）
BC856T，115	-	RFQ	1611	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC856			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		65 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	400mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BC859CW/ZL115	0.0200	RFQ	280	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMN34LN，135	-	RFQ	2284	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN3		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	5.7A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 2.5a，10v	2V @ 1mA	13.1 NC @ 10 V	±15V	500 pf @ 20 V	-	1.75W（TC）
A2T27S007NT1	-	RFQ	7529	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	28 V		表面安装	16-vdfn暴露垫	A2T27	728MHz〜3.6GHz	ldmos		16-DFN （4x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-		28.8dbm	-											-
PSMN057-200B，118	-	RFQ	3831	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
MRF8S26120HR3	-	RFQ	4807	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	2.69GHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935324359128	Ear99	8541.29.0075	250			-	900 MA	28W	15.6dB											-			28 V
BSS138BKW-B115	0.0300	RFQ	9273	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1,899
MRFE6S9060GNR1	35.5106	RFQ	7979	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	66 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310336528	Ear99	8541.29.0075	500			-	450 MA	14W	21.1db											-			28 V
BLF6G10LS-135RN112	76.1800	RFQ	92	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	4
PHP110NQ08T，127	-	RFQ	4764	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP11		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	113.1 NC @ 10 V	±20V	4860 pf @ 25 V	-	230W（TC）
MRF5S9150HSR3	-	RFQ	4217	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.5 a	33W	19.7db											-			28 V
BF1211,215	-	RFQ	2570	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF121	400MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	15 ma	-	29dB											0.9dB			5 v
PDTB114EU135	-	RFQ	2077	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BC847CQAZ	0.0300	RFQ	84	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				280兆	DFN1010D-3	下载					Ear99	8541.21.0075	9,947																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
PDTD113ES，126	-	RFQ	9705	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTD113			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	500 MA		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V		1 kohms	1 kohms
BC817-16W，135	0.0200	RFQ	40	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BUK6E2R0-30C127	0.9100	RFQ	4	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	229 NC @ 10 V	±16V	14964 PF @ 25 V	-	306W（TC）
BFU590Q115	0.5000	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
BC557B，116	-	RFQ	9390	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC55			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PMN23Un，165	-	RFQ	1948年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	6.3a（TC）	1.8V，4.5V	28mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.6 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）
PSMN3R7-25YLC，115	-	RFQ	7551	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN3		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	97A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.95V @ 1mA	21.6 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 12 V	-	64W（TC）
PHP14NQ20T，127	-	RFQ	8953	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP14		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	14A（TC）	10V	230MOHM @ 7A，10V	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BUK7214-75B，118	-	RFQ	9154	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk72					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
BUK661R8-30C，118	1.1300	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	168 NC @ 10 V	±16V	10918 PF @ 25 V	-	263W（TC）
PHW80NQ10T，127	-	RFQ	9408	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PHW80		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	109 NC @ 10 V	±20V	4720 PF @ 25 V	-	263W（TC）
PMBT222222ARES115	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT2222					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
PDTC114YS，126	-	RFQ	1319	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTC114			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V		10 kohms	47科姆斯
PMDPB30XN/S711115	-	RFQ	5269	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PDTD113EQA147	-	RFQ	1306	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²