晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试	晶体管类型
PSMN8R5-108ESQ127	-	询价	8802	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	330
PMD4002K,115	-	询价	6984	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		感应驱动器	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMD40			SMT3；帕金克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000			600毫安																NPN + 基极-发射极
A2T18H455W23NR6	-	询价	3983	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	OM-1230-4L2S	A2T18	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	OM-1230-4L2S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935318707564	EAR99	8541.29.0075	150			10微安	1.08A	56分贝	14.5分贝											-	31.5V
BCX56-16147	-	询价	3894	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
BLP8G10S-45PJ	-	询价	7922	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V			表面贴装	SOT-1223-1	BLP8	952.5MHz～957.5MHz	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934067371118	EAR99	8541.29.0095	100	双重的		-	第224章	2.5W	20.8分贝											-	28V
PSMN009-100W,127	-	询价	3887	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-3	PSMN0		MOSFET（金属O化物）	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					100伏	100A（温度）	10V	9毫欧@25A，10V	4V@1mA	214nC@10V	±20V	9000pF@25V	-	300W（温度）
BUK9E1R8-40E,127	-	询价	3772	恩智浦	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	山毛洼9E1R8		MOSFET（金属O化物）	I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066586127	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	120A（温度）	5V、10V	1.7毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	120nC@5V	±10V	16400pF@25V	-	349W（温度）
ON5239,135	-	询价	2729	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	ON52	-	-	SC-73	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056911135	EAR99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
MRF18085BLR3	-	询价	2443	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V				NI-780	MRF18	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	800毫安	90W	12.5分贝											-	26V
J3E082EUA/S0BE503V	-	询价	3758	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的						J3E0				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人
MMRF5016HSR5	-	询价	7750	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	48V			表面贴装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz～2.2GHz	HEMT	NI-400S-2S	-		1（无限制）	REACH 不出行	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-		32W	-											-
MRF21045LSR3	-	询价	7349	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-400S	MRF21	2.17GHz	LDMOS	NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250			-	500毫安	10W	15分贝											-	28V
MRF5S21130HSR5	-	询价	8762	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			表面贴装	NI-880S	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	1.2A	28W	13.5分贝											-	28V
MMRF1024HSR5	-	询价	3737	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-1230-4LS2L	MMRF1024	2.5GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935316174178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的		-	700毫安	50W	14.1分贝											-	28V
BF904AWR,115	-	询价	4937	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V			表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF904	200兆赫	场效应管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	10毫安	-	-											1分贝	5V
PMF63UN,115	-	询价	8604	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	SC-70、SOT-323	PMF63		MOSFET（金属O化物）	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					20V	1.8A（塔）	1.8V、4.5V	74毫欧@1.8A，4.5V	1V@250μA	3.3nC@4.5V	±8V	185pF@10V	-	275mW（Ta），1.785W（Tc）
PHD16N03LT,118	-	询价	5240	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	博士16		MOSFET（金属O化物）	DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					30V	16A（温度）	4.5V、10V	67毫欧@16A，10V	2V@1mA	10V时为8.5nC	±15V	210pF@30V	-	32.6W（温度）
BSN304,126	-	询价	9918	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BSN3		MOSFET（金属O化物）	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					300伏	300mA（塔）	2.4V、10V	6欧姆@250mA，10V	2V@1mA		±20V	120pF@25V	-	1W（塔）
BUK6C2R1-55C,118-NX	-	询价	1965年	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）	D2PAK-7	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					55V	228A（TC）	10V	2.3毫欧@90A，10V	2.8V@1mA	253nC@10V	±16V	16000pF@25V	-	300W（温度）
A2V09H525-04NR6	110.3487	询价	3941	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V			表面贴装	OM-1230-4L	A2V09	720MHz～960MHz	LDMOS	OM-1230-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935330045528	EAR99	8541.29.0075	150			10微安	第688章	120W	18.9分贝											-	48V
MRF6V2300NR5578	-	询价	2038	恩智浦	*	大部分	的积极						MRF6V2300		-		下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1															-
PDTB123YU115	0.0300	询价	75	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BC807-40/S500215	-	询价	4227	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PHB45NQ10T,118	-	询价	5158	恩智浦	*	大部分	的积极						PHB45				下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
PSMN015-110P,127	-	询价	5936	恩智浦	*	大部分	的积极						PSMN0				下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
MRF7S19080HSR3	-	询价	6781	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935319237128	EAR99	8541.29.0075	250			-	750毫安	24W	18分贝											-	28V
BUK9E2R3-40E,127	-	询价	1962年	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	布克9		MOSFET（金属O化物）	I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	120A（温度）	5V、10V	2.2毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	87.8nC@5V	±10V	13160pF@25V	-	293W（温度）
PHB18NQ10T,118	0.4500	询价	1	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）	D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	第727章		N沟道					100伏	18A（温度）	10V	90毫欧@9A，10V	4V@1mA	21nC@10V	±20V	633pF@25V	-	79W（温度）
MRFE6S9060GNR1	35.5106	询价	7979	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	66伏			表面贴装	TO-270BB	MRFE6	880兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310336528	EAR99	8541.29.0075	500			-	450毫安	14W	21.1分贝											-	28V
PDTD113ZU115	0.0400	询价	1867年	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	5,340

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²