SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
MRFG35020AR1 NXP USA Inc. MRFG35020AR1 -
RFQ
ECAD 8870 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v 底盘安装 NI-360 MRFG35 3.5GHz Phemt fet NI-360 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 300 MA 2W 11.5db - 12 v
BFU730F,115 NXP USA Inc. BFU730F,115 0.6700
RFQ
ECAD 89 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-343F BFU730 197MW 4-DFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 2.8V 30mA NPN 205 @ 2mA,2V 55GHz 0.8db〜1.3dB @ 5.8GHz〜12GHz
BUK753R1-40B,127 NXP USA Inc. BUK753R1-40B,127 -
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 10V 3.1MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 6808 PF @ 25 V - 300W(TC)
MMRF1304LR5 NXP USA Inc. MMRF1304LR5 -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 133 v 底盘安装 NI-360 MMRF1 512MHz ldmos NI-360 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935311475178 Ear99 8541.29.0075 50 - 10 MA 25W 25.9db - 50 V
PEMB1,115 NXP USA Inc. PEMB1,115 0.0400
RFQ
ECAD 62 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 PEMB1 300MW SOT-666 下载 Ear99 8541.21.0095 1 50V 100mA 1µA 2 PNP-) 150MV @ 500µA,10mA 60 @ 5mA,5v - 22KOHMS 22KOHMS
PBSS4120T/S500,215 NXP USA Inc. PBSS4120T/S500,215 -
RFQ
ECAD 3055 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PBSS4 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
MMRF5018HSR5 NXP USA Inc. MMRF5018HSR5 278.3694
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125 v 表面安装 NI-400S-2SA 1MHz〜2.7GHz - NI-400S-2SA - rohs3符合条件 到达不受影响 568-MMRF5018HSR5TR Ear99 8541.29.0095 50 - - 125W 17.3db -
BUK6C2R1-55C,118-NX NXP USA Inc. BUK6C2R1-55C,118-nx -
RFQ
ECAD 1965年 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 55 v 228a(TC) 10V 2.3MOHM @ 90A,10V 2.8V @ 1mA 253 NC @ 10 V ±16V 16000 PF @ 25 V - 300W(TC)
MRF373ALR1 NXP USA Inc. MRF373ALR1 -
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-360 MRF37 860MHz ldmos NI-360 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 200 ma 75W 18.2db - 32 v
MRFE6VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HSR5 -
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 130 v 底盘安装 NI-1230S MRFE6 860MHz ldmos NI-1230S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4 a 125W 19.3db - 50 V
PDTA114EE,115 NXP USA Inc. PDTA114EE,115 -
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA114 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 180 MHz 10 kohms 10 kohms
MRFE6S9200HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9200HSR3 -
RFQ
ECAD 1422 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 表面安装 NI-880S MRFE6 880MHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 58W 21dB - 28 V
2PA1774SMB,315 NXP USA Inc. 2PA1774SMB,315 0.0600
RFQ
ECAD 127 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 250兆 DFN1006-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 40 V 100 ma 100NA(ICBO) PNP 200mv @ 5mA,50mA 270 @ 1mA,6v 100MHz
MRF6S9045NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9045NBR1 -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 TO-272BC MRF6 880MHz ldmos TO-272-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 350 MA 10W 22.7dB - 28 V
PSMN4R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN4R6-100XS,127 -
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN4 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 70.4A(TC) 10V 4.6mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 153 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 50 V - 63.8W(TC)
2PA1015Y,126 NXP USA Inc. 2PA1015Y,126 -
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PA10 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
MRF7S38040HR5 NXP USA Inc. MRF7S38040HR5 -
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400-240 MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-400-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 450 MA 8W 14dB - 30 V
PMBT2907A/MIGVL NXP USA Inc. PMBT2907A/MIGVL -
RFQ
ECAD 5597 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 PMBT2907 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934068471235 Ear99 8541.29.0095 3,000
MRF6S19200HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19200HSR5 -
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 NI-780 MRF6 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.6 a 56W 17.9db - 28 V
PDTA144VK,115 NXP USA Inc. PDTA144VK,115 -
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA144 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 40 @ 5mA,5V 47科姆斯 10 kohms
BLF888D112 NXP USA Inc. BLF888D112 250.9600
RFQ
ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
PBSS5240V,115 NXP USA Inc. PBSS5240V,115 -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000
PMST3904,135 NXP USA Inc. PMST3904,135 -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMST3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
BUK9Y59-60E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y59-60E/GFX -
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk9 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500
PDTA143XE,115 NXP USA Inc. PDTA143XE,115 -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 50 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 10 kohms
BC69-16PASX NXP USA Inc. BC69-16PASX 0.0700
RFQ
ECAD 63 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-udfn裸露的垫子 420兆W DFN2020d-3 下载 Ear99 8541.29.0075 1 20 v 2 a 100NA(ICBO) PNP 600mv @ 200mA,2a 85 @ 500mA,1V 140MHz
BUK958R5-40E,127 NXP USA Inc. BUK958R5-40E,127 -
RFQ
ECAD 3037 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 5V,10V 6.6mohm @ 20a,10v 2.1V @ 1mA 20.9 NC @ 5 V ±10V 2600 PF @ 25 V - 96W(TC)
BCW60B,215 NXP USA Inc. BCW60B,215 0.0300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCW60 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
MMRF1310HR5 NXP USA Inc. MMRF1310HR5 115.0100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 底盘安装 NI-780-4 MMRF1310 230MHz ldmos NI-780-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 100 ma 300W 26.5db - 50 V
BF820,215 NXP USA Inc. BF820,215 -
RFQ
ECAD 1747年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BF820 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库