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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
BUK9535-55A127 NXP USA Inc. BUK9535-55A127 0.2700
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ECAD 2233 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 940 N沟道 55V 34A(温度) 4.5V、10V 32毫欧@25A,10V 2V@1mA ±10V 1173pF@25V - 85W(温度)
MW6S010NR1 NXP USA Inc. MW6S010NR1 25.4400
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ECAD 4326 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 68V 表面贴装 TO-270AA MW6S010 960兆赫 LDMOS TO-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 125毫安 10W 18分贝 - 28V
PDTD114EU115 NXP USA Inc. PDTD114EU115 0.0300
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ECAD 28 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PHB176NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB176NQ04T,118 -
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ECAD 2086 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB17 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.3毫欧@25A,10V 4V@1mA 68.9nC@10V ±20V 3620pF@25V - 250W(温度)
PDTA144VK,115 NXP USA Inc. PDTA144VK,115 -
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ECAD 4705 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA144 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 40@5mA,5V 47欧姆 10欧姆
BLF8G22L-160BV,112 NXP USA Inc. BLF8G22L-160BV,112 -
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ECAD 9961 0.00000000 恩智浦 - 管子 的积极 安装结构 SOT-1120B BLF8G22 - - CDFM6 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 20 - - - - -
BUK9510-100B,127 NXP USA Inc. BUK9510-100B,127 0.7700
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ECAD 10 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛洼95 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
MRF6V2150NBR1 NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1 -
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ECAD 4618 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 TO-272BB MRF6 220兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 500 - 450毫安 150W 25分贝 - 50V
BC51-10PASX NXP USA Inc. BC51-10PASX 0.0600
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ECAD 84 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-UDFN 裸露焊盘 420毫W DFN2020D-3 下载 EAR99 8541.29.0075 1 45V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 145兆赫
PMST5550,135 NXP USA Inc. PMST5550,135 -
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ECAD 5130 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 0000.00.0000 1 140伏 300毫安 100nA(ICBO) NPN 250mV@5mA,50mA 60@10mA,5V 300兆赫
BUK764R2-80E,118 NXP USA Inc. BUK764R2-80E,118 -
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ECAD 6782 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 80V 120A(温度) 10V 4.2毫欧@25A,10V 4V@1mA 136nC@10V ±20V 10426pF@25V - 324W(温度)
PMV32UP/MI215 NXP USA Inc. PMV32UP/MI215 1.0000
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ECAD 9934 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
PSMN2R7-30BL,118 NXP USA Inc. PSMN2R7-30BL,118 0.7500
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 第436章 N沟道 30V 100A(温度) 4.5V、10V 3毫欧@25A,10V 2.15V@1mA 66nC@10V ±20V 15V时为3954pF - 170W(温度)
PMR370XN,115 NXP USA Inc. PMR370XN,115 -
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ECAD 4559 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PMR3 MOSFET(金属O化物) SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30V 840mA(温度) 2.5V、4.5V 440毫欧@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.65nC@4.5V ±12V 37pF@25V - 530mW(温度)
PBSS4240X115 NXP USA Inc. PBSS4240X115 0.0800
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ECAD 第375章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,000
BSS83,215 NXP USA Inc. BSS83,215 -
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ECAD 3243 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 10V 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BSS8 - 场效应晶体管 SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 50毫安 - - -
MMRF5015NR5 NXP USA Inc. MMRF5015NR5 -
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ECAD 3457 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 125V 表面贴装 TO-270AA MMRF5 2.5GHz HEMT OM-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935318693528 EAR99 8541.29.0075 50 - 350毫安 125W 16.6分贝 - 50V
BCX56,135 NXP USA Inc. BCX56,135 0.0700
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ECAD 162 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1.25W SOT-89 下载 EAR99 8541.29.0075 1 80V 1A 100nA(ICBO) NPN 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 180兆赫
MRF6S9125NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9125NBR1 -
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ECAD 5330 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 TO-272BB MRF6 880兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 950毫安 27W 20.2分贝 - 28V
BFU590QX NXP USA Inc. BFU590QX 1.1200
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ECAD 第866章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-243AA BFU590 2W SOT-89-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 6.5分贝 12V 200毫安 NPN 60@80mA,8V 8GHz -
PH6030L,115 NXP USA Inc. PH6030L,115 -
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ECAD 5311 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH60 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 76.7A(温度) 4.5V、10V 6毫欧@25A,10V 2.15V@1mA 15.2nC@4.5V ±20V 2260pF@12V - 62.5W(温度)
BF904AR,215 NXP USA Inc. BF904AR,215 -
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ECAD 4053 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 SOT-143R BF904 200兆赫 场效应晶体管 SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 10毫安 - - 1分贝 4V
MRF7S19120NR1 NXP USA Inc. MRF7S19120NR1 -
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ECAD 3931 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 TO-270AB MRF7 1.99GHz LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935322767528 EAR99 8541.29.0075 500 - 1.2A 36W 18分贝 - 28V
MRF6V2300NBR1 NXP USA Inc. MRF6V2300NBR1 -
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ECAD 1329 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 TO-272BB MRF6 220兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 500 - 900毫安 300W 25.5分贝 - 50V
BFU520AVL NXP USA Inc. BFU520AVL 0.1208
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ECAD 6790 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFU520 450毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067697235 EAR99 8541.21.0075 10,000 12.5分贝 12V 30毫安 NPN 60@5mA,8V 10GHz 1dB@1.8GHz
PSMN1R2-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R2-30YLC,115 -
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ECAD 4700 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
MRF5S4140HSR3 NXP USA Inc. MRF5S4140HSR3 -
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ECAD 3654 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF5 465兆赫 LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.25安 28W 21分贝 - 28V
PDTD123EK,115 NXP USA Inc. PDTD123EK,115 -
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ECAD 1838年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTD123 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 40@50mA,5V 2.2欧姆 2.2欧姆
PHB55N03LTA,118 NXP USA Inc. PHB55N03LTA,118 -
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ECAD 4559 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB55 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 25V 55A(温度) 5V、10V 14毫欧@25A,10V 2V@1mA 20nC@5V ±20V 950pF@25V - 85W(温度)
MRF6VP11KGSR5 NXP USA Inc. MRF6VP11KGSR5 -
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ECAD 9749 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 NI-1230S-4 GW MRF6 130兆赫 LDMOS NI-1230S-4 海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935314866178 5A991G 8541.29.0095 50 双重的 - 150毫安 1000W 26分贝 - 50V
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库