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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
PMF290XN,115 NXP USA Inc. PMF290XN,115 -
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ECAD 8011 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PMF29 MOSFET(金属O化物) SC-70 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 1A(温度) 2.5V、4.5V 350mOhm@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.72nC@4.5V ±12V 34pF@20V - 560mW(温度)
BUK9E3R7-60E,127 NXP USA Inc. BUK9E3R7-60E,127 -
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ECAD 6212 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 布克9 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 120A(温度) 5V、10V 3.4毫欧@25A,10V 2.1V@1mA 95nC@5V ±10V 13490pF@25V - 293W(温度)
PSMN1R5-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN1R5-30YL,115 -
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ECAD 3777 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
PDTA144TS,126 NXP USA Inc. PDTA144TS,126 -
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ECAD 9267 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTA144 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 100 @ 1mA,5V 47欧姆
PHD98N03LT,118 NXP USA Inc. PHD98N03LT,118 -
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ECAD 9496 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士98 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 25V 75A(温度) 5V、10V 5.9毫欧@25A,10V 2V@1mA 40nC@5V ±20V 3000pF@20V - 111W(温度)
PDTA115EM,315 NXP USA Inc. PDTA115EM,315 -
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ECAD 9432 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA11 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
AFT27S012NT1 NXP USA Inc. AFT27S012NT1 12.8987
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ECAD 1430 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 PLD-1.5W AF27 728MHz~2.7GHz LDMOS PLD-1.5W 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935347325515 EAR99 8541.29.0075 1,000 10微安 90毫安 13W 20.9分贝 - 28V
MRF6S21140HSR5 NXP USA Inc. MRF6S21140HSR5 -
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ECAD 3117 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 NI-880S MRF6 2.12GHz LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.2A 30W 15.5分贝 - 28V
BF1212,215 NXP USA Inc. BF1212,215 -
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ECAD 5840 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 6V 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BF121 400兆赫 场效应管 SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 12毫安 - 30分贝 0.9分贝 5V
PBSS5140S,126 NXP USA Inc. PBSS5140S,126 -
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ECAD 4002 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBSS5 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 40V 1A 100纳安 国民党 500mV@100mA,1A 300@100mA,5V 150兆赫
MRF6S19100HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19100HSR5 -
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ECAD 1000 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 900毫安 22W 16.1分贝 - 28V
BFS17A,215 NXP USA Inc. BFS17A,215 -
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ECAD 6302 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFS17 300毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25毫安 NPN 25@2mA,1V 2.8GHz 2.5dB@800MHz
MRFE6VP5150GNR1,528 NXP USA Inc. MRFE6VP5150GNR1,528 35.4100
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ECAD 第475章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 133伏 表面贴装 TO-270BB 1.8MHz~600MHz LDMOS TO-270 WB-4 海鸥 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 双重的 5微安 100毫安 150W 26.1分贝 - 50V
ON5452518 NXP USA Inc. ON5452518 1.0000
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ECAD 8360 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,000
PDTC124ES,126 NXP USA Inc. PDTC124ES,126 -
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ECAD 6655 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTC124 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@500μA,10mA 60@5mA,5V 22欧姆 22欧姆
PDTA144TM,315 NXP USA Inc. PDTA144TM,315 0.0300
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ECAD 158 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
2PD602AQL,215 NXP USA Inc. 2PD602AQL,215 0.0300
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ECAD 2210 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 2PD60 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC557B,112 NXP USA Inc. BC557B,112 -
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ECAD 2655 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC55 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 220@2mA,5V 100兆赫兹
PMBT2222A,215 NXP USA Inc. PMBT2222A,215 -
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ECAD 6473 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PMBT2222 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF6VP11KGSR5 NXP USA Inc. MRF6VP11KGSR5 -
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ECAD 9749 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 NI-1230S-4 GW MRF6 130兆赫 LDMOS NI-1230S-4 海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935314866178 5A991G 8541.29.0095 50 双重的 - 150毫安 1000W 26分贝 - 50V
PEMD18,115 NXP USA Inc. PEMD18,115 -
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ECAD 9747 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PEMD1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
BUK754R0-55B,127 NXP USA Inc. BUK754R0-55B,127 0.7700
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ECAD 第959章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 55V 75A(温度) 10V 4mOhm@25A,10V 4V@1mA 86nC@10V ±20V 6776pF@25V - 300W(温度)
PHD22NQ20T,118 NXP USA Inc. PHD22NQ20T,118 -
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ECAD 7617 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士22 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 200V 21.1A(温度) 10V 120毫欧@12A,10V 4V@1mA 10V时为30.8nC ±20V 1380pF@25V - 150W(温度)
PQMD12Z NXP USA Inc. PQMD12Z 0.0400
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 6-XFDFN 裸露焊盘 PQMD12 350毫W DFN1010B-6 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 80@5mA,5V 230兆赫、180兆赫 47k欧姆 47k欧姆
BF820,215 NXP USA Inc. BF820,215 -
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ECAD 第1747章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BF820 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PDTC143TU,135 NXP USA Inc. PDTC143TU,135 0.0200
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ECAD 110 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
BC368,126 NXP USA Inc. BC368,126 -
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ECAD 8843 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC36 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 20V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV@100mA,1A 85@500mA,1V 170兆赫
BUK6607-55C,118 NXP USA Inc. BUK6607-55C,118 0.8500
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ECAD 400 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 400 N沟道 55V 100A(温度) 10V 6.5毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 82nC@10V ±16V 5160pF@25V - 158W(温度)
BC807-40QA147 NXP USA Inc. BC807-40QA147 -
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ECAD 6566 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.21.0095 1
BC847QASX NXP USA Inc. BC847QASX -
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ECAD 4250 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-XFDFN 裸露焊盘 BC847 230毫W DFN1010B-6 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934068722115 EAR99 8541.21.0075 5,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN、PNP互补 100mV@500μA,10mA 200@2mA,5V 100兆赫兹
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库