晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
PHP18NQ10T,127	0.6000	询价	4	恩智浦	*	大部分	的积极					PHP18					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
PEMB9,315	0.0700	询价	第594章	恩智浦	*	大部分	的积极					PEMB9					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000
MRF6P24190HR6	-	询价	9448	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	NI-1230	MRF6	2.39GHz	LDMOS		NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935321194128	EAR99	8541.29.0075	150			-	1.9安	40W	14分贝											-			28V
PMV65UNE,215	-	询价	1184	恩智浦	*	大部分	的积极					PMV65		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1															-
BSS84AKM，315	-	询价	第1687章	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883			MOSFET（金属O化物）		DFN1006-3	下载					EAR99	8541.21.0095	1		P沟道					50V	230mA（塔）	10V	7.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	5V时为0.35nC	±20V	36pF@25V	-	340mW（Ta），2.7W（Tc）
PMBFJ112,215	-	询价	8937	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMBFJ1			300毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					40V							6pF @ 10V (VGS)							40V	5毫安@15伏	5V@1μA		50欧姆
PMSTA3904,135	-	询价	6870	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	PMSTA3904			200毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934061808135	EAR99	8541.21.0075	10,000																		40V	200毫安					50nA（ICBO）		NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
MRF5S21090HR5	-	询价	4248	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF5	2.11GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	850毫安	19W	14.5分贝											-			28V
PDTD143XT215	0.0300	询价	3377	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	8,030
BUK6510-75C,127	-	询价	4920	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛凹65		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					75V	77A（温度）	4.5V、10V	10.4毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	10V时为81nC	±16V	5251pF@25V	-	158W（温度）
ON5441518	0.7300	询价	32	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,000
BLS2731-10,114	-	询价	9526	恩智浦	-	托盘	过时的		200°C（太焦）	表面贴装	SOT-445C	BLS2			145W	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	4						10分贝												75V	1.5A							NPN		40@250mA，5V	3.1GHz	-
MRF101AN-启动	-	询价	9286	恩智浦	-	大部分	过时的	133伏		通孔	TO-220-3	MRF101	1.8MHz～250MHz	LDMOS		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1			10微安	100毫安	115W	21.1分贝											-			50V
BUJD203A,127	0.3000	询价	1	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				80W	TO-220AB	下载					EAR99	8541.29.0095	第875章																		425V	4A					100微安		NPN	1V@600mA，3A	11@2A，5V	-
PHD13005,127	0.1900	询价	5	恩智浦	*	大部分	的积极					博士13					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
BLF7G27LS-140,112	102.3500	询价	18	恩智浦	-	管子	的积极	65V			SOT-502B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS		SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	4			28A	1.3A	30W	16.5分贝											-			28V
BUK7E11-55B,127	-	询价	6209	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	山毛禅7		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	75A（温度）	10V	11毫欧@25A，10V	4V@1mA	37nC@10V	±20V	2604pF@25V	-	157W（温度）
BUK7624-55,118	-	询价	2846	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼76		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					55V	45A（温度）	10V	24毫欧@25A，10V	4V@1mA		±16V	1500pF@25V	-	103W（温度）
BF545B,215	-	询价	1003	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BF545	-	结型场效应晶体管		SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		15毫安		-	-											-
PDTD123EU115	0.0300	询价	24	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
AFT26HW050GSR3-恩智浦	115.4500	询价	250	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0040	1
BFG67,215	-	询价	3653	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		175°C（太焦）	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BFG67			380毫W	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						-												10V	50毫安							NPN		60@15mA，5V	8GHz	1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
BC850BW,115	-	询价	3870	恩智浦	*	大部分	的积极					BC85					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
AFT05MP075N-54M	514.8700	询价	5002	恩智浦	-	大部分	的积极										-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-AFT05MP075N-54M			1
PMST5088,115	0.0200	询价	第521章	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		30V	100毫安					50nA（ICBO）		NPN	500mV@1mA、10mA	300@100μA，5V	100兆赫兹
BUK9Y53-100B,115	-	询价	9132	恩智浦	*	大部分	的积极					布克9					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人
PBSS2515E,115	-	询价	5287	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	PBSS2			250毫W	SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																		15V	500毫安					100nA（ICBO）		NPN	250mV@50mA、500mA	150@100mA，2V	420兆赫
PMPB40SNA115	0.3200	询价	1	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		DFN2020MD-6	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					60V	12.9A（温度）	4.5V、10V	43毫欧@4.8A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V	612pF@30V	-	1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
A2T27S007NT1	-	询价	7529	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	28V		表面贴装	16-VDFN 裸露焊盘	A2T27	728MHz～3.6GHz	LDMOS		16-DFN (4x6)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000			-		28.8分贝	-											-
PBLS2003D,115	-	询价	7127	恩智浦	*	大部分	的积极					PBLS20					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²