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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUK7Y153-100E115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
PHD18NQ10T，118	-	RFQ	5266	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD18		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	93405700118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）
PHP96NQ03LT，127	-	RFQ	8301	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	PHP96		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MRF8P20165WHR3	-	RFQ	7118	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	NI-780-4	MRF8P20165	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314476128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	550 MA	37W	14.8db											-			28 V
PH6325L，115	-	RFQ	7306	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PH63					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
PMBT3906/DG215	0.0200	RFQ	249	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMBT3906					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK752R3-40C，127	-	RFQ	1858年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	100A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	11323 PF @ 25 V	-	333W（TC）
PHD22NQ20T，118	-	RFQ	7617	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD22		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					200 v	21.1a（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	4V @ 1mA	30.8 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	150W（TC）
MMRF5016HSR5	-	RFQ	7750	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	48 v			表面安装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz〜2.2GHz	hemt		NI-400S-2S	-		（1 （无限）	到达不受影响	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-		32W	-											-
PMPB33XN，115	0.0800	RFQ	141	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	4.3a（ta）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 4.3A，4.5V	1.2V @ 250µA	7.6 NC @ 4.5 V	±12V	505 pf @ 15 V	-	1.5W（ta），8.3W（TC）
BCX17,235	0.0300	RFQ	133	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0095	10,927																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
BC849BW，115	0.0200	RFQ	671	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
PEMB14,115	-	RFQ	7657	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PEMB1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
PDTC144EMB315	0.0300	RFQ	72	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1
PMBT4403YS115	1.0000	RFQ	8445	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
BCP56-10115	1.0000	RFQ	5217	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0075	1
PDTD123YU115	-	RFQ	4220	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
MRF6V3090NBR1	-	RFQ	2592	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v			底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310252528	Ear99	8541.29.0075	500			-	350 MA	18W	22DB											-			50 V
PBSS5140U，115	-	RFQ	2134	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC847W，115	-	RFQ	3403	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BC84					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMST3906,135	0.0200	RFQ	1006	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	14,774																		40 V	200 ma		50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
2PD602AQL，215	0.0300	RFQ	2210	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						2pd60					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PBSS5140U，135	0.0500	RFQ	13	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323				350兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	5,793																		40 V	1 a		100NA	PNP	500mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	150MHz
BCX19,235	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC807-40QA147	-	RFQ	6566	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0095	1
BUK6510-75C，127	-	RFQ	4920	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	77A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
MRF8HP21130HR5	-	RFQ	7232	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	360 MA	28W	14dB											-			28 V
MMRF1021NT1	-	RFQ	2654	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V			表面安装	PLD-1.5W	MMRF1	870MHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315257515	Ear99	8541.29.0075	1,000			-	100 ma	7.3W	15.2db											-			7.5 v
PMD9050D，115	-	RFQ	4642	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	45V		MOSFET驾驶员	表面安装	SC-74，SOT-457	PMD90				SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000			100mA																			2 NPN，PNP
BUK9515-60E，127	-	RFQ	7879	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	54A（TC）	5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²