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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大
A2V09H525-04NR6	110.3487	RFQ	3941	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	OM-1230-4L	A2V09	720MHz〜960MHz	ldmos		OM-1230-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935330045528	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	688 MA	120W	18.9db											-			48 v
BUK98150-55A，135	-	RFQ	8411	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	5.5A（TC）	4.5V，10V	137MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA	5.3 NC @ 5 V	±15V	320 pf @ 25 V	-	8W（TC）
BF1105WR，135	-	RFQ	9482	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF110	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934050320135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		30mA		-	20dB											1.7dB			5 v
PMFPB6532UP，115	-	RFQ	3273	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMFPB		MOSFET （金属 o化物）		6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	380 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	520MW（TA），8.3W（tc）
MRF8P8300HSR6	-	RFQ	1022	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	70 v		底盘安装	NI-1230S	MRF8P8300	820MHz	ldmos		NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	2 a	96W	20.9db											-			28 V
PDTA123JU，115	-	RFQ	5971	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLF4G20LS-1110B，112	-	RFQ	3899	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			12a	650 MA	100W	13.4dB											-			28 V
PBSS2515VPN，115	-	RFQ	2905	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
AFT23H160-25SR3	-	RFQ	6164	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-880X-4L4S-8	AFT23	2.3GHz	ldmos		NI-880X-4L4S-8	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320681128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	450 MA	32W	16.7dB											-			28 V
MRF18060ALR5	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	500 MA	60W	13DB											-			26 V
BLF10H6600P112	238.3900	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
PMZB200Une315	0.0600	RFQ	156	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
BUK953R5-60E，127	0.9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	120a（ta）		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（ta）
PSMN5R3-25MLDX	1.0000	RFQ	5003	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					25 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 1mA	12.7 NC @ 10 V	±20V	858 pf @ 12 V	（（（）	51W（TC）
PSMN3R3-80ES，127	1.4700	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					80 V	120A（TC）	10V	3.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	139 NC @ 10 V	±20V	9961 PF @ 40 V	-	338W（TC）
PHB27NQ10T，118	-	RFQ	7872	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHB27					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
BFR31,235	-	RFQ	5520	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR31			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933163490235	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					25 v							4pf @ 10V							1 mA @ 10 V	2.5 V @ 0.5 Na								10 MA
BC639,126	-	RFQ	4119	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC63			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		80 V	1 a				100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
PEMD18,115	-	RFQ	9747	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMD1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
MHT1801A	1.1400	RFQ	9	NXP USA Inc.	*	大部分	不适合新设计										-	不适用	供应商不确定	根据要求获得可用的信息	2832-MHT1801A	Ear99		1
BLF988S，112	509.2500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	110 v			SOT539B		860MHz	ldmos		SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源		-	1.3 a	250W	20.8dB											-			50 V
PDTA143XK，115	-	RFQ	1945年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma				1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
PMXB350UPE147	-	RFQ	9685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC817-25QA147	0.0300	RFQ	134	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
PBHV9560Z115	1.0000	RFQ	4271	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1,000
PMBT2222,215	-	RFQ	2040	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT2222					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRFE6VP5600HSR6	-	RFQ	7384	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	130 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	600W	25DB											-			50 V
PBSS4160PANPS115	0.1300	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	2,423
PHPT60610PY115	-	RFQ	2238	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²