SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 噪声系数(dB Typ @ f)
MRF085HR5 NXP USA Inc. MRF085HR5 -
询价
ECAD 2068 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 133伏 NI-650H-4L MRF08 1.8MHz~1.215GHz LDMOS NI-650H-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 7微安 100毫安 85W 25.6分贝 - 50V
PHP63NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP63NQ03LT,127 -
询价
ECAD 6309 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP63 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 30V 68.9A(温度) 5V、10V 13毫欧@25A,10V 2.5V@1mA 9.6nC@5V ±20V 920pF@25V - 111W(温度)
MRFE6S9200HR3 NXP USA Inc. MRFE6S9200HR3 -
询价
ECAD 9474 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 安装结构 SOT-957A MRFE6 880兆赫 LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 58W 21分贝 - 28V
MRF8S26060HSR3 NXP USA Inc. MRF8S26060HSR3 -
询价
ECAD 6622 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-400S-2S MRF8 2.69GHz LDMOS NI-400S-2S - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935321447118 5A991G 8541.29.0075 250 - 450毫安 15.5W 16.3分贝 - 28V
MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5150GNR1 39.8900
询价
ECAD 500 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270BB MRFE6 230兆赫 LDMOS TO-270 WB-4海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100毫安 150W 26.1分贝 - 50V
PH4830L,115 NXP USA Inc. PH4830L,115 -
询价
ECAD 9776 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH48 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 84A(温度) 4.5V、10V 4.8毫欧@25A,10V 2.15V@1mA 22.9nC@4.5V ±20V 12V时为2786pF - 62.5W(温度)
PHT11N06LT,135 NXP USA Inc. PHT11N06LT,135 -
询价
ECAD 8274 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA PHT11 MOSFET(金属O化物) SC-73 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 55V 4.9A(塔) 5V 40mOhm@5A、5V 2V@1mA 17nC@5V ±13V 1400pF@25V - 1.8W(Ta)、8.3W(Tc)
BC817-25W,115 NXP USA Inc. BC817-25W,115 0.0200
询价
ECAD 4296 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC817 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK9E15-60E,127 NXP USA Inc. BUK9E15-60E,127 -
询价
ECAD 4254 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 布克9 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 54A(温度) 5V、10V 13毫欧@15A,10V 2.1V@1mA 20.5nC@5V ±10V 2651pF@25V - 96W(温度)
PDTC115TM,315 NXP USA Inc. PDTC115TM,315 0.0300
询价
ECAD 94 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC11 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
BFU520AR NXP USA Inc. BFU520AR 0.6100
询价
ECAD 8617 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFU520 450毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 18分贝 12V 30毫安 NPN 60@5mA,8V 10GHz 0.7dB@900MHz
MRF6S9045NR1 NXP USA Inc. MRF6S9045NR1 -
询价
ECAD 6948 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 TO-270AA MRF6 880兆赫 LDMOS TO-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 350毫安 10W 22.7分贝 - 28V
PBSM5240PF,115 NXP USA Inc. PBSM5240PF,115 -
询价
ECAD 4526 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSM5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
BLF4G10LS-120,112 NXP USA Inc. BLF4G10LS-120,112 -
询价
ECAD 6038 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502B BLF4 920MHz~960MHz LDMOS SOT502B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 20 12A 650毫安 48W 19分贝 - 28V
CLF1G0035-100,112 NXP USA Inc. CLF1G0035-100,112 -
询价
ECAD 2135 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150伏 安装结构 SOT-467C 3GHz N化晶体管高电子迁移率晶体管 SOT467C 下载 0000.00.0000 1 - 330毫安 100W 12分贝 - 50V
BF513,215 NXP USA Inc. BF513,215 -
询价
ECAD 8650 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 20V 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BF513 100兆赫兹 结型场效应晶体管 SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30毫安 5毫安 - - 1.5分贝 10V
BFG93A/X,215 NXP USA Inc. BFG93A/X,215 -
询价
ECAD 4423 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFG93 300毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 12V 35毫安 NPN 40@30mA,5V 6GHz 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz
PDTB123EU115 NXP USA Inc. PDTB123EU115 0.0400
询价
ECAD 145 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PHPT60610NY115 NXP USA Inc. PHPT60610NY115 0.2200
询价
ECAD 38 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,343
PHB11N06LT,118 NXP USA Inc. PHB11N06LT,118 -
询价
ECAD 5900 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB11 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 10.3A(温度) 5V、10V 130mOhm@5.5A,10V 2V@1mA 5.2nC@5V ±15V 330pF@25V - 33W(温度)
PMGD400UN,115 NXP USA Inc. PMGD400UN,115 -
询价
ECAD 8557 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PMGD4 MOSFET(金属O化物) 410毫W 6-TSSOP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 30V 第710章 480毫欧@200毫安,4.5伏 1V@250μA 0.89nC@4.5V 43pF@25V 逻辑电平门
BC69-16PAS115 NXP USA Inc. BC69-16PAS115 -
询价
ECAD 8452 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF373ALSR1 NXP USA Inc. MRF373ALSR1 -
询价
ECAD 9696 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-360S MRF37 860兆赫 LDMOS NI-360S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 200毫安 75W 18.2分贝 - 32V
PBHV8515QA147 NXP USA Inc. PBHV8515QA147 0.1000
询价
ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 5,000
PH7030L,115 NXP USA Inc. PH7030L,115 -
询价
ECAD 6336 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH70 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 68A(温度) 4.5V、10V 7.9毫欧@10A、10V 2V@1mA 12nC@5V ±20V 1362pF@10V - 62.5W(温度)
BUK954R4-40B127 NXP USA Inc. BUK954R4-40B127 0.7200
询价
ECAD 2 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 4mOhm@25A,10V 2V@1mA 64nC@5V ±15V 7124pF@25V - 254W(温度)
BUK9Y29-40E/CX NXP USA Inc. BUK9Y29-40E/CX -
询价
ECAD 7745 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 布克9 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1,500人
BC51-16PASX NXP USA Inc. BC51-16PASX 0.0600
询价
ECAD 2482 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-UDFN 裸露焊盘 420毫W DFN2020D-3 下载 EAR99 8541.29.0075 1 45V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 145兆赫
J3A012YXS/T0BY4551 NXP USA Inc. J3A012YXS/T0BY4551 -
询价
ECAD 2710 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - - - J3A0 - - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935295939118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
BFG520/XR,215 NXP USA Inc. BFG520/XR,215 -
询价
ECAD 9105 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 SOT-143R BFG52 300毫W SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70毫安 NPN 60@20mA,6V 9GHz 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库