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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PBSS5250X，115	-	RFQ	2155	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
2PD602AQL，215	0.0300	RFQ	2210	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						2pd60					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PBSS5140U，135	0.0500	RFQ	13	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323				350兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	5,793																		40 V	1 a		100NA	PNP	500mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	150MHz
BC847A，235	0.0200	RFQ	198	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BCX19,235	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC807-40QA147	-	RFQ	6566	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0095	1
BUK6510-75C，127	-	RFQ	4920	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	77A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
MRF8HP21130HR5	-	RFQ	7232	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	360 MA	28W	14dB											-			28 V
MMRF1021NT1	-	RFQ	2654	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V			表面安装	PLD-1.5W	MMRF1	870MHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315257515	Ear99	8541.29.0075	1,000			-	100 ma	7.3W	15.2db											-			7.5 v
BSH202,215	-	RFQ	5824	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BSN2					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMD9050D，115	-	RFQ	4642	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	45V		MOSFET驾驶员	表面安装	SC-74，SOT-457	PMD90				SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000			100mA																			2 NPN，PNP
ON5213,118	-	RFQ	4336	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	93405669118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
BC849B，215	-	RFQ	3405	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BC84					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9515-60E，127	-	RFQ	7879	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	54A（TC）	5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）
PH6030L，115	-	RFQ	5311	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669	PH60		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	76.7a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	15.2 NC @ 4.5 V	±20V	2260 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
BUK9528-100A，127	-	RFQ	9000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49A（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	4293 PF @ 25 V	-	166W（TC）
MRF6VP2600HR6	-	RFQ	4651	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v			底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	2.6 a	125W	25DB											-			50 V
PMPB16XN，115	-	RFQ	4498	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB1		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN2020MD（2x2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	7.2A（ta）	2.5V，4.5V	21MOHM @ 7.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	10.8 NC @ 4.5 V	±12V	775 PF @ 15 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PMZB420UN	-	RFQ	9917	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
PDTC143EMB315	0.0300	RFQ	119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1
BF1100WR，115	-	RFQ	6703	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	14 V			表面安装	SC-82A，SOT-343	BF110	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											2DB			9 V
MRF6S19140HR3	-	RFQ	5183	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-	1.15 a	29W	16dB											-			28 V
PH1875L，115	-	RFQ	2801	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669	PH18		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					75 v	45.8A（TC）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 1mA	33.4 NC @ 5 V	±15V	2600 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
PSMN057-200P，127	1.4600	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PDTD114EU135	0.0400	RFQ	30	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
BF998R，215	-	RFQ	7525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v			表面安装	SOT-143R	BF998	200MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											0.6dB			8 V
A2T18H410-24SR6	-	RFQ	7044	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	NI-1230-4LS2L	A2T18	1.81GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323767128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	800 MA	71W	17.4db											-			28 V
PMDPB28UN，115	-	RFQ	4161	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB		MOSFET （金属 o化物）	510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	4.6a		37MOHM @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	4.7nc @ 4.5V		265pf @ 10V	逻辑级别门
BUK7Y6R0-60EX	-	RFQ	7606	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	100A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	45.4 NC @ 10 V	±20V	4021 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
PMF63UN，115	-	RFQ	8604	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	PMF63		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	1.8A（ta）	1.8V，4.5V	74mohm @ 1.8A，4.5V	1V @ 250µA	3.3 NC @ 4.5 V	±8V	185 pf @ 10 V	-	275MW（TA），1.785W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²