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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PUMB2,115	-	RFQ	1278	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMB2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
A2T26H165-24SR3128	127.1600	RFQ	497	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0075	1
PBHV8515QA147	0.1000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
BUK9635-100A，118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	41A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3573 PF @ 25 V	-	149W（TC）
BUK9510-100B，127	0.7700	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PHP191NQ06LT，127	1.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHP19					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK9607-30B，118	0.4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
Bujd203a，127	0.3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	875																		425 v	4 a		100µA	NPN	1V @ 600mA，3a	11 @ 2a，5v	-
PBSS4260QA147	-	RFQ	5606	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
NX602NBKS115	-	RFQ	5279	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BFU520235	-	RFQ	4196	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
PSMN3R2-30YLC，115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
BUK7Y153-100E115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
PHD18NQ10T，118	-	RFQ	5266	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD18		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	93405700118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）
PHP96NQ03LT，127	-	RFQ	8301	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP96		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MRF6S9125MBR1	-	RFQ	7183	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	880MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	27W	20.2dB											-			28 V
BLC8G24LS-240AVU	-	RFQ	4646	NXP USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v		底盘安装	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT1252-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067995112	Ear99	8541.29.0075	20	双重的		-	800 MA	63W	15DB											-			30 V
AFIC31025NR1	45.0303	RFQ	8614	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	32 v		表面安装	TO-270-17变体，平面线	AFIC31025	2.7GHz〜3.1GHz	ldmos		TO-270WB-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935343962528	Ear99	8541.29.0075	500			-		25W	30dB											-
MRF8P20165WHR3	-	RFQ	7118	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8P20165	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314476128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	550 MA	37W	14.8db											-			28 V
PMDPB95XNE，115	-	RFQ	6669	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB95		MOSFET （金属 o化物）	475MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	2.4a		120MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		143pf @ 15V	逻辑级别门
BUK9524-55A，127	-	RFQ	7249	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	46A（TC）	4.5V，10V	21.7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	1815 PF @ 25 V	-	105W（TC）
AFT21S232SR5	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	50			-	1.5 a	50W	16.7dB											-			28 V
PH6325L，115	-	RFQ	7306	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PH63					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
PMBT3906/DG215	0.0200	RFQ	249	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT3906					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC847CW/ZL115	0.0300	RFQ	180	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PHP63NQ03LT，127	-	RFQ	6309	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP63		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	68.9a（TC）	5V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	9.6 NC @ 5 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	111W（TC）
BUK752R3-40C，127	-	RFQ	1858年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	100A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	11323 PF @ 25 V	-	333W（TC）
psmn9r0-30yl，115	-	RFQ	3614	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN9		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	61A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	17.8 NC @ 10 V	±20V	1006 pf @ 12 V	-	46W（TC）
PHD22NQ20T，118	-	RFQ	7617	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD22		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					200 v	21.1a（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	4V @ 1mA	30.8 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	150W（TC）
MRF6S27050HR3	-	RFQ	7271	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.62GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	500 MA	7W	16dB											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²