晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
PMBS3906,215	-	询价	2870	恩智浦	*	大部分	的积极					PMBS3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PBSS4021NT/WD215	-	询价	1916年	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
BUK9520-55A,127	-	询价	8220	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	54A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@25A，10V	2V@1mA		±10V	2210pF@25V	-	118W（温度）
PHK5NQ15T518	-	询价	1420	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					150伏	5A（温度）	5V、10V	75毫欧@5A，10V	4V@1mA	29nC@10V	±20V	1150pF@25V	-	6.25W（温度）
PBLS2022D,115	-	询价	3235	恩智浦	*	大部分	的积极					PBLS20					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
PDTD143EU115	0.0400	询价	103	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PHP3055E,127	-	询价	3736	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP30		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	10.3A（温度）	10V	150mOhm@5.5A，10V	4V@1mA	5.8nC@10V	±20V	250pF@25V	-	33W（温度）
MRF7S18170HR5	-	询价	1668	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF7	1.81GHz	LDMOS		NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50			-	1.4A	50W	17.5分贝											-			28V
BC847BMB315	-	询价	7265	恩智浦	*	大部分	的积极										-				2156-BC847BMB315		0000.00.0000	1
PH3120L,115-恩智浦	-	询价	3809	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-100、SOT-669			MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,500人		N沟道					20V	100A（温度）	4.5V、10V	2.65毫欧@25A，10V	2V@1mA	48.5nC@4.5V	±20V	4457pF@10V	-	62.5W（温度）
MMRF1006HSR5	-	询价	3075	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	120V			NI-1230S-4	MMRF1006	450兆赫	LDMOS		NI-1230S-4	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311705178	EAR99	8541.29.0075	50			-	150毫安	1000W	20分贝											-			50V
BFR31,215	-	询价	3834	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFR31			250毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					25V							4pF@10V								1毫安@10伏	2.5V@0.5nA									10毫安
PMPB13XNE,115	0.1100	询价	18	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XFDFN 裸露焊盘	PMPB13		MOSFET（金属O化物）		DFN1010B-6	下载					EAR99	8541.29.0095	2,876		N沟道					30V	8A（塔）	1.8V、4.5V	16mOhm@8A，4.5V	900mV@250μA	36nC@4.5V	±12V	15V时为2195pF	-	1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
BUK9506-40B,127	0.5200	询价	6	恩智浦	*	管子	的积极					山毛洼95					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
A2T26H165-24SR3128	127.1600	询价	第497章	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0075	1
PMBFJ108,215	-	询价	第1537章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMBFJ1			250毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					25V							30pF @ 10V (VGS)							25V	80毫安@15伏	10V@1μA		8欧姆
J2A012YXS/T1AY403，	-	询价	5258	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-	-	-	J2A0				-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935296266118	过时的	0000.00.0000	12,500		-												-
PDTC143EM，315	0.0300	询价	132	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTC14					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000
BUK662R5-30C,118-恩智浦	-	询价	5857	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					30V	100A（温度）	10V	2.8毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	114nC@10V	±16V	6960pF@25V	-	204W（温度）
BC56-16PAS115	1.0000	询价	2080	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BC856B/DG/B2235	0.0200	询价	70	恩智浦	*	大部分	的积极					BC856					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	10,000
BC850C/AU235	0.0200	询价	20	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	15,000
J3D016YXV/T1AY599J	-	询价	1222	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					J3D0					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人
BUK765R3-40E,118	-	询价	3258	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	75A（温度）	10V	4.9毫欧@25A，10V	4V@1mA	10V时为35.5nC	±20V	2772pF@25V	-	137W（温度）
PMSS3904,115	0.0200	询价	236	恩智浦	*	大部分	的积极					永磁同步系统3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
BC69PASX	0.0700	询价	100	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-UDFN 裸露焊盘				420毫W	DFN2020D-3	下载					EAR99	8541.29.0075	1																		20V	2A					100nA（ICBO）		国民党	600mV@200mA，2A	85@500mA，1V	140兆赫
AFT09MS007NT1	4.5800	询价	2	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	30V		表面贴装	PLD-1.5W	AF09	870兆赫	LDMOS		PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			-	100毫安	7.3W	15.2分贝											-			7.5V
PBLS4005V,115	-	询价	8587	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-563、SOT-666	PBLS4005			300毫W	SOT-666	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V、40V	100毫安、500毫安					1微安		1个NPN预偏置，1个PNP	150mV @ 500μA、10mA / 350mV @ 50mA、500mA	80 @ 5mA、5V / 150 @ 100mA、2V	300兆赫	47k欧姆	47k欧姆
BF1204,115	-	询价	8977	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	400兆赫	场效应管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	12毫安	-	30分贝											0.9分贝			5V
BUK9Y7R6-40E/GFX	-	询价	3908	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					布克9					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,500人

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²