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晶体管（（4003）

参考图片	产品编号	（（（）	数量	ECAD	可用数量	（kg）	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
	blp8g10s-45pgj	-	RFQ		2612	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	28 V		表面安装	SOT-1223-1	BLP8	700MHz〜1GHz	ldmos		4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067372118	Ear99	8541.29.0095	100			-		45W	21dB											-
	BC337-40,412	-	RFQ		4887	0.00000000	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC33			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
	BF1105WR，115	-	RFQ		1823年	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF110	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA		-	20dB											1.7dB			5 v
	MRF9045NBR1	-	RFQ		1111	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			TO-272-2	MRF90	945MHz	ldmos		TO-272-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	350 MA	45W	19db											-			28 V
	BF1216,115	-	RFQ		1224	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF121	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	19 ma	-	30dB											1dB			5 v
	BUK9611-55A，118	-	RFQ		8772	0.00000000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	4230 PF @ 25 V	-	166W（TC）
	BLF4G20-110B，112	-	RFQ		8688	0.00000000	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			12a	700 MA	100W	13.5dB											-			28 V
	PDTA124XE，115	-	RFQ		5212	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA124			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
	PHB38N02LT，118	-	RFQ		7837	0.00000000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB38		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					20 v	44.7a（TC）	2.5V，5V	16mohm @ 25a，5v	1.5V @ 250µA	15.1 NC @ 5 V	12V	800 pf @ 20 V	-	57.6W（TC）
	BUK9Y98-80E，115	-	RFQ		6303	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y98		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067034115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	-		-	-				-	-
	MRF6S18140HSR3	-	RFQ		2799	0.00000000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	NI-880S	MRF6	1.88GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	29W	16dB											-			28 V
	PHK4NQ20T，518	-	RFQ		9699	0.00000000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHK4N		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					200 v	4A（TC）	5V，10V	130MOHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	26 NC @ 10 V	±20V	1230 PF @ 25 V	-	6.25W（TC）
	BFU550R	0.5900	RFQ		45	0.00000000	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU550			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						21dB												12V	50mA			NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz			0.7dB @ 900MHz

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