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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTC114ET/DG/B2215	0.0200	RFQ	4438	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BFG591,115	-	RFQ	9602	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG59			2W	SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						-												15V	200mA			NPN		60 @ 70mA，8v	7GHz			-
BFS520,115	-	RFQ	6551	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFS52			300MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	70mA			NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
MRF5S9100MR1	-	RFQ	5044	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF5	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	20W	19.5db											-			26 V
PRF949,115	-	RFQ	1810	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PRF94			150MW	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												10V	50mA			NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz			1.5db〜2.5db @ 1GHz
MRF7S24250NR3	139.4500	RFQ	144	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	ldmos		OM-780-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	100 ma	256W	14.7dB											-			30 V
PDTA123JS，126	-	RFQ	2541	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
PDTC143XE，115	-	RFQ	4662	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC143			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mv @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
PDTC144WE，115	-	RFQ	3344	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC144			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		47科姆斯	22 KOHMS
PDTC143EE，115	-	RFQ	9899	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC143			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	4.7科姆斯
BF512,235	-	RFQ	6563	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF512	100MHz	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933505290235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道		30mA	5 ma	-	-											1.5dB			10 v
BC817-16,215	0.0200	RFQ	5705	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
2N3904,116	-	RFQ	4302	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2n39			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		40 V	200 MA		50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BFR505,215	-	RFQ	1628年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR50			150MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	18mA			NPN		60 @ 5mA，6v	9GHz			1.2db〜2.1dB @ 900MHz
PDTA114ES，126	-	RFQ	2746	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA114			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V		10 kohms	10 kohms
MRF9045LSR5	-	RFQ	4467	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	50			-	350 MA	45W	18.8db											-			28 V
MRF377HR5	-	RFQ	7124	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	860MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	50			-	2 a	45W	18.2db											-			32 v
PDTD123YS，126	-	RFQ	6845	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTD123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	500 MA		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V		2.2 kohms	10 kohms
PBRN123EK，115	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBRN123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		40 V	600 MA		500NA	npn-预先偏见	1.15V @ 8mA，800mA	280 @ 300mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
PHD96NQ03LT，118	-	RFQ	8075	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD96		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
BFG403W，115	-	RFQ	2226	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG40			16MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						20db〜22dB												4.5V	3.6mA			NPN		50 @ 3mA，2V	17GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜2GHz
PHP165NQ08T，127	-	RFQ	1562	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934062188127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	75A（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	165 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	250W（TC）
MMRF1314HSR5	718.3470	RFQ	1440	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		底盘安装	NI-1230-4S	MMRF1314	1.4GHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的		-	500 MA	1000W	17.7dB											-			50 V
PHB38N02LT，118	-	RFQ	7837	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB38		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					20 v	44.7a（TC）	2.5V，5V	16mohm @ 25a，5v	1.5V @ 250µA	15.1 NC @ 5 V	12V	800 pf @ 20 V	-	57.6W（TC）
BFU550R	0.5900	RFQ	45	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU550			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						21dB												12V	50mA			NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz			0.7dB @ 900MHz
MRF8P20140WHSR3	-	RFQ	1400	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8P20140	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323134128	5A991G	8541.29.0075	250	双重的		-	500 MA	24W	16dB											-			28 V
BC857QAS/S500147	-	RFQ	6185	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC857					下载					Ear99	8541.21.0075	1
PHX23NQ11T，127	-	RFQ	4323	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX23		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					110 v	16A（TC）	10V	70MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 25 V	-	41.6W（TC）
PMWD15UN，518	-	RFQ	8556	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	PMWD15		MOSFET （金属 o化物）	4.2W	8-tssop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						20V	11.6a		18.5mohm @ 5A，4.5V	700mv @ 1mA	22.2nc @ 4.5V		1450pf @ 16V	逻辑级别门
BC856BW/DG/B3115	1.0000	RFQ	9717	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC856					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²