SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BUK9Y65-100E,115 NXP USA Inc. BUK9Y65-100E,115 1.0000
RFQ
ECAD 4295 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 19a(tc) 5V 63.3MOHM @ 5A,10V 2.1V @ 1mA 14 NC @ 5 V ±10V 1523 PF @ 25 V - 64W(TC)
IRF540,127 NXP USA Inc. IRF540,127 -
RFQ
ECAD 8622 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF54 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 23A(TC) 10V 77mohm @ 17a,10v 4V @ 1mA 65 NC @ 10 V ±20V 1187 PF @ 25 V - 100W(TC)
PMN27UP,115-NXP NXP USA Inc. PMN27UP,115-nxp -
RFQ
ECAD 2799 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 P通道 20 v 5.7A(ta) 32MOHM @ 2.4a,4.5V 950mv @ 250µA 31 NC @ 4.5 V ±8V 2340 pf @ 10 V - 540MW(TA),6.25W(tc)
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. AFT05MS031GNR1 14.5100
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 40 V 表面安装 TO-270BA AFT05 520MHz ldmos TO-270-2鸥 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 - 10 MA 31W 17.7dB - 13.6 v
PBSS5350S,126 NXP USA Inc. PBSS5350,126 -
RFQ
ECAD 4268 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PBSS5 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 200mA,2a 100 @ 2a,2v 100MHz
BCV71,215 NXP USA Inc. BCV71,215 0.0200
RFQ
ECAD 148 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0075 1 60 V 100 ma 100NA(ICBO) NPN 210mv @ 2.5mA,50mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
BFG591,115 NXP USA Inc. BFG591,115 -
RFQ
ECAD 9602 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BFG59 2W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 15V 200mA NPN 60 @ 70mA,8v 7GHz -
PEMB17,115 NXP USA Inc. PEMB17,115 0.0400
RFQ
ECAD 266 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PEMB1 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
2PA1774R,115 NXP USA Inc. 2PA1774R,115 -
RFQ
ECAD 2474 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2PA17 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 200mv @ 5mA,50mA 180 @ 1mA,6v 100MHz
BC846B/DG/B4215 NXP USA Inc. BC846B/DG/B4215 0.0300
RFQ
ECAD 9078 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BFQ591,115 NXP USA Inc. BFQ591,115 -
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BFQ59 2.25W SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 15V 200mA NPN 60 @ 70mA,8v 7GHz -
MRF9030LR5 NXP USA Inc. MRF9030LR5 -
RFQ
ECAD 5419 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 NI-360 MRF90 945MHz ldmos NI-360 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 250 MA 30W 19db - 26 V
BFU530VL NXP USA Inc. BFU530VL 0.1380
RFQ
ECAD 3071 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFU530 450MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067703235 Ear99 8541.21.0075 10,000 15.5db 12V 40mA NPN 60 @ 10mA,8v 11GHz 1.1db @ 1.8GHz
BFR93AW,115 NXP USA Inc. BFR93AW,115 -
RFQ
ECAD 3976 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFR93 300MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 35mA NPN 40 @ 30mA,5V 5GHz 1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
PMST2369/ZLX NXP USA Inc. PMST2369/ZLX -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 PMST2369 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069181115 Ear99 8541.29.0095 3,000
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. MRF8S9202NR3 -
RFQ
ECAD 1218 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 920MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310535528 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.3 a 58W 19db - 28 V
PVR100AZ-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B2V5,115 -
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA PVR10 550兆 SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN + Zener - 160 @ 100mA,1V -
BUK762R9-40E/GFJ NXP USA Inc. BUK762R9-40E/GFJ -
RFQ
ECAD 2511 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 Buk76 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 800
J3D081YXV/T1AY5E4J NXP USA Inc. J3D081YXV/T1AY5E4J -
RFQ
ECAD 2339 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 J3D0 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500
PH2030AL,115 NXP USA Inc. PH2030al,115 -
RFQ
ECAD 7299 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 PH20 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934062275115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V - - - - -
BUT11APX-1200,127 NXP USA Inc. BUT11APX-1200,127 -
RFQ
ECAD 9400 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 But11 32 W TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 550 v 6 a 1ma NPN 1V @ 400mA,2a 20 @ 500mA,5V -
MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc. MRF6V2010GNR1 -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 110 v TO-270BA MRF6 220MHz ldmos TO-270G-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935321298528 Ear99 8541.29.0075 500 - 30 ma 10W 23.9db - 50 V
BFG540W,115 NXP USA Inc. BFG540W,115 -
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SOT-343反向固定 BFG54 500MW 4-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 15V 120mA NPN 100 @ 40mA,8v 9GHz 1.3db〜1.8dB @ 900MHz
PMF280UN,115 NXP USA Inc. PMF280UN,115 -
RFQ
ECAD 6644 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PMF28 MOSFET (金属 o化物) SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.02A(TC) 1.8V,4.5V 340MOHM @ 200MA,4.5V 1V @ 250µA 0.89 NC @ 4.5 V ±8V 45 pf @ 20 V - 560MW(TC)
MRF9085LSR3 NXP USA Inc. MRF9085LSR3 -
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF90 880MHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 250 - 700 MA 90W 17.9db - 26 V
MRF7S38040HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38040HSR3 -
RFQ
ECAD 9099 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-400S-2S MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-400S-2S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 450 MA 8W 14dB - 30 V
BUK7E4R3-75C,127 NXP USA Inc. BUK7E4R3-75C,127 -
RFQ
ECAD 7802 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk7 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 100A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 142 NC @ 10 V ±20V 11659 PF @ 25 V - 333W(TC)
MRF6S9160HSR3 NXP USA Inc. MRF6S9160HSR3 -
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 NI-780 MRF6 880MHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 35W 20.9db - 28 V
PDTC123YE,115 NXP USA Inc. PDTC123YE,115 -
RFQ
ECAD 4920 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC123 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 35 @ 5mA,5v 2.2 kohms 10 kohms
PDTA114TK,115 NXP USA Inc. PDTA114TK,115 -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA114 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库