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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 噪声系数(dB Typ @ f)
MRFG35010NT1 NXP USA Inc. MRFG35010NT1 -
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ECAD 第1782章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V 表面贴装 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 180毫安 9W 10分贝 - 12V
BCX53-16/DG/B3115 NXP USA Inc. BCX53-16/DG/B3115 0.0900
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ECAD 52 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,000
PHD66NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHD66NQ03LT,118 -
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ECAD 6619 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士66 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 25V 66A(温度) 5V、10V 10.5毫欧@25A,10V 2V@1mA 12nC@5V ±20V 860pF@25V - 93W(温度)
MHT1006NT1 NXP USA Inc. MHT1006NT1 -
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ECAD 8020 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 PLD-1.5W MHT1006 2.17GHz LDMOS PLD-1.5W - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 90毫安 1.26W 21.7分贝 - 28V
PSMN1R7-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN1R7-30YL,115 -
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ECAD 8053 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
MRF5S9100MR1 NXP USA Inc. MRF5S9100MR1 -
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ECAD 5044 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 TO-270AB MRF5 880兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 950毫安 20W 19.5分贝 - 26V
BF420,116 NXP USA Inc. BF420,116 -
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ECAD 9865 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF420 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 300伏 50毫安 10nA(ICBO) NPN 600mV@5mA、30mA 50@25mA,20V 60兆赫
PHX18NQ20T,127 NXP USA Inc. PHX18NQ20T,127 -
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ECAD 1895年 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PHX18 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 200V 8.2A(温度) 10V 180mOhm@8A,10V 4V@1mA 40nC@10V ±20V 1850pF@25V - 30W(温度)
PHB38N02LT,118 NXP USA Inc. PHB38N02LT,118 -
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ECAD 7837 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB38 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 20V 44.7A(温度) 2.5V、5V 16毫欧@25A,5V 1.5V@250μA 15.1nC@5V 12V 800pF@20V - 57.6W(温度)
BUK9509-55A,127 NXP USA Inc. BUK9509-55A,127 -
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ECAD 8053 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 8毫欧@25A,10V 2V@1mA 60nC@5V ±15V 4633pF@25V - 211W(温度)
BLS3135-50,114 NXP USA Inc. BLS3135-50,114 -
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ECAD 7038 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 200°C(太焦) 表面贴装 SOT-422A BLS3 80W CDFM2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 4 8分贝 75V 6A NPN 40@1.5A,5V 3.5GHz -
PBR941 NXP USA Inc. PBR941 -
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ECAD 5634 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 3,000
MRF7S21150HR3 NXP USA Inc. MRF7S21150HR3 -
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ECAD 1039 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.35安 44W 17.5分贝 - 28V
PMBFJ620,115 NXP USA Inc. PMBFJ620,115 -
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ECAD 第1494章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PMBFJ6 190毫W 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 25V 5pF@10V 25V 24毫安@10伏 2V@1μA 50欧姆
MRF19045LSR5 NXP USA Inc. MRF19045LSR5 -
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ECAD 5309 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-400S MRF19 1.93GHz LDMOS NI-400S-240 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8542.31.0001 50 - 550毫安 9.5W 14.5分贝 - 26V
MRF8HP21080HR3 NXP USA Inc. MRF8HP21080HR3 -
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ECAD 1925年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780-4 MRF8 2.17GHz LDMOS NI-780-4 - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935310794128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 150毫安 16W 14.4分贝 - 28V
MRF8S19140HSR5 NXP USA Inc. MRF8S19140HSR5 -
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ECAD 5230 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF8 1.96GHz LDMOS NI-780S - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935314248178 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1安 34W 19.1分贝 - 28V
AFT21S230SR5 NXP USA Inc. AFT21S230SR5 -
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ECAD 4089 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-780S AF21 2.11GHz LDMOS NI-780S-6 - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935314997178 5A991G 8541.29.0095 50 - 1.5A 50W 16.7分贝 - 28V
MRF5S9080NBR1 NXP USA Inc. MRF5S9080NBR1 -
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ECAD 9908 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 TO-272BB MRF5 960兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935316835528 EAR99 8541.29.0075 500 - 600毫安 80W 18.5分贝 - 26V
AFT21H350W03SR6 NXP USA Inc. AFT21H350W03SR6 -
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ECAD 1901年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230S AF21 2.11GHz LDMOS NI-1230S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 150 - 750毫安 63W 16.4分贝 - 28V
J3E082EA6/S0BE503J NXP USA Inc. J3E082EA6/S0BE503J -
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ECAD 5499 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J3E0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
MRFE6VP5300GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5300GNR1 68.1500
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ECAD 78 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270BB MRFE6 1.8MHz~600MHz LDMOS TO-270 WB-4海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100毫安 300W 27分贝 - 50V
MRF6S23140HR5 NXP USA Inc. MRF6S23140HR5 -
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ECAD 5062 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 2.39GHz LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.3A 28W 15.2分贝 - 28V
MRFE6VP6300GSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP6300GSR5 105.2022
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ECAD 6911 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 50V 安装结构 NI-780GS-4L MRFE6 600兆赫 LDMOS NI-780GS-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935321994178 EAR99 8541.29.0040 50 - 300W 25分贝 -
MRF6S19120HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19120HSR5 -
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ECAD 5535 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1A 19W 15分贝 - 28V
PSMN1R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R7-25YLC,115 -
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ECAD 1319 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PSMN1 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 25V 100A(温度) 4.5V、10V 1.9毫欧@25A,10V 1.95V@1mA 59nC@10V ±20V 12V时为3735pF - 164W(温度)
MRF7S21110HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21110HSR3 -
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ECAD 8260 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.1安 33W 17.3分贝 - 28V
BUK762R6-40E/GFJ NXP USA Inc. BUK762R6-40E/GFJ -
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ECAD 7264 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 山毛洼76 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 800
BCW70,215 NXP USA Inc. BCW70,215 -
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ECAD 7713 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BCW70 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. A2T21H360-23NR6 -
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ECAD 7885 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V OM-1230-4L2L A2T21 2.11GHz~2.2GHz LDMOS OM-1230-4L2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 10微安 500毫安 373W 16.8分贝 - 28V
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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