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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BUK9209-40B118 NXP USA Inc. BUK9209-40B118 -
RFQ
ECAD 4195 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
MRF19030LR3 NXP USA Inc. MRF19030LR3 -
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400 MRF19 1.96GHz ldmos NI-400 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 250 - 300 MA 30W 13DB - 26 V
BF992,215 NXP USA Inc. BF992,215 -
RFQ
ECAD 9440 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 20 v 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BF992 200MHz MOSFET SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 40mA 15 ma - - 1.2dB 10 v
PBRN123EK,115 NXP USA Inc. PBRN123EK,115 -
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PBRN123 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 40 V 600 MA 500NA npn-预先偏见 1.15V @ 8mA,800mA 280 @ 300mA,5V 2.2 kohms 2.2 kohms
BC848W,115 NXP USA Inc. BC848W,115 -
RFQ
ECAD 3287 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC84 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BUK654R8-40C,127 NXP USA Inc. BUK654R8-40C,127 -
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ECAD 9628 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk65 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 100A(TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 25a,10v 2.8V @ 1mA 88 NC @ 10 V ±16V 5200 pf @ 25 V - 158W(TC)
PDTA115TM,315 NXP USA Inc. PDTA115TM,315 0.0300
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ECAD 150 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA11 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000
PDTC143XE,115 NXP USA Inc. PDTC143XE,115 -
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ECAD 4662 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mv @ 500µA,10mA 50 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 10 kohms
BFG590,215 NXP USA Inc. BFG590,215 -
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ECAD 6423 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG59 400MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 200mA NPN 60 @ 70mA,8v 5GHz -
PDTC144VMB315 NXP USA Inc. PDTC144VMB315 0.0200
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ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.21.0075 1
PDTA124TU,115 NXP USA Inc. PDTA124TU,115 0.0200
RFQ
ECAD 195 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA124 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
2PD1820AQ,115 NXP USA Inc. 2PD1820AQ,115 -
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ECAD 3985 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2PD18 200兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 500 MA 10NA(ICBO) NPN 600mv @ 30mA,300mA 85 @ 150mA,10V 150MHz
PDTC123YS,126 NXP USA Inc. PDTC123YS,126 -
RFQ
ECAD 4129 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC123 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 35 @ 5mA,5v 2.2 kohms 10 kohms
BCP54-16,115 NXP USA Inc. BCP54-16,115 -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCP54 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000
BC846T,115 NXP USA Inc. BC846T,115 -
RFQ
ECAD 7863 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 BC84 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
MRF9060NBR1 NXP USA Inc. MRF9060NBR1 -
RFQ
ECAD 5083 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v TO-272-2 MRF90 945MHz ldmos TO-272-2 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 450 MA 60W 18db - 26 V
PBRP123YS,126 NXP USA Inc. PBRP123YS,126 -
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PBRP123 500兆 TO-92-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 800 MA - pnp-预先偏见 - - 2.2 kohms 10 kohms
MRF377HR3 NXP USA Inc. MRF377HR3 -
RFQ
ECAD 4060 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-860C3 MRF37 860MHz ldmos NI-860C3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 250 17a 2 a 45W 18.2db - 32 v
BF199,112 NXP USA Inc. BF199,112 -
RFQ
ECAD 4532 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BF199 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 25 ma 100NA(ICBO) NPN - 38 @ 7mA,10v 550MHz
BUK763R9-60E/GFJ NXP USA Inc. BUK763R9-60E/GFJ -
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ECAD 8616 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 Buk76 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 800
MMRF1015NR1 NXP USA Inc. MMRF1015NR1 20.9500
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ECAD 355 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 68 v 表面安装 TO-270-2 MMRF1015 960MHz ldmos TO-270-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 125 MA 10W 18db - 28 V
BF1102R,115 NXP USA Inc. BF1102R,115 -
RFQ
ECAD 7124 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 7 V 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BF110 800MHz MOSFET 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 40mA 15 ma - - 2DB 5 v
A3T18H360W23SR6 NXP USA Inc. A3T18H360W23SR6 83.7375
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ECAD 1649年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 底盘安装 ACP-1230S-4L2S A3T18 1.8GHz〜1.88GHz ldmos ACP-1230S-4L2S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935346354128 Ear99 8541.29.0075 150 10µA 700 MA 63W 16.6dB - 28 V
MW6S010GNR1 NXP USA Inc. MW6S010GNR1 23.4700
RFQ
ECAD 124 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 68 v 表面安装 TO-270BA MW6S010 960MHz ldmos TO-270-2鸥 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 125 MA 10W 18db - 28 V
MRFE6S9135HR5 NXP USA Inc. MRFE6S9135HR5 -
RFQ
ECAD 4825 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 SOT-957A MRFE6 940MHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1 a 39W 21dB - 28 V
MRFG35003NT1 NXP USA Inc. MRFG35003NT1 -
RFQ
ECAD 6593 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v 表面安装 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz Phemt fet PLD-1.5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 55 MA 3W 11.5db - 12 v
BUK7506-75B,127 NXP USA Inc. BUK7506-75B,127 -
RFQ
ECAD 2565 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 75A(TC) 10V 5.6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 7446 pf @ 25 V - 300W(TC)
A2T26H160-24SR3 NXP USA Inc. A2T26H160-24SR3 -
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780S-4L2L A2T26 2.58GHz ldmos NI-780S-4L2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935315428128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 350 MA 28W 15.5db - 28 V
PHP165NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP165NQ08T,127 -
RFQ
ECAD 1562 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP16 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934062188127 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 75A(TC) 10V 5mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 165 NC @ 10 V ±20V 8250 pf @ 25 V - 250W(TC)
PUMH14,115 NXP USA Inc. PUMH14,115 -
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PUMH14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库