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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
A2T26H165-24SR3128 NXP USA Inc. A2T26H165-24SR3128 127.1600
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ECAD 第497章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0075 1
PMBFJ108,215 NXP USA Inc. PMBFJ108,215 -
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ECAD 第1537章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMBFJ1 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 25V 30pF @ 10V (VGS) 25V 80毫安@15伏 10V@1μA 8欧姆
J2A012YXS/T1AY403, NXP USA Inc. J2A012YXS/T1AY403, -
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ECAD 5258 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - - - J2A0 - - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935296266118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
PDTC143EM,315 NXP USA Inc. PDTC143EM,315 0.0300
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ECAD 132 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000
BC56-16PAS115 NXP USA Inc. BC56-16PAS115 1.0000
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ECAD 2080 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC856B/DG/B2235 NXP USA Inc. BC856B/DG/B2235 0.0200
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ECAD 70 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC856 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 10,000
BC850C/AU235 NXP USA Inc. BC850C/AU235 0.0200
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ECAD 20 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 15,000
J3D016YXV/T1AY599J NXP USA Inc. J3D016YXV/T1AY599J -
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ECAD 1222 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J3D0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
BUK765R3-40E,118 NXP USA Inc. BUK765R3-40E,118 -
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ECAD 3258 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.9毫欧@25A,10V 4V@1mA 10V时为35.5nC ±20V 2772pF@25V - 137W(温度)
PMSS3904,115 NXP USA Inc. PMSS3904,115 0.0200
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ECAD 236 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 永磁同步系统3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC69PASX NXP USA Inc. BC69PASX 0.0700
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ECAD 100 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-UDFN 裸露焊盘 420毫W DFN2020D-3 下载 EAR99 8541.29.0075 1 20V 2A 100nA(ICBO) 国民党 600mV@200mA,2A 85@500mA,1V 140兆赫
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. AFT09MS007NT1 4.5800
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 30V 表面贴装 PLD-1.5W AF09 870兆赫 LDMOS PLD-1.5W 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 - 100毫安 7.3W 15.2分贝 - 7.5V
PBLS4005V,115 NXP USA Inc. PBLS4005V,115 -
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ECAD 8587 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PBLS4005 300毫W SOT-666 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 50V、40V 100毫安、500毫安 1微安 1个NPN预偏置,1个PNP 150mV @ 500μA、10mA / 350mV @ 50mA、500mA 80 @ 5mA、5V / 150 @ 100mA、2V 300兆赫 47k欧姆 47k欧姆
BF1204,115 NXP USA Inc. BF1204,115 -
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ECAD 8977 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 10V 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BF120 400兆赫 场效应管 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 12毫安 - 30分贝 0.9分贝 5V
MRF6S27085HR3 NXP USA Inc. MRF6S27085HR3 -
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ECAD 2562 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 2.66GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 900毫安 20W 15.5分贝 - 28V
BC849CW,115 NXP USA Inc. BC849CW,115 0.0200
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V 100兆赫兹
PHP45NQ10TA,127 NXP USA Inc. PHP45NQ10TA,127 -
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ECAD 7128 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 - 通孔 TO-220-3 PHP45 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934059957127 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100伏 47A(温度) 25毫欧@25A,10V 4V@1mA 61nC@10V 2600pF@25V - -
BFT93W,115 NXP USA Inc. BFT93W,115 -
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ECAD 8537 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BFT93 300毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 50毫安 国民党 20@30mA,5V 4GHz 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
MRF7S21170HR5 NXP USA Inc. MRF7S21170HR5 -
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ECAD 4660 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 2.17GHz LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 1.4A 50W 16分贝 - 28V
PSMN4R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN4R6-100XS,127 -
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ECAD 9597 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PSMN4 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100伏 70.4A(温度) 10V 4.6毫欧@15A,10V 4V@1mA 153nC@10V ±20V 9900pF@50V - 63.8W(温度)
PHM30NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM30NQ10T,518 -
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ECAD 3144 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 PHM30 MOSFET(金属O化物) 8-HVSON (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100伏 37.6A(温度) 10V 20毫欧@18A,10V 4V@1mA 53.7nC@10V ±20V 3600pF@25V - 62.5W(温度)
BFU580G115 NXP USA Inc. BFU580G115 1.0000
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ECAD 2079 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,000
BUK9E1R9-40E NXP USA Inc. BUK9E1R9-40E 1.0000
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ECAD 1158 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1
MMRF1312HSR5 NXP USA Inc. MMRF1312HSR5 653.5300
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ECAD 36 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 112V 安装结构 NI-1230-4S MMRF1312 1.034GHz LDMOS NI-1230-4S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 双重的 - 100毫安 1000W 19.6分贝 - 50V
MRF8P29300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P29300HSR6 -
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ECAD 6068 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230S MRF8 2.9GHz LDMOS NI-1230S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935310588128 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 100毫安 320W 13.3分贝 - 30V
PDTA114YMB,315 NXP USA Inc. PDTA114YMB,315 0.0300
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ECAD 152 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 PDTA114 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@5mA,5V 180兆赫 10欧姆 47欧姆
BUK9Y104-100B,115 NXP USA Inc. BUK9Y104-100B,115 1.0000
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ECAD 1854年 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 100伏 14.8A(温度) 5V、10V 99毫欧@5A,10V 2.15V@1mA 11nC@5V ±15V 1139pF@25V - 59W(温度)
BFG540,215 NXP USA Inc. BFG540,215 -
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ECAD 5084 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFG54 400毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 120毫安 NPN 60@40mA,8V 9GHz 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
BLF4G20LS-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20LS-110B,112 -
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ECAD 3899 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502B BLF4 1.93GHz~1.99GHz LDMOS SOT502B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 60 12A 650毫安 100W 13.4分贝 - 28V
PEMH11,315 NXP USA Inc. PEMH11,315 -
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ECAD 4717 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMH11 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 2 NPN - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V - 10k欧姆 10k欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库