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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314716178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-	1.3 a	50W	17.8db											-			30 V
PHB110NQ06LT，118	-	RFQ	3593	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB11		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	3960 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BUK7535-55A，127	0.2600	RFQ	9	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	35A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		±20V	872 PF @ 25 V	-	85W（TC）
MRF8S8260HSR3	-	RFQ	1485	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	NI-880S	MRF8	895MHz	ldmos		NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310533128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.5 a	70W	21.1db											-			28 V
PMZB290UN/FYL	-	RFQ	3171	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					PMZB29					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
BF861A，215	-	RFQ	9014	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF861	-	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		6.5mA		-	-											-
PDTC114YT，215	-	RFQ	6906	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF6P21190HR5	-	RFQ	3990	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	2.12GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.9 a	44W	15.5db											-			28 V
BUK6228-55C，118	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1,268		n通道					55 v	31a（TC）	10V	29mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	20.2 NC @ 10 V	±16V	1340 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BCX52,115	0.0700	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCX52					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
PEMF21,115	-	RFQ	7225	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMF2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
PUMB2,115	-	RFQ	1278	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMB2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
A2T26H165-24SR3128	127.1600	RFQ	497	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0075	1
PBHV8515QA147	0.1000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
BUK9635-100A，118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	41A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3573 PF @ 25 V	-	149W（TC）
BUK9510-100B，127	0.7700	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PHP191NQ06LT，127	1.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHP19					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK9607-30B，118	0.4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
Bujd203a，127	0.3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	875																		425 v	4 a		100µA	NPN	1V @ 600mA，3a	11 @ 2a，5v	-
PBSS4260QA147	-	RFQ	5606	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
NX602NBKS115	-	RFQ	5279	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BFU520235	-	RFQ	4196	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
PSMN3R2-30YLC，115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
BUK7Y153-100E115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
PHD18NQ10T，118	-	RFQ	5266	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD18		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	93405700118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）
PHP96NQ03LT，127	-	RFQ	8301	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP96		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MRF6S9125MBR1	-	RFQ	7183	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	880MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	27W	20.2dB											-			28 V
BLC8G24LS-240AVU	-	RFQ	4646	NXP USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v		底盘安装	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT1252-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067995112	Ear99	8541.29.0075	20	双重的		-	800 MA	63W	15DB											-			30 V
MRF8P20165WHR3	-	RFQ	7118	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8P20165	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314476128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	550 MA	37W	14.8db											-			28 V
PMDPB95XNE，115	-	RFQ	6669	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB95		MOSFET （金属 o化物）	475MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	2.4a		120MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		143pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²