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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
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![]() | IRFR220,118 | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR2 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 4.8A(TC) | 10V | 800MOHM @ 2.9a,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 280 pf @ 25 V | - | 42W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18S261W12NR3 | - | ![]() | 6553 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | OM-880X-2L2L | A2T18 | 1.805GHZ〜1.88GHz | ldmos | OM-880X-2L2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935338749528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 1.5 a | 280W | 18.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB80XP,115 | 1.0000 | ![]() | 5676 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | PMDPB80 | MOSFET (金属 o化物) | 485MW | 6-Huson(2x2) | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.7a | 102MOHM @ 2.7A,4.5V | 1V @ 250µA | 8.6nc @ 4.5V | 550pf @ 10V | 逻辑水平门,1.8V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5262,127 | - | ![]() | 8289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | ON5262 | - | - | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934058089127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG35,115 | - | ![]() | 8932 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BFG35 | 1W | SC-73 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 18V | 150mA | NPN | 25 @ 100mA,10v | 4GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G27LS-50亿,118 | - | ![]() | 5685 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-1112B | BLF6G27 | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | CDFM6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934064687118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 双重的 | 12a | 430 MA | 3W | 16.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFQ18A,115 | - | ![]() | 8250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | BFQ18 | 1W | SOT-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 18V | 150mA | NPN | 25 @ 100mA,10v | 4GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y18-55B,115 | - | ![]() | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | 47.4A(TC) | 10V | 18mohm @ 20a,10v | 4V @ 1mA | 21.9 NC @ 10 V | ±20V | 1263 PF @ 25 V | - | 85W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2I25D025GNR1 | - | ![]() | 1430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | TO-270-17变体,鸥翼 | A2I25 | 2.69GHz | ldmos | TO-270WBG-17 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | 双重的 | - | 59 MA | 3.2W | 31.9db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC618,112 | - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BC61 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 55 v | 500 MA | 50µA | npn-达灵顿 | 1.1V @ 200µA,200mA | 10000 @ 200mA,5V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113EK,115 | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PDTD113 | 250兆 | SMT3; mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 33 @ 50mA,5V | 1 kohms | 1 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV65XPE215 | - | ![]() | 7270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T23H200W23SR6 | - | ![]() | 6130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | ACP-1230S-4L2S | A2T23 | 2.3GHz〜2.4GHz | ldmos | ACP-1230S-4L2S | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | 10µA | 500 MA | 51W | 15.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144TE,115 | - | ![]() | 1239 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | PDTA144 | 150兆 | SC-75 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 1µA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC369,112 | - | ![]() | 4027 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BC36 | 830兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 85 @ 500mA,1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
MRF6V13250HSR3 | - | ![]() | 1648年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 120 v | 底盘安装 | NI-780 | MRF6 | 1.3GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100 ma | 250W | 22.7dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114YE,115 | - | ![]() | 7763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | PDTC114 | 150兆 | SC-75 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 1µA | npn-预先偏见 | 100mV @ 250µA,5mA | 100 @ 5mA,5V | 10 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PVR100AZ-B12V,115 | - | ![]() | 3139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | PVR10 | 550兆 | SC-73 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN + Zener | - | 160 @ 100mA,1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030PK115 | 1.0000 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLA1011S-200,112 | 353.1400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 75 v | 底盘安装 | SOT-502B | 1.03GHz〜1.09GHz | ldmos | SOT502B | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | - | 150 ma | 200W | 13DB | - | 36 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA323TK,115 | - | ![]() | 1479年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PDTA32 | 250兆 | SMT3; mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 15 v | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 80mv @ 2.5mA,50mA | 100 @ 50mA,5V | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BST15,115 | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | BST1 | 1.3 w | SOT-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 200 v | 200 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 750mv @ 5mA,50mA | 30 @ 50mA,10v | 15MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P23080HR5 | - | ![]() | 5340 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780-4 | MRF8 | 2.3GHz | ldmos | NI-780-4 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 280 MA | 16W | 14.6dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PD601ASL,215 | 0.0200 | ![]() | 5699 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 2pd60 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG97,135 | - | ![]() | 6089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BFG97 | 1W | SC-73 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 933919920135 | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | - | 15V | 100mA | NPN | 25 @ 70mA,10V | 5.5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y59-60E,115 | - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 60 V | 16.7A(TC) | 5V | 52MOHM @ 5A,10V | 2.1V @ 1mA | 6.1 NC @ 5 V | ±10V | 715 PF @ 25 V | - | 37W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF644P112 | 150.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TEF,115 | - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | PDTC114 | 150兆 | SC-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50 V | 100 ma | 1µA | npn-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 200 @ 1mA,5V | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R5-60PL127 | - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S7120NR3 | - | ![]() | 5789 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | MRF8 | 768MHz | ldmos | OM-780-2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935314209528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 600 MA | 32W | 19.2db | - | 28 V |
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