SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
IRFR220,118 NXP USA Inc. IRFR220,118 -
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ECAD 5547 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR2 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 4.8A(TC) 10V 800MOHM @ 2.9a,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 280 pf @ 25 V - 42W(TC)
A2T18S261W12NR3 NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3 -
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ECAD 6553 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 OM-880X-2L2L A2T18 1.805GHZ〜1.88GHz ldmos OM-880X-2L2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935338749528 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 1.5 a 280W 18.2db - 28 V
PMDPB80XP,115 NXP USA Inc. PMDPB80XP,115 1.0000
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ECAD 5676 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB80 MOSFET (金属 o化物) 485MW 6-Huson(2x2) 下载 0000.00.0000 1 2(p 通道(双) 20V 2.7a 102MOHM @ 2.7A,4.5V 1V @ 250µA 8.6nc @ 4.5V 550pf @ 10V 逻辑水平门,1.8V
ON5262,127 NXP USA Inc. ON5262,127 -
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ECAD 8289 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 ON5262 - - TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934058089127 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - -
BFG35,115 NXP USA Inc. BFG35,115 -
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ECAD 8932 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BFG35 1W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 18V 150mA NPN 25 @ 100mA,10v 4GHz -
BLF6G27LS-50BN,118 NXP USA Inc. BLF6G27LS-50亿,118 -
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ECAD 5685 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 底盘安装 SOT-1112B BLF6G27 2.5GHz〜2.7GHz ldmos CDFM6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934064687118 Ear99 8541.29.0095 100 双重的 12a 430 MA 3W 16.5db - 28 V
BFQ18A,115 NXP USA Inc. BFQ18A,115 -
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ECAD 8250 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BFQ18 1W SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 18V 150mA NPN 25 @ 100mA,10v 4GHz -
BUK7Y18-55B,115 NXP USA Inc. BUK7Y18-55B,115 -
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ECAD 6607 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 55 v 47.4A(TC) 10V 18mohm @ 20a,10v 4V @ 1mA 21.9 NC @ 10 V ±20V 1263 PF @ 25 V - 85W(TC)
A2I25D025GNR1 NXP USA Inc. A2I25D025GNR1 -
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ECAD 1430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 TO-270-17变体,鸥翼 A2I25 2.69GHz ldmos TO-270WBG-17 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.33.0001 500 双重的 - 59 MA 3.2W 31.9db - 28 V
BC618,112 NXP USA Inc. BC618,112 -
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ECAD 3355 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC61 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 55 v 500 MA 50µA npn-达灵顿 1.1V @ 200µA,200mA 10000 @ 200mA,5V 155MHz
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. PDTD113EK,115 -
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ECAD 7770 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTD113 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 33 @ 50mA,5V 1 kohms 1 kohms
PMV65XPE215 NXP USA Inc. PMV65XPE215 -
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ECAD 7270 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
A2T23H200W23SR6 NXP USA Inc. A2T23H200W23SR6 -
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ECAD 6130 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 底盘安装 ACP-1230S-4L2S A2T23 2.3GHz〜2.4GHz ldmos ACP-1230S-4L2S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 150 10µA 500 MA 51W 15.5db - 28 V
PDTA144TE,115 NXP USA Inc. PDTA144TE,115 -
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA144 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 100 @ 1mA,5V 47科姆斯
BC369,112 NXP USA Inc. BC369,112 -
RFQ
ECAD 4027 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC36 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 20 v 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 100mA,1a 85 @ 500mA,1V 140MHz
MRF6V13250HSR3 NXP USA Inc. MRF6V13250HSR3 -
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ECAD 1648年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 120 v 底盘安装 NI-780 MRF6 1.3GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 100 ma 250W 22.7dB - 50 V
PDTC114YE,115 NXP USA Inc. PDTC114YE,115 -
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC114 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mV @ 250µA,5mA 100 @ 5mA,5V 10 kohms 47科姆斯
PVR100AZ-B12V,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B12V,115 -
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA PVR10 550兆 SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN + Zener - 160 @ 100mA,1V -
PHPT610030PK115 NXP USA Inc. PHPT610030PK115 1.0000
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
BLA1011S-200,112 NXP USA Inc. BLA1011S-200,112 353.1400
RFQ
ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 75 v 底盘安装 SOT-502B 1.03GHz〜1.09GHz ldmos SOT502B 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0075 20 - 150 ma 200W 13DB - 36 V
PDTA323TK,115 NXP USA Inc. PDTA323TK,115 -
RFQ
ECAD 1479年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA32 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 15 v 500 MA 500NA pnp-预先偏见 80mv @ 2.5mA,50mA 100 @ 50mA,5V 2.2 kohms
BST15,115 NXP USA Inc. BST15,115 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BST1 1.3 w SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 200 v 200 ma 100NA(ICBO) PNP 750mv @ 5mA,50mA 30 @ 50mA,10v 15MHz
MRF8P23080HR5 NXP USA Inc. MRF8P23080HR5 -
RFQ
ECAD 5340 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780-4 MRF8 2.3GHz ldmos NI-780-4 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 280 MA 16W 14.6dB - 28 V
2PD601ASL,215 NXP USA Inc. 2PD601ASL,215 0.0200
RFQ
ECAD 5699 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 2pd60 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BFG97,135 NXP USA Inc. BFG97,135 -
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BFG97 1W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 933919920135 Ear99 8541.21.0075 4,000 - 15V 100mA NPN 25 @ 70mA,10V 5.5GHz -
BUK9Y59-60E,115 NXP USA Inc. BUK9Y59-60E,115 -
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 0000.00.0000 1 n通道 60 V 16.7A(TC) 5V 52MOHM @ 5A,10V 2.1V @ 1mA 6.1 NC @ 5 V ±10V 715 PF @ 25 V - 37W(TC)
BLF644P112 NXP USA Inc. BLF644P112 150.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
PDTC114TEF,115 NXP USA Inc. PDTC114TEF,115 -
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-89,SOT-490 PDTC114 150兆 SC-89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V 10 kohms
PSMN2R5-60PL127 NXP USA Inc. PSMN2R5-60PL127 -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
MRF8S7120NR3 NXP USA Inc. MRF8S7120NR3 -
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 768MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935314209528 Ear99 8541.29.0075 250 - 600 MA 32W 19.2db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库