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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
PMN23UN,135 NXP USA Inc. PMN23UN,135 -
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ECAD 2077 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞2 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 N沟道 20V 6.3A(温度) 1.8V、4.5V 28毫欧@2A,4.5V 700mV@1mA(典型值) 10.6nC@4.5V ±8V 740pF@10V - 1.75W(温度)
MRF8S19260HSR5 NXP USA Inc. MRF8S19260HSR5 -
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ECAD 8525 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-1110B MRF8 1.99GHz LDMOS NI1230S-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 1.6安 74W 18.2分贝 - 30V
PH3075L,115 NXP USA Inc. PH3075L,115 -
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ECAD 6024 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH30 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 75V 30A(温度) 4.5V、10V 28毫欧@15A,10V 2.3V@1mA 19nC@5V ±15V 2070pF@25V - 75W(温度)
BFU530R NXP USA Inc. BFU530R 0.4000
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ECAD 第339章 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFU530 450毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 21.5分贝 12V 40毫安 NPN 60@10mA,8V 11GHz 0.6dB@900MHz
MRF7S27130HR5 NXP USA Inc. MRF7S27130HR5 -
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ECAD 3250 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 2.7GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.5A 23W 16.5分贝 - 28V
PBSS302PZ,135 NXP USA Inc. PBSS302PZ,135 -
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ECAD 9222 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 4,000
BC817-25,215 NXP USA Inc. BC817-25,215 0.0200
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ECAD 第452章 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC817 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 100兆赫兹
BFG540W,115 NXP USA Inc. BFG540W,115 -
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ECAD 5677 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 SOT-343 反向引脚 BFG54 500毫W 4-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 - 15V 120毫安 NPN 100@40mA,8V 9GHz 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
AFV10700HR5 NXP USA Inc. AFV10700HR5 502.4500
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ECAD 44 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 105V 安装结构 NI-780-4 AFV10700 1.03GHz~1.09GHz LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 1微安 100毫安 770W 19.2分贝 - 50V
MRF19090SR3 NXP USA Inc. MRF19090SR3 -
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ECAD 1022 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-880S MRF19 1.93GHz LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 250 - 750毫安 90W 11.5分贝 - 26V
PBLS4001V,115 NXP USA Inc. PBLS4001V,115 -
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ECAD 5690 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PBLS4001 300毫W SOT-666 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 50V、40V 100毫安、500毫安 1微安 1个NPN预偏置,1个PNP 150mV @ 500μA、10mA / 350mV @ 50mA、500mA 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V 300兆赫 2.2k欧姆 2.2k欧姆
PDTA143ZK,135 NXP USA Inc. PDTA143ZK,135 -
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ECAD 3808 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA143 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934054805135 EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@10mA,5V 4.7欧姆 47欧姆
BC847QAPN147 NXP USA Inc. BC847QAPN147 0.0300
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 5,000
BUK9606-55B,118 NXP USA Inc. BUK9606-55B,118 0.6800
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ECAD 7 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛洼96 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800
AFT18H356-24SR6 NXP USA Inc. AFT18H356-24SR6 -
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ECAD 8530 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230-4LS2L AFFT18 1.88GHz - NI-1230-4LS2L - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935311199128 EAR99 8541.29.0075 150 - - 1.1安 63W 15分贝 - 28V
2PB1424,115 NXP USA Inc. 2PB1424,115 0.0800
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ECAD 20 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 2PB14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
PVR100AD-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B2V5,115 -
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ECAD 5545 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 个人录像10 300毫W SC-74 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
PMZ390UNE/S500315 NXP USA Inc. PMZ390UNE/S500315 1.0000
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ECAD 1323 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 10,000
PDTA113ZS,126 NXP USA Inc. PDTA113ZS,126 -
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ECAD 第3139章 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTA113 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 35@5mA,5V 1欧姆 10欧姆
BUK9Y11-30B/C1,115 NXP USA Inc. BUK9Y11-30B/C1,115 -
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ECAD 6143 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 布克9 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc. A2T23H300-24SR6 -
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ECAD 4888 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230-4LS2L A2T23 2.3GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 750毫安 66W 14.9分贝 - 28V
A3G26H501W17SR3 NXP USA Inc. A3G26H501W17SR3 140.6060
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ECAD 9327 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 A3G26 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250
BF1100R,215 NXP USA Inc. BF1100R,215 -
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ECAD 第1647章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 14V 表面贴装 SOT-143R BF110 800兆赫 场效应管 SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 10毫安 - - 2分贝 9V
PSMN010-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN010-25YLC,115 -
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ECAD 4953 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PSMN0 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 25V 39A(温度) 4.5V、10V 10.6毫欧@10A、10V 1.95V@1mA 11nC@10V ±20V 678pF@12V - 30W(温度)
BUK961R5-30E,118 NXP USA Inc. BUK961R5-30E,118 -
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ECAD 3018 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 30V 120A(温度) 5V、10V 1.3毫欧@25A,10V 2.1V@1mA 93.4nC@5V ±10V 14500pF@25V - 324W(温度)
BF245C,112 NXP USA Inc. BF245C,112 -
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ECAD 7680 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 30V 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF245 100兆赫兹 结型场效应晶体管 TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 N沟道 25毫安 - - 1.5分贝 15V
BC817-16/6215 NXP USA Inc. BC817-16/6215 0.0200
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ECAD 27号 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC817 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 15,000
BLF8G27LS-100V,118 NXP USA Inc. BLF8G27LS-100V,118 57.2300
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ECAD 74 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 65V 安装结构 SOT-1244B 2.5GHz~2.7GHz LDMOS CDFM6 下载 EAR99 8541.29.0075 6 - 900毫安 25W 17分贝 - 28V
PDTA114ET,235 NXP USA Inc. PDTA114ET,235 0.0200
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ECAD 154 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA114 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V 10欧姆 10欧姆
PHM25NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM25NQ10T,518 -
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ECAD 第1684章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 PHM25 MOSFET(金属O化物) 8-HVSON (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100V 30.7A(温度) 10V 30毫欧@10A,10V 4V@1mA 10V时为26.6nC ±20V 1800pF@20V - 62.5W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库