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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
PMK50XP518 NXP USA Inc. PMK50XP518 1.0000
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ECAD 9556 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SO - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 20V 7.9A(温度) 4.5V 50毫欧@2.8A,4.5V 950mV@250μA 10nC@4.5V ±12V 1020pF@20V - 5W(温度)
ON5157,127 NXP USA Inc. ON5157,127 -
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ECAD 6744 0.00000000 恩智浦 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 ON5157 - - TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934057064127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
PBSS4032NX,115 NXP USA Inc. PBSS4032NX,115 0.2000
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
PH9130AL115 NXP USA Inc. PH9130AL115 0.2700
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ECAD 511 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PH9130 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,500人
SI9410DY,518 NXP USA Inc. SI9410DY,518 -
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ECAD 8384 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI9 MOSFET(金属O化物) 8-SO 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 7A(Tj) 4.5V、10V 30mOhm@7A,10V 1V@250μA 50nC@10V ±20V - 2.5W(塔)
MPSA92,126 NXP USA Inc. MPSA92,126 -
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ECAD 1095 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 MPSA92 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 300伏 100毫安 250nA(ICBO) 国民党 500mV@2mA、20mA 25@30mA,10V 50兆赫
PDTD123TK,115 NXP USA Inc. PDTD123TK,115 -
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ECAD 4066 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTD123 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 100@50mA,5V 2.2欧姆
BC856AW,115 NXP USA Inc. BC856AW,115 0.0200
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ECAD 第317章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC856 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BLF10M6LS200U112 NXP USA Inc. BLF10M6LS200U112 95.3500
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ECAD 260 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
2PC4081S,135 NXP USA Inc. 2PC4081S,135 0.0200
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ECAD 160 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 150毫安 100nA(ICBO) NPN 400mV@5mA、50mA 270@1mA,6V 100兆赫兹
BUJD203AD,118 NXP USA Inc. BUJD203AD,118 -
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ECAD 6387 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 80W DPAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 425V 4A 100微安 NPN 1V@600mA,3A 11@2A,5V -
MRF5S21130HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21130HSR3 -
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ECAD 5008 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-880S MRF5 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2A 28W 13.5分贝 - 28V
BC327-40,112 NXP USA Inc. BC327-40,112 -
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ECAD 3118 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC32 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 250@100mA,1V 80兆赫
PHPT610030PK115 NXP USA Inc. PHPT610030PK115 1.0000
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ECAD 9812 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
PDTC115TS,126 NXP USA Inc. PDTC115TS,126 -
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ECAD 6049 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTC115 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@250μA,5mA 100 @ 1mA,5V 100欧姆
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. PBRN113ZK,115 -
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ECAD 8188 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PBRN113 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 40V 600毫安 500纳安 NPN - 预偏置 1.15V@8mA,800mA 500@300mA,5V 1欧姆 10欧姆
MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5300NR1 66.1000
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ECAD 4218 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270AB MRFE6 1.8MHz~600MHz LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100毫安 300W 27分贝 - 50V
PSMN5R0-100ES,127 NXP USA Inc. PSMN5R0-100ES,127 -
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ECAD 4441 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
A3I35D025GNR1 NXP USA Inc. A3I35D025GNR1 -
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ECAD 8947 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 28V 表面贴装 TO-270-17变体,鸥翼型 3.2GHz~4GHz LDMOS TO-270WBG-17 - REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 500 - 3.4W 27.8分贝 -
MW6S010GNR1 NXP USA Inc. MW6S010GNR1 23.4700
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ECAD 124 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 68V 表面贴装 TO-270BA MW6S010 960兆赫 LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 125毫安 10W 18分贝 - 28V
AFV121KGSR5 NXP USA Inc. AFV121KGSR5 621.2116
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ECAD 8369 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 112V 表面贴装 NI-1230-4S GW AFV121 960MHz~1.22GHz LDMOS NI-1230-4S 海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935313048178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 1000W 19.6分贝 - 50V
BUK7E3R5-60E,127 NXP USA Inc. BUK7E3R5-60E,127 0.9500
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ECAD 710 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 316 N沟道 60V 120A(温度) 10V 3.5毫欧@25A,10V 4V@1mA 114nC@10V ±20V 8920pF@25V - 293W(温度)
BUK7Y25-80E/CX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/CX -
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ECAD 9726 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 80V 39A(温度) 10V 25毫欧@10A,10V 4V@1mA 10V时为25.9nC ±20V 1800pF@25V - 95W(温度)
BFG94,115 NXP USA Inc. BFG94,115 -
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ECAD 2198 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA BFG94 700毫W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 - 12V 60毫安 NPN 45@30mA,5V 6GHz 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
PH3430AL,115 NXP USA Inc. PH3430AL,115 -
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ECAD 7445 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH34 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934063086115 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 100A(温度) 3.5毫欧@15A,10V 2.15V@1mA 41nC@10V 12V时为2458pF - -
BUK7535-100A,127 NXP USA Inc. BUK7535-100A,127 0.4300
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ECAD 8 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛凹75 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BUK9K13-60EX NXP USA Inc. BUK9K13-60EX -
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ECAD 6785 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛洼9K13 MOSFET(金属O化物) 64W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 60V 40A 12.5毫欧@10A,5V 2.1V@1mA 22.4nC@5V 2953pF@25V 逻辑电平门
BCM856DS/DG/B2115 NXP USA Inc. BCM856DS/DG/B2115 1.0000
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ECAD 4169 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF7S19210HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19210HSR5 -
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ECAD 1011 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4A 63W 20分贝 - 28V
2N5401,412 NXP USA Inc. 2N5401,412 -
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ECAD 3384 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2N54 630毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 150伏 300毫安 50nA(ICBO) 国民党 500毫伏@5毫安,50毫安 60@10mA,5V 300兆赫
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库