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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
2PD601ASL,215 NXP USA Inc. 2PD601ASL,215 0.0200
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ECAD 5699 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 2PD60 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF7S15100HR3 NXP USA Inc. MRF7S15100HR3 -
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ECAD 8252 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 1.51GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935319432128 EAR99 8541.29.0075 250 - 600毫安 23W 19.5分贝 - 28V
ON5421,127 NXP USA Inc. ON5421,127 -
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ECAD 8402 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 通孔 TO-220-3 ON54 - - TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934060114127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
MRFE6VP6600NR3,528 NXP USA Inc. MRFE6VP6600NR3,528 -
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ECAD 7796 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1
BUK7Y18-55B,115 NXP USA Inc. BUK7Y18-55B,115 -
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ECAD 6607 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 47.4A(温度) 10V 18毫欧@20A,10V 4V@1mA 10V时为21.9nC ±20V 1263pF@25V - 85W(温度)
PBRP123YS,126 NXP USA Inc. PBRP123YS,126 -
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ECAD 2509 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRP123 500毫W TO-92-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 800毫安 - PNP - 预偏置 - - 2.2欧姆 10欧姆
PMN25EN,115 NXP USA Inc. PMN25EN,115 -
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ECAD 8906 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞2 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 6.2A(塔) 4.5V、10V 23毫欧@6.2A,10V 2.5V@250μA 11nC@10V ±20V 492pF@15V - 540mW(Ta),6.25W(Tc)
SI4800,518 NXP USA Inc. SI4800,518 -
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ECAD 6206 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI4 MOSFET(金属O化物) 8-SO - 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 9A(塔) 4.5V、10V 18.5毫欧@9A,10V 800mV@250μA 11.8nC@5V ±20V - 2.5W(塔)
BC847BW/MI115 NXP USA Inc. BC847BW/MI115 0.0200
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ECAD 第732章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PMBT2222,235 NXP USA Inc. PMBT2222,235 0.0200
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ECAD 60 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMBT2222 250毫W SOT-23 - EAR99 8541.21.0075 1 30V 600毫安 10nA(ICBO) NPN 1.6V@50mA、500mA 100@150mA,10V 250兆赫
BUK9E4R4-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E4R4-40B,127 -
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ECAD 6907 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 布克9 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 4mOhm@25A,10V 2V@1mA 64nC@5V ±15V 7124pF@25V - 254W(温度)
PBSS5580PA,115 NXP USA Inc. PBSS5580PA,115 -
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ECAD 2987 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BCM857BV,315 NXP USA Inc. BCM857BV,315 -
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ECAD 9091 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 BCM857 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100毫安 15nA(ICBO) 2 PNP(双)匹配 400毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 175兆赫
BC857AW,135 NXP USA Inc. BC857AW,135 0.0200
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ECAD 310 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 600毫伏@5毫安、100毫安 125@2mA,5V 100兆赫兹
PHE13003C,126 NXP USA Inc. PHE13003C,126 0.0800
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2.1W TO-92-3 下载 EAR99 8541.29.0095 3,963 400V 1.5A 100微安 NPN 1.5V@500mA,1.5A 5@1A,2V -
NXP3875Y,215 NXP USA Inc. 恩智浦3875Y,215 -
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ECAD 7474 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
2PC4617QMB,315 NXP USA Inc. 2PC4617QMB,315 0.0400
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ECAD 96 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-101、SOT-883 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) NPN 200毫伏@5毫安,50毫安 120@1mA,6V 100兆赫兹
A3G20S250-01SR3 NXP USA Inc. A3G20S250-01SR3 87.3364
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ECAD 2843 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 A3G20 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250
A3I25X050GNR1 NXP USA Inc. A3I25X050GNR1 40.8710
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ECAD 7763 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 OM-400G-8 2.3GHz~2.7GHz LDMOS(双) OM-400G-8 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 568-A3I25X050GNR1TR EAR99 8542.33.0001 500 2 N 沟道 10微安 130毫安 5.6W 28.8dB@3.84GHz - 28V
BFU910F NXP USA Inc. BFU910F -
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ECAD 5055 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 3,000
PMR290XN,115 NXP USA Inc. PMR290XN,115 -
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ECAD 第1678章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PMR2 MOSFET(金属O化物) SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 970mA(温度) 2.5V、4.5V 350mOhm@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.72nC@4.5V ±12V 34pF@20V - 530mW(温度)
PBSS5220V,115 NXP USA Inc. PBSS5220V,115 -
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ECAD 3109 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
PHP225NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP225NQ04T,127 -
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ECAD 2195 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP22 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 3.1毫欧@25A,10V 4V@1mA 94nC@10V ±20V 5100pF@25V - 300W(温度)
MW6S010GMR1 NXP USA Inc. MW6S010GMR1 -
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ECAD 8184 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 TO-270BA MW6S010 960兆赫 LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 125毫安 10W 18分贝 - 28V
BUK9K89-100E,115 NXP USA Inc. BUK9K89-100E,115 1.0000
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ECAD 6523 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛洼9K89 MOSFET(金属O化物) 38W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 100V 12.5A 85毫欧@5A,10V 2.1V@1mA 16.8nC@10V 1108pF@25V 逻辑电平门
CLF1G0035S-100 NXP USA Inc. CLF1G0035S-100 -
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ECAD 5708 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1
PHN210,118 NXP USA Inc. PHN210,118 -
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ECAD 1226 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PHN210 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 2 个 N 沟道(双) 30V - 100毫欧@2.2A,10V 2.8V@1mA 6nC@10V 250pF@20V 逻辑电平门
BUK9832-55A,115 NXP USA Inc. BUK9832-55A,115 -
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ECAD 7389 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 山毛洼98 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 55V 12A(温度) 4.5V、10V 29毫欧@8A,10V 2V@1mA ±10V 1594pF@25V - 8W(温度)
PBRP113ZS,126 NXP USA Inc. PBRP113ZS,126 -
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ECAD 3665 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRP113 500毫W TO-92-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 800毫安 - PNP - 预偏置 - - 1欧姆 10欧姆
BUK794R1-40BT,127 NXP USA Inc. BUK794R1-40BT,127 -
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ECAD 5785 0.00000000 恩智浦 TrenchPLUS 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-5 山毛洼79 MOSFET(金属O化物) TO-220-5 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.1毫欧@50A,10V 4V@1mA 83nC@10V ±20V 6808pF@25V 温度传感元件 272W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库