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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PMR290XN,115 NXP USA Inc. PMR290XN,115 -
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ECAD 第1678章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PMR2 MOSFET(金属O化物) SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 970mA(温度) 2.5V、4.5V 350mOhm@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.72nC@4.5V ±12V 34pF@20V - 530mW(温度)
PBSS5220V,115 NXP USA Inc. PBSS5220V,115 -
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ECAD 3109 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
PHP225NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP225NQ04T,127 -
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ECAD 2195 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP22 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 3.1毫欧@25A,10V 4V@1mA 94nC@10V ±20V 5100pF@25V - 300W(温度)
BUK9K89-100E,115 NXP USA Inc. BUK9K89-100E,115 1.0000
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ECAD 6523 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛洼9K89 MOSFET(金属O化物) 38W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 100V 12.5A 85毫欧@5A,10V 2.1V@1mA 16.8nC@10V 1108pF@25V 逻辑电平门
CLF1G0035S-100 NXP USA Inc. CLF1G0035S-100 -
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ECAD 5708 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1
PHN210,118 NXP USA Inc. PHN210,118 -
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ECAD 1226 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PHN210 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 2 个 N 沟道(双) 30V - 100毫欧@2.2A,10V 2.8V@1mA 6nC@10V 250pF@20V 逻辑电平门
BUK9832-55A,115 NXP USA Inc. BUK9832-55A,115 -
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ECAD 7389 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 山毛洼98 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 55V 12A(温度) 4.5V、10V 29毫欧@8A,10V 2V@1mA ±10V 1594pF@25V - 8W(温度)
PBRP113ZS,126 NXP USA Inc. PBRP113ZS,126 -
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ECAD 3665 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRP113 500毫W TO-92-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 800毫安 - PNP - 预偏置 - - 1欧姆 10欧姆
BUK794R1-40BT,127 NXP USA Inc. BUK794R1-40BT,127 -
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ECAD 5785 0.00000000 恩智浦 TrenchPLUS 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-5 山毛洼79 MOSFET(金属O化物) TO-220-5 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.1毫欧@50A,10V 4V@1mA 83nC@10V ±20V 6808pF@25V 温度传感方向 272W(温度)
MMRF1306HR5 NXP USA Inc. MMRF1306HR5 197.1090
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ECAD 6339 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 安装结构 SOT-979A MMRF1306 230兆赫 LDMOS NI-1230-4H 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 1250W 24分贝 - 50V
PDTC123YM,315 NXP USA Inc. PDTC123YM,315 0.0300
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC123 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5300NR1 66.1000
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ECAD 4218 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270AB MRFE6 1.8MHz~600MHz LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100毫安 300W 27分贝 - 50V
BC327-40,112 NXP USA Inc. BC327-40,112 -
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ECAD 3118 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC32 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 250@100mA,1V 80兆赫
A3I35D025GNR1 NXP USA Inc. A3I35D025GNR1 -
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ECAD 8947 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 28V 表面贴装 TO-270-17变体,鸥翼型 3.2GHz~4GHz LDMOS TO-270WBG-17 - REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 500 - 3.4W 27.8分贝 -
PHPT610030PK115 NXP USA Inc. PHPT610030PK115 1.0000
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ECAD 9812 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
PSMN5R0-100ES,127 NXP USA Inc. PSMN5R0-100ES,127 -
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ECAD 4441 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
MW6S010GNR1 NXP USA Inc. MW6S010GNR1 23.4700
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ECAD 124 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 68V 表面贴装 TO-270BA MW6S010 960兆赫 LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 125毫安 10W 18分贝 - 28V
PDTC115TS,126 NXP USA Inc. PDTC115TS,126 -
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ECAD 6049 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTC115 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@250μA,5mA 100 @ 1mA,5V 100欧姆
MRF5S21130HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21130HSR3 -
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ECAD 5008 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-880S MRF5 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2A 28W 13.5分贝 - 28V
AFV121KGSR5 NXP USA Inc. AFV121KGSR5 621.2116
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ECAD 8369 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 112V 表面贴装 NI-1230-4S GW AFV121 960MHz~1.22GHz LDMOS NI-1230-4S 海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935313048178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 1000W 19.6分贝 - 50V
BUK9107-40ATC,118 NXP USA Inc. BUK9107-40ATC,118 1.0000
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ECAD 3350 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-5、D²Pak(4引脚+接片)、TO-263BB MOSFET(金属O化物) SOT-426 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 6.2毫欧@50A,10V 2V@1mA ±15V 5836pF@25V 温度传感方向 272W(温度)
BUK7614-55A,118 NXP USA Inc. BUK7614-55A,118 -
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ECAD 4647 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼76 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 73A(温度) 10V 14毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 25V时为2464pF - 166W(温度)
MRF6P18190HR5 NXP USA Inc. MRF6P18190HR5 -
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ECAD 4872 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-1230 MRF6 1.88GHz LDMOS NI-1230 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 2A 44W 15.9分贝 - 28V
PBSS4032NX,115 NXP USA Inc. PBSS4032NX,115 0.2000
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
PMV31XN,215 NXP USA Inc. PMV31XN,215 -
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ECAD 2169 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMV3 MOSFET(金属O化物) SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 5.9A(温度) 2.5V、4.5V 37毫欧@1.5A,4.5V 1.5V@1mA 5.8nC@4.5V ±12V 410pF@20V - 280毫W(Tj)
PMK50XP518 NXP USA Inc. PMK50XP518 1.0000
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ECAD 9556 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SO - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 20V 7.9A(温度) 4.5V 50毫欧@2.8A,4.5V 950mV@250μA 10nC@4.5V ±12V 1020pF@20V - 5W(温度)
PDTC124ET,235 NXP USA Inc. PDTC124ET,235 0.0200
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ECAD 60 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTC124 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@500μA,10mA 60@5mA,5V 22欧姆 22欧姆
PSMN9RO-25YLC115 NXP USA Inc. PSMN9RO-25YLC115 1.0000
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ECAD 5645 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
BC817-25/6215 NXP USA Inc. BC817-25/6215 0.0200
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ECAD 8493 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC817 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PH9130AL115 NXP USA Inc. PH9130AL115 0.2700
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ECAD 511 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PH9130 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,500人
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库