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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PHPT610030PK115	1.0000	RFQ	9812	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
BLA1011S-200,112	353.1400	RFQ	48	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	75 v		底盘安装	SOT-502B		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20			-	150 ma	200W	13DB											-			36 V
PDTA323TK，115	-	RFQ	1479年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA32			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		15 v	500 MA		500NA	pnp-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V		2.2 kohms
MRF8P23080HR5	-	RFQ	5340	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.3GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	280 MA	16W	14.6dB											-			28 V
2PD601ASL，215	0.0200	RFQ	5699	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2pd60					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BFG97,135	-	RFQ	6089	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG97			1W	SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933919920135	Ear99	8541.21.0075	4,000						-												15V	100mA			NPN		25 @ 70mA，10V	5.5GHz			-
BUK9Y59-60E，115	-	RFQ	7203	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	16.7A（TC）	5V	52MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	6.1 NC @ 5 V	±10V	715 PF @ 25 V	-	37W（TC）
BLF644P112	150.6000	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
PDTC114TEF，115	-	RFQ	1331	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	PDTC114			150兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
PSMN2R5-60PL127	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MRF8S7120NR3	-	RFQ	5789	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8	768MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314209528	Ear99	8541.29.0075	250			-	600 MA	32W	19.2db											-			28 V
PDTC123YE，115	-	RFQ	4920	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC123			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，5v		2.2 kohms	10 kohms
PDTA143TK，115	-	RFQ	5976	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	200 @ 1mA，5V		4.7科姆斯
MRF8P23160WHR3	-	RFQ	3226	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780-4	MRF8	2.32GHz	MOSFET		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935317531128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	600 MA	30W	14.1db											-			28 V
BUK9Y153-100E，115	1.0000	RFQ	2230	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	9.4A（TC）	5V	146MOHM @ 2A，10V	2.1V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±10V	716 pf @ 25 V	-	37W（TC）
PSMN7R5-30YLD115	-	RFQ	2826	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
BUK9610-55A，118	-	RFQ	6033	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	68 NC @ 5 V	±15V	4307 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BFQ67W，115	-	RFQ	6748	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFQ67			300MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-												10V	50mA			NPN		60 @ 15mA，5V	8GHz			1.3db〜3db @ 1GHz〜2GHz
PMV20XN，215	-	RFQ	2557	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV2		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	4.8A（ta）	2.5V，4.5V	25mohm @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	585 pf @ 15 V	-	510MW（TA）
PDTA143TU，115	-	RFQ	1754年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BFU790F，115	0.9600	RFQ	16	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	BFU790			234MW	4-DFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												2.8V	100mA			NPN		235 @ 10mA，2V	25GHz			0.4db〜0.5dB @ 1.5GHz〜2.4GHz
MRF9030LR1	-	RFQ	7051	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	250 MA	30W	19db											-			26 V
PSMN4R1-30YLC，115	-	RFQ	1019	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
MRF7S19080HSR5	-	RFQ	6765	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	750 MA	24W	18db											-			28 V
PDTB143ET215	0.0300	RFQ	33	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK6207-30C，118	-	RFQ	7428	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk62		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.8V @ 1mA	54.8 NC @ 10 V	±16V	3470 pf @ 25 V	-	128W（TC）
BF420,116	-	RFQ	9865	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF420			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		300 v	50 mA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
PMV60en，215	-	RFQ	6319	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	55mohm @ 2a，10v	2V @ 1mA	9.4 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	280MW（TJ）
A3T21H450W23SR6	-	RFQ	2583	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935352756128	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	600 MA	87W	15.4dB											-			30 V
PDTC123EK，115	-	RFQ	7375	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²