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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. A2T18H160-24SR3 -
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ECAD 1934年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780S-4L2L A2T18 1.81GHz ldmos NI-780S-4L2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 400 MA 28W 17.9db - 28 V
MRF8P9300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P9300HSR6 -
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ECAD 5070 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-1230S MRF8 960MHz ldmos NI-1230S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935310166128 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 2.4 a 100W 19.4dB - 28 V
PRF947,115 NXP USA Inc. PRF947,115 -
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ECAD 6646 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PRF94 250MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 10V 50mA NPN 50 @ 5mA,6v 8.5GHz 1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
MRF5S9100NR1 NXP USA Inc. MRF5S9100NR1 -
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ECAD 9156 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 TO-270AB MRF5 880MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 950 MA 20W 19.5db - 26 V
PMBT2222,235 NXP USA Inc. PMBT2222,235 0.0200
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ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMBT2222 250兆 SOT-23 - Ear99 8541.21.0075 1 30 V 600 MA 10NA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 250MHz
BCV71,215 NXP USA Inc. BCV71,215 0.0200
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ECAD 148 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0075 1 60 V 100 ma 100NA(ICBO) NPN 210mv @ 2.5mA,50mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
PMN27UP,115-NXP NXP USA Inc. PMN27UP,115-nxp -
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ECAD 2799 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 P通道 20 v 5.7A(ta) 32MOHM @ 2.4a,4.5V 950mv @ 250µA 31 NC @ 4.5 V ±8V 2340 pf @ 10 V - 540MW(TA),6.25W(tc)
J3D081YXV/T1AY5E4J NXP USA Inc. J3D081YXV/T1AY5E4J -
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ECAD 2339 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 J3D0 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500
PH2030AL,115 NXP USA Inc. PH2030al,115 -
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ECAD 7299 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 PH20 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934062275115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V - - - - -
BC846B/DG/B4215 NXP USA Inc. BC846B/DG/B4215 0.0300
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ECAD 9078 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BUT11APX-1200,127 NXP USA Inc. BUT11APX-1200,127 -
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ECAD 9400 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 But11 32 W TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 550 v 6 a 1ma NPN 1V @ 400mA,2a 20 @ 500mA,5V -
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. MRF8S9202NR3 -
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ECAD 1218 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 920MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310535528 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.3 a 58W 19db - 28 V
MRF9030LR5 NXP USA Inc. MRF9030LR5 -
RFQ
ECAD 5419 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 NI-360 MRF90 945MHz ldmos NI-360 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 250 MA 30W 19db - 26 V
BFG425W,135 NXP USA Inc. BFG425W,135 -
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ECAD 7048 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFG42 135MW CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934047470135 Ear99 8541.21.0075 10,000 20dB 4.5V 30mA NPN 50 @ 25mA,2V 25GHz 0.8db〜1.2dB @ 900MHz〜2GHz
BC635,116 NXP USA Inc. BC635,116 -
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ECAD 8542 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 180MHz
MRF8S9260HR5 NXP USA Inc. MRF8S9260HR5 -
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ECAD 8801 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 960MHz ldmos NI-880H-2L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935317145178 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.7 a 75W 18.6dB - 28 V
BFR92AW,115 NXP USA Inc. BFR92AW,115 -
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ECAD 6440 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFR92 300MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA NPN 65 @ 15mA,10v 5GHz 2db〜3dB @ 1GHz〜2GHz
BFG410W,115 NXP USA Inc. BFG410W,115 -
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ECAD 9341 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFG41 54MW CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 21dB 4.5V 12mA NPN 50 @ 10mA,2V 22GHz 0.9db〜1.2db @ 900MHz〜2GHz
BC550C,116 NXP USA Inc. BC550C,116 -
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ECAD 2803 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC55 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
MRF6S9125MR1 NXP USA Inc. MRF6S9125MR1 -
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ECAD 6367 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v TO-270-4 MRF6 880MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 950 MA 27W 20.2dB - 28 V
BC859CW,115 NXP USA Inc. BC859CW,115 0.0200
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ECAD 4687 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
BUK7E2R7-30B,127 NXP USA Inc. BUK7E2R7-30B,127 -
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ECAD 6208 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk7 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 75A(TC) 10V 2.7MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 6212 PF @ 25 V - 300W(TC)
2N3904,116 NXP USA Inc. 2N3904,116 -
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ECAD 4302 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2n39 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 ma 50NA(iCBO) NPN 200mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
BFR92A,215 NXP USA Inc. BFR92A,215 -
RFQ
ECAD 3100 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFR92 300MW SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA NPN 65 @ 15mA,10v 5GHz 2.1db〜3db @ 1GHz〜2GHz
BUK762R6-40E/GFJ NXP USA Inc. BUK762R6-40E/GFJ -
RFQ
ECAD 7264 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 Buk76 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 800
NMBT3906235 NXP USA Inc. NMBT3906235 0.0200
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ECAD 609 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
PSMN005-55B,118 NXP USA Inc. PSMN005-55B,118 -
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ECAD 6046 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PSMN0 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 5.8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 103 NC @ 5 V ±15V 6500 PF @ 25 V - 230W(TC)
MRF7S19170HR5 NXP USA Inc. MRF7S19170HR5 -
RFQ
ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.99GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 1.4 a 50W 17.2db - 28 V
PMWD15UN,518 NXP USA Inc. PMWD15UN,518 -
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ECAD 8556 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) PMWD15 MOSFET (金属 o化物) 4.2W 8-tssop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 20V 11.6a 18.5mohm @ 5A,4.5V 700mv @ 1mA 22.2nc @ 4.5V 1450pf @ 16V 逻辑级别门
PHX9NQ20T,127 NXP USA Inc. PHX9NQ20T,127 -
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ECAD 9179 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PHX9 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 5.2A(TC) 10V 400MOHM @ 4.5A,10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 959 pf @ 25 V - 25W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库