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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MRF9060LR5	-	RFQ	9497	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-360	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360短领先	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	450 MA	60W	17dB											-			26 V
MRF24301HSR5	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			底盘安装	NI-780	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		300W	13.5dB											-
AFT26H250W03SR6	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4S	AFT26	2.5GHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935323483128	Ear99	8541.29.0095	150			-	700 MA	50W	14.1db											-			28 V
PHB38N02LT，118	-	RFQ	7837	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	PHB38		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					20 v	44.7a（TC）	2.5V，5V	16mohm @ 25a，5v	1.5V @ 250µA	15.1 NC @ 5 V	12V	800 pf @ 20 V	-	57.6W（TC）
MRF8S21100H3	-	RFQ	9247	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	MOSFET		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935317144128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	700 MA	24W	18.3db											-			28 V
BF1202,215	-	RFQ	8189	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF120	400MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30.5db											0.9dB			5 v
BFS19,235	0.0900	RFQ	81	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	3,213																		20 v	30 ma		100NA（ICBO）	NPN	-	65 @ 1mA，10v	260MHz
J3D081YXV/T1AY5E4J	-	RFQ	2339	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J3D0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
MRFG35010ANR5	-	RFQ	5304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		NI-360HF	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	130 MA	1W	10dB											-			12 v
MRF7S38010HSR3	-	RFQ	9616	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	160 MA	2W	15DB											-			30 V
MRF5S9080NBR1	-	RFQ	9908	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	TO-272BB	MRF5	960MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316835528	Ear99	8541.29.0075	500			-	600 MA	80W	18.5db											-			26 V
psmn011-30yl，115	-	RFQ	1492	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	51A（TJ）	4.5V，10V	10.7MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	14.8 NC @ 10 V	±20V	726 pf @ 15 V	-	49W（TC）
PMPB20UN，115	-	RFQ	2967	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB2		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN2020MD（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	6.6a（ta）	1.8V，4.5V	25mohm @ 6.6a，4.5V	1V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	±8V	460 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
BUK7Y12-100E115	1.0000	RFQ	9023	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
BCV71,215	0.0200	RFQ	148	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		60 V	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PMF250XNE115	1.0000	RFQ	3791	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMPB15XN，115	-	RFQ	7078	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB15		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载						0000.00.0000	1		n通道					20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	21mohm @ 7.3a，4.5V	900mv @ 250µA	20.2 NC @ 4.5 V	±12V	1240 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PDTA114TK，115	-	RFQ	8396	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA114			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
BFG424W，115	-	RFQ	2830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG42			135MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						22DB												4.5V	30mA			NPN		50 @ 25mA，2V	25GHz			0.8db〜1.2dB @ 900MHz〜2GHz
MPSA06,412	-	RFQ	8155	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA06			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																		80 V	500 MA		50NA（iCBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BFG403W，115	-	RFQ	2226	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG40			16MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						20db〜22dB												4.5V	3.6mA			NPN		50 @ 3mA，2V	17GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜2GHz
MRFE6VP5300GNR1	68.1500	RFQ	78	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6	1.8MHz〜600MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500	双重的		-	100 ma	300W	27dB											-			50 V
PHD96NQ03LT，118	-	RFQ	8075	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD96		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
BFG21W，115	-	RFQ	5608	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG21			600MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												4.5V	500mA			NPN		40 @ 200ma，2V	18GHz			-
PDTA114ET，235	0.0200	RFQ	154	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA114			250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V		10 kohms	10 kohms
PDTC123JS，126	-	RFQ	8061	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTC123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
BFU550XRVL	0.0699	RFQ	8913	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFU550			450MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93406713235	Ear99	8541.21.0075	10,000						15.5db												12V	50mA			NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz			1.25dB @ 1.8GHz
BFR93AW135	0.0900	RFQ	96	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
PSMN023-40YLCX	-	RFQ	5066	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	24A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 5a，10v	1.95V @ 1mA	8.4 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 20 V	-	25W（TC）
PDTA143ZMB315	0.0300	RFQ	179	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²