SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PMN25EN,115 NXP USA Inc. PMN25EN,115 -
询价
ECAD 8906 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞2 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 6.2A(塔) 4.5V、10V 23毫欧@6.2A,10V 2.5V@250μA 11nC@10V ±20V 492pF@15V - 540mW(Ta),6.25W(Tc)
BC847BW/MI115 NXP USA Inc. BC847BW/MI115 0.0200
询价
ECAD 第732章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
ON5421,127 NXP USA Inc. ON5421,127 -
询价
ECAD 8402 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 通孔 TO-220-3 ON54 - - TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934060114127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
PHN210,118 NXP USA Inc. PHN210,118 -
询价
ECAD 1226 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PHN210 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 2 个 N 沟道(双) 30V - 100毫欧@2.2A,10V 2.8V@1mA 6nC@10V 250pF@20V 逻辑电平门
PBRP113ZS,126 NXP USA Inc. PBRP113ZS,126 -
询价
ECAD 3665 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRP113 500毫W TO-92-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 800毫安 - PNP - 预偏置 - - 1欧姆 10欧姆
BUK9K89-100E,115 NXP USA Inc. BUK9K89-100E,115 1.0000
询价
ECAD 6523 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛洼9K89 MOSFET(金属O化物) 38W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 100V 12.5A 85毫欧@5A,10V 2.1V@1mA 16.8nC@10V 1108pF@25V 逻辑电平门
PMR290XN,115 NXP USA Inc. PMR290XN,115 -
询价
ECAD 第1678章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PMR2 MOSFET(金属O化物) SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 970mA(温度) 2.5V、4.5V 350mOhm@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.72nC@4.5V ±12V 34pF@20V - 530mW(温度)
PHP225NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP225NQ04T,127 -
询价
ECAD 2195 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP22 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 3.1毫欧@25A,10V 4V@1mA 94nC@10V ±20V 5100pF@25V - 300W(温度)
A3G20S250-01SR3 NXP USA Inc. A3G20S250-01SR3 87.3364
询价
ECAD 2843 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 A3G20 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250
BFU910F NXP USA Inc. BFU910F -
询价
ECAD 5055 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 3,000
BUK9832-55A,115 NXP USA Inc. BUK9832-55A,115 -
询价
ECAD 7389 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 山毛洼98 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 55V 12A(温度) 4.5V、10V 29毫欧@8A,10V 2V@1mA ±10V 1594pF@25V - 8W(温度)
A3I25X050GNR1 NXP USA Inc. A3I25X050GNR1 40.8710
询价
ECAD 7763 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 OM-400G-8 2.3GHz~2.7GHz LDMOS(双) OM-400G-8 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 568-A3I25X050GNR1TR EAR99 8542.33.0001 500 2 N 沟道 10微安 130毫安 5.6W 28.8dB@3.84GHz - 28V
2PC4617QMB,315 NXP USA Inc. 2PC4617QMB,315 0.0400
询价
ECAD 96 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-101、SOT-883 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) NPN 200毫伏@5毫安,50毫安 120@1mA,6V 100兆赫兹
PBSS5220V,115 NXP USA Inc. PBSS5220V,115 -
询价
ECAD 3109 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
PDTA144ET,235 NXP USA Inc. PDTA144ET,235 0.0200
询价
ECAD 105 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
MRFE6VP61K25HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HSR6 -
询价
ECAD 3547 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 133伏 安装结构 NI-1230S MRFE6 230兆赫 LDMOS NI-1230S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 100毫安 1250W 24分贝 - 50V
PMN35EN,115 NXP USA Inc. PMN35EN,115 -
询价
ECAD 2233 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞N3 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30V 5.1A(塔) 4.5V、10V 31毫欧@5.1A,10V 2.5V@250μA 9.3nC@10V ±20V 15V时为334pF - 500毫W(塔)
PDTC123EK,115 NXP USA Inc. PDTC123EK,115 -
询价
ECAD 7375 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTC123 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@20mA,5V 2.2欧姆 2.2欧姆
BUK7C2R2-60EJ NXP USA Inc. BUK7C2R2-60EJ -
询价
ECAD 6677 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) 山毛凹7C2 MOSFET(金属O化物) D2PAK-7 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067492118 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 60V - - - - -
PSMN035-150P NXP USA Inc. PSMN035-150P 1.0000
询价
ECAD 2084 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1
BC859C,215 NXP USA Inc. BC859C,215 -
询价
ECAD 7427 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC85 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF6V2010NR1 NXP USA Inc. MRF6V2010NR1 -
询价
ECAD 9055 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 表面贴装 TO-270AA MRF6 220兆赫 LDMOS TO-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 500 - 30毫安 10W 23.9分贝 - 50V
PDTC123YMB315 NXP USA Inc. PDTC123YMB315 0.0200
询价
ECAD 2063 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC123 下载 EAR99 8541.21.0075 4,895
PUMF12,115 NXP USA Inc. 泵MF12,115 -
询价
ECAD 1953年 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 泵浦MF12 300毫W 6-TSSOP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 3,000 50V、40V 100毫安 1微安 1个NPN预偏置,1个PNP 150mV @ 500μA、10mA / 200mV @ 5mA、50mA 80 @ 5mA、5V / 120 @ 1mA、6V 100兆赫兹 22k欧姆 47k欧姆
PMZB380XN,315 NXP USA Inc. PMZB380XN,315 0.0900
询价
ECAD 243 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-101、SOT-883 MOSFET(金属O化物) DFN1006B-3 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.21.0095 10,000 N沟道 30V 930mA(塔) 2.5V、4.5V 460毫欧@200毫安,4.5伏 1.5V@250μA 0.87nC@4.5V ±12V 56pF@25V - 360mW(Ta)、2.7W(Tc)
PSMN017-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN017-80PS,127 -
询价
ECAD 4106 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN0 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. AFT09H310-03SR6 -
询价
ECAD 8970 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-1230S AF09 920兆赫 LDMOS NI-1230S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935324687128 EAR99 8541.29.0075 150 - 680毫安 56W 17.9分贝 - 28V
BUK9516-75B,127 NXP USA Inc. BUK9516-75B,127 -
询价
ECAD 4511 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 67A(温度) 4.5V、10V 14毫欧@25A,10V 2V@1mA 35nC@5V ±15V 4034pF@25V - 157W(温度)
PML260SN,118 NXP USA Inc. PML260SN,118 0.3600
询价
ECAD 6829 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 EAR99 8541.29.0095 第636章 N沟道 200V 8.8A(温度) 6V、10V 294毫欧@2.6A,10V 4V@1mA 13.3nC@10V ±20V 657pF@30V - 50W(温度)
BUK7E4R3-75C,127 NXP USA Inc. BUK7E4R3-75C,127 -
询价
ECAD 7802 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 100A(温度) 10V 4.3毫欧@25A,10V 4V@1mA 142nC@10V ±20V 11659pF@25V - 333W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库