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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PHE13003C,126 | 0.0800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 2.1 w | TO-92-3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,963 | 400 v | 1.5 a | 100µA | NPN | 1.5V @ 500mA,1.5a | 5 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002BKMB315 | - | ![]() | 3657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9045NBR1 | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | TO-272-2 | MRF90 | 945MHz | ldmos | TO-272-2 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 350 MA | 45W | 19db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7540-100A,127 | - | ![]() | 9116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Buk75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 37A(TC) | 10V | 40MOHM @ 40a,10v | 4V @ 1mA | ±20V | 2293 PF @ 25 V | - | 138W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PHP78NQ03LT,127 | - | ![]() | 6482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP78 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 25 v | 75A(TC) | 5V,10V | 9mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 13 NC @ 5 V | ±20V | 1074 PF @ 25 V | - | 93W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC2425NBR1 | - | ![]() | 8019 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | TO-272-16变体,平线 | MW7IC | 2.45GHz | ldmos | TO-272 WB-16 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | - | 55 MA | 25W | 27.7db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114YT,215 | - | ![]() | 9352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA11 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9523-75A,127 | - | ![]() | 5434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Buk95 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 53A(TC) | 4.5V,10V | 22mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | ±10V | 3120 PF @ 25 V | - | 138W(TC) | |||||||||||||||||||||||
MRF5S21130HR3 | - | ![]() | 9746 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF5 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 a | 28W | 13.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I35D025GNR1 | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 28 V | 表面安装 | TO-270-17变体,鸥翼 | 3.2GHz〜4GHz | ldmos | TO-270WBG-17 | - | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 500 | - | 3.4W | 27.8db | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX55,115 | - | ![]() | 8695 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BCX55 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB143EQA147 | 0.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | PDTB143 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-xdfn暴露垫 | PDTB143 | 325兆 | DFN1010D-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 500 MA | 500NA | pnp-预先偏见 | 100mV @ 2.5mA,50mA | 60 @ 50mA,5V | 150 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP21N06LT,127 | - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP21 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 19a(tc) | 5V,10V | 70mohm @ 10a,10v | 2V @ 1mA | 9.4 NC @ 5 V | ±15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9609-55A,118 | - | ![]() | 9906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Buk96 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 4.5V,10V | 8mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 60 NC @ 5 V | ±15V | 4633 PF @ 25 V | - | 211W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX1K80NR5 | 180.2400 | ![]() | 8532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | OM-1230-4L | MRFX1 | 1.8MHz〜470MHz | ldmos | OM-1230-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1800W | 24dB | - | 65 v | ||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S27130HSR3 | - | ![]() | 3649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | MRF7 | 2.7GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 935316811128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.5 a | 23W | 16.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7513-75B,127 | 0.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 管子 | 积极的 | Buk75 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S7235NR3 | - | ![]() | 5031 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | MRF8 | 728MHz | ldmos | OM-780-2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935314786528 | 5A991G | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.4 a | 63W | 20dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV62XN,215 | - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | PMV6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934066503215 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA06,126 | - | ![]() | 7188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | MPSA06 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 500 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT18S230SR5 | 128.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-6 | AFT18 | 1.88GHz | ldmos | NI-780S-6 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991G | 8541.29.0095 | 50 | - | 1.8 a | 50W | 19db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLS3135-50,114 | - | ![]() | 7038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 托盘 | 过时的 | 200°C(TJ) | 表面安装 | SOT-422A | bls3 | 80W | CDFM2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | 8DB | 75V | 6a | NPN | 40 @ 1.5A,5V | 3.5GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK664R6-40C,118 | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | Buk66 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S38075HSR3 | - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | MRF7 | 3.4GHz〜3.6GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 MA | 12W | 14dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7614-55A,118 | - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Buk76 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 73A(TC) | 10V | 14mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | ±20V | 2464 PF @ 25 V | - | 166W(TC) | |||||||||||||||||||||||
AFT21S220W02SR3 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | AFT21 | 2.14GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 935311938128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 a | 50W | 19.1db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBR941B,215 | - | ![]() | 5671 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PBR94 | 360MW | SOT-23(TO-236AB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 10V | 50mA | NPN | 100 @ 5mA,6v | 9GHz | 1.5db〜2.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S21200HSR5 | - | ![]() | 7216 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230S | MRF8 | 2.14GHz | ldmos | NI-1230S | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 1.4 a | 48W | 18.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856B/DG/B3235 | 0.0200 | ![]() | 230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC856 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC517,116 | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BC51 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1V @ 100µA,100mA | 30000 @ 20mA,2V | 220MHz |
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