SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
PHE13003C,126 NXP USA Inc. PHE13003C,126 0.0800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2.1 w TO-92-3 下载 Ear99 8541.29.0095 3,963 400 v 1.5 a 100µA NPN 1.5V @ 500mA,1.5a 5 @ 1A,2V -
NX7002BKMB315 NXP USA Inc. NX7002BKMB315 -
RFQ
ECAD 3657 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
MRF9045NBR1 NXP USA Inc. MRF9045NBR1 -
RFQ
ECAD 1111 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v TO-272-2 MRF90 945MHz ldmos TO-272-2 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 350 MA 45W 19db - 28 V
BUK7540-100A,127 NXP USA Inc. BUK7540-100A,127 -
RFQ
ECAD 9116 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 37A(TC) 10V 40MOHM @ 40a,10v 4V @ 1mA ±20V 2293 PF @ 25 V - 138W(TC)
PHP78NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP78NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 6482 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP78 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 9mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 13 NC @ 5 V ±20V 1074 PF @ 25 V - 93W(TC)
MW7IC2425NBR1 NXP USA Inc. MW7IC2425NBR1 -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 TO-272-16变体,平线 MW7IC 2.45GHz ldmos TO-272 WB-16 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.33.0001 500 - 55 MA 25W 27.7db - 28 V
PDTA114YT,215 NXP USA Inc. PDTA114YT,215 -
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ECAD 9352 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA11 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BUK9523-75A,127 NXP USA Inc. BUK9523-75A,127 -
RFQ
ECAD 5434 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 53A(TC) 4.5V,10V 22mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±10V 3120 PF @ 25 V - 138W(TC)
MRF5S21130HR3 NXP USA Inc. MRF5S21130HR3 -
RFQ
ECAD 9746 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF5 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 a 28W 13.5dB - 28 V
A3I35D025GNR1 NXP USA Inc. A3I35D025GNR1 -
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ECAD 8947 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 28 V 表面安装 TO-270-17变体,鸥翼 3.2GHz〜4GHz ldmos TO-270WBG-17 - 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 500 - 3.4W 27.8db -
BCX55,115 NXP USA Inc. BCX55,115 -
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ECAD 8695 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCX55 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
PDTB143EQA147 NXP USA Inc. PDTB143EQA147 0.0300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. PDTB143 大部分 积极的 表面安装 3-xdfn暴露垫 PDTB143 325兆 DFN1010D-3 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 100mV @ 2.5mA,50mA 60 @ 50mA,5V 150 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
PHP21N06LT,127 NXP USA Inc. PHP21N06LT,127 -
RFQ
ECAD 7273 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP21 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 19a(tc) 5V,10V 70mohm @ 10a,10v 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 V ±15V 650 pf @ 25 V - 56W(TC)
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A,118 -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 60 NC @ 5 V ±15V 4633 PF @ 25 V - 211W(TC)
MRFX1K80NR5 NXP USA Inc. MRFX1K80NR5 180.2400
RFQ
ECAD 8532 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 OM-1230-4L MRFX1 1.8MHz〜470MHz ldmos OM-1230-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1800W 24dB - 65 v
MRF7S27130HSR3 NXP USA Inc. MRF7S27130HSR3 -
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 2.7GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935316811128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 23W 16.5db - 28 V
BUK7513-75B,127 NXP USA Inc. BUK7513-75B,127 0.4400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * 管子 积极的 Buk75 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
MRF8S7235NR3 NXP USA Inc. MRF8S7235NR3 -
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 728MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935314786528 5A991G 8541.29.0095 250 - 1.4 a 63W 20dB - 28 V
PMV62XN,215 NXP USA Inc. PMV62XN,215 -
RFQ
ECAD 7380 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 PMV6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934066503215 Ear99 8541.29.0095 3,000
MPSA06,126 NXP USA Inc. MPSA06,126 -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA06 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 MA 50NA(iCBO) NPN 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
AFT18S230SR5 NXP USA Inc. AFT18S230SR5 128.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-6 AFT18 1.88GHz ldmos NI-780S-6 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0095 50 - 1.8 a 50W 19db - 28 V
BLS3135-50,114 NXP USA Inc. BLS3135-50,114 -
RFQ
ECAD 7038 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 200°C(TJ) 表面安装 SOT-422A bls3 80W CDFM2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4 8DB 75V 6a NPN 40 @ 1.5A,5V 3.5GHz -
BUK664R6-40C,118 NXP USA Inc. BUK664R6-40C,118 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk66 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 800
MRF7S38075HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38075HSR3 -
RFQ
ECAD 8862 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 MA 12W 14dB - 30 V
BUK7614-55A,118 NXP USA Inc. BUK7614-55A,118 -
RFQ
ECAD 4647 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 73A(TC) 10V 14mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 2464 PF @ 25 V - 166W(TC)
AFT21S220W02SR3 NXP USA Inc. AFT21S220W02SR3 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 AFT21 2.14GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935311938128 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 a 50W 19.1db - 28 V
PBR941B,215 NXP USA Inc. PBR941B,215 -
RFQ
ECAD 5671 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PBR94 360MW SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 10V 50mA NPN 100 @ 5mA,6v 9GHz 1.5db〜2.5db @ 1GHz
MRF8S21200HSR5 NXP USA Inc. MRF8S21200HSR5 -
RFQ
ECAD 7216 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 NI-1230S MRF8 2.14GHz ldmos NI-1230S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4 a 48W 18.1db - 28 V
BC856B/DG/B3235 NXP USA Inc. BC856B/DG/B3235 0.0200
RFQ
ECAD 230 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC856 250兆 TO-236AB 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
BC517,116 NXP USA Inc. BC517,116 -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC51 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1V @ 100µA,100mA 30000 @ 20mA,2V 220MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库