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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF8S19260HSR5 | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | SOT-1110B | MRF8 | 1.99GHz | LDMOS | NI1230S-8 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 1.6安 | 74W | 18.2分贝 | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN23UN,135 | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | 中性粒细胞2 | MOSFET(金属O化物) | SC-74 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N沟道 | 20V | 6.3A(温度) | 1.8V、4.5V | 28毫欧@2A,4.5V | 700mV@1mA(典型值) | 10.6nC@4.5V | ±8V | 740pF@10V | - | 1.75W(温度) | |||||||||||||||||||||
| MRF1K50GNR5 | 199.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50V | 安装结构 | OM-1230G-4L | MRF1K50 | 1.8MHz~500MHz | LDMOS | OM-1230G-4L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1500W | 23分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70G,215 | - | ![]() | 7897 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BCX70 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2300NBR5 | - | ![]() | 3717 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 110V | 安装结构 | TO-272BB | MRF6 | 220兆赫 | LDMOS | TO-272 WB-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900毫安 | 300W | 25.5分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18S165-12SR3 | - | ![]() | 3761 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | NI-780-2S2L | A2T18 | 1.805GHz~1.995GHz | LDMOS | NI-780-2S2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 935316365128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 10微安 | 800毫安 | 148W | 18分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
| MRF5S19130HR3 | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 安装结构 | SOT-957A | MRF5 | 1.99GHz | LDMOS | NI-880H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2A | 26W | 13分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7620-100A,118 | 0.6200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 山毛洼76 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35010ANT1 | - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 15V | 表面贴装 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT场效应管 | PLD-1.5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | - | 130毫安 | 9W | 10分贝 | - | 12V | ||||||||||||||||||||||||||
| AFT05MS031GNR1 | 14.5100 | ![]() | 3996 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 40V | 表面贴装 | TO-270BA | AF05 | 520兆赫 | LDMOS | TO-270-2海鸥 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 10毫安 | 31W | 17.7分贝 | - | 13.6V | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V12500HR5 | 623.6300 | ![]() | 205 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 110V | 安装结构 | SOT-957A | MRF6V12500 | 1.03GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200毫安 | 500W | 19.7分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB950UPEL147 | - | ![]() | 9746 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G20-230P | - | ![]() | 4878 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 包 | 过时的 | 65V | 安装结构 | SOT-502A | BLF6 | 1.8GHz | LDMOS | LDMOST | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | Q3815228 | EAR99 | 8541.29.0075 | 200 | 5微安 | 2A | 50W | 16.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S9125MR1 | - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 68V | TO-270-4 | MRF6 | 880兆赫 | LDMOS | TO-270 WB-4 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950毫安 | 27W | 20.2分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC517,116 | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC51 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN-达林顿 | 1V@100μA,100mA | 30000@20mA,2V | 220兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BLA1011-2,112 | 86.6700 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 托盘 | 的积极 | BLA1 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN011-30YL,115 | - | ![]() | 第1492章 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SC-100、SOT-669 | PSMN0 | MOSFET(金属O化物) | LFPAK56,电源-SO8 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | N沟道 | 30V | 51A(Tj) | 4.5V、10V | 10.7毫欧@15A,10V | 2.15V@1mA | 14.8nC@10V | ±20V | 726pF@15V | - | 49W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | ON5452,518 | - | ![]() | 2217 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | ON5452 | - | - | - | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 934063298518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S21045NR1 | - | ![]() | 第1347章 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 68V | 表面贴装 | TO-270AB | MRF5 | 2.12GHz | LDMOS | TO-270 WB-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 500毫安 | 10W | 14.5分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BF821,215 | - | ![]() | 7876 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BF821 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN25EN,115 | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | 中性粒细胞2 | MOSFET(金属O化物) | SC-74 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 6.2A(塔) | 4.5V、10V | 23毫欧@6.2A,10V | 2.5V@250μA | 11nC@10V | ±20V | 492pF@15V | - | 540mW(Ta),6.25W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BC847BW/MI115 | 0.0200 | ![]() | 第732章 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5421,127 | - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | ON54 | - | - | TO-220AB | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934060114127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHN210,118 | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | PHN210 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | - | 100毫欧@2.2A,10V | 2.8V@1mA | 6nC@10V | 250pF@20V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PBRP113ZS,126 | - | ![]() | 3665 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | PBRP113 | 500毫W | TO-92-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 800毫安 | - | PNP - 预偏置 | - | - | 1欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9K89-100E,115 | 1.0000 | ![]() | 6523 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SOT-1205、8-LFPAK56 | 山毛洼9K89 | MOSFET(金属O化物) | 38W | LFPAK56D | 下载 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 100V | 12.5A | 85毫欧@5A,10V | 2.1V@1mA | 16.8nC@10V | 1108pF@25V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMR290XN,115 | - | ![]() | 第1678章 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | PMR2 | MOSFET(金属O化物) | SC-75 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N沟道 | 20V | 970mA(温度) | 2.5V、4.5V | 350mOhm@200mA,4.5V | 1.5V@250μA | 0.72nC@4.5V | ±12V | 34pF@20V | - | 530mW(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | PHP225NQ04T,127 | - | ![]() | 2195 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | PHP22 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 40V | 75A(温度) | 10V | 3.1毫欧@25A,10V | 4V@1mA | 94nC@10V | ±20V | 5100pF@25V | - | 300W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | A3G20S250-01SR3 | 87.3364 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | A3G20 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU910F | - | ![]() | 5055 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 |

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