晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
BC54-16PAS115	-	询价	6087	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BUK662R7-55C,118	-	询价	9034	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					55V	120A（温度）	10V	2.7毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	258nC@10V	±16V	15300pF@25V	-	306W（温度）
A2T21H100-25SR3	94.1572	询价	第1176章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极					A2T21		场效应晶体管			-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320549128	EAR99	8541.29.0075	250	N沟道
BUK7210-55B/C1,118	-	询价	3061	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 185°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	山毛凹7210		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934062108118	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					55V	75A（温度）	10V	10毫欧@25A，10V	4V@1mA	35nC@10V	±20V	2453pF@25V	-	167W（温度）
BUK9518-55,127	-	询价	2577	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	57A（温度）	5V	18毫欧@25A，5V	2V@1mA		±10V	2600pF@25V	-	125W（温度）
PEMD16115	-	询价	1061	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
MRFG35005NT1	-	询价	3730	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V		表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000			-	80毫安	4.5W	11分贝											-			12V
MRF6V2010GNR5	-	询价	4474	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V			TO-270BA	MRF6	220兆赫	LDMOS		TO-270G-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	30毫安	10W	23.9分贝											-			50V
BCV27/DG/B2215	1.0000	询价	2209	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
AFT27S006N-1000M	617.8500	询价	7961	恩智浦	-	大部分	的积极										-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-AFT27S006N-1000M			1
A2T18H450W19SR6	-	询价	9192	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		安装结构	NI-1230S-4S4S	A2T18	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		NI-1230S-4S4S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935318596128	EAR99	8541.29.0075	150			-		89W	16.5分贝											-
PSMN3R0-60BS	-	询价	7983	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
PDTA114TU,115	0.0200	询价	305	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF6S19100HR3	-	询价	3060	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316735128	EAR99	8541.29.0075	250			-	900毫安	22W	16.1分贝											-			28V
MRF8HP21080HSR3	-	询价	1619	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	LDMOS		NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935324468128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的		-	150毫安	16W	14.4分贝											-			28V
PMV90ENE215	-	询价	9040	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK9230-55A/C1118	0.2900	询价	31	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
MRF7S24250NR3	139.4500	询价	144	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	LDMOS		OM-780-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	100毫安	256W	14.7分贝											-			30V
PDTA115TT,215	-	询价	3574	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF7S19080HSR5	-	询价	6765	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	750毫安	24W	18分贝											-			28V
BUK7Y7R6-40E/GFX	-	询价	3433	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					山毛禅7					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,500人
BUK7528-55A,127	0.2800	询价	4	恩智浦	TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					55V	42A（温度）	10V	28毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	1165pF@25V	-	99W（温度）
PSMN2R8-40BS,118	0.8300	询价	6	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	100A（温度）	10V	2.9毫欧@10A、10V	4V@1mA	71nC@10V	±20V	4491pF@20V	-	211W（温度）
BF1205,135	-	询价	4907	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	800兆赫	场效应晶体管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056890135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应		30毫安	12毫安	-	35分贝											1.2分贝			5V
BUK9245-55A/C1118	0.2400	询价	15	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
BUK7Y08-40B/C,115	-	询价	4690	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669	山毛蚀刻7Y08		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934064767115	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					40V	75A（温度）	10V	8毫欧@25A，10V	4V@1mA	10V时为36.3nC	±20V	2040pF@25V	-	105W（温度）
PVR100AD-B3V0,115	-	询价	3955	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	个人录像10			300毫W	SC-74	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																		45V	100毫安		100nA（ICBO）	NPN + 齐纳二极管	-	160@100mA，1V	-
MRF8S9202GNR3,528	123.4300	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0075	1
BUK9675-55A118	0.4800	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	第683章
BC847C/DG/B2215	0.0200	询价	63	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²