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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
MRF24301HR5178	1.0000	RFQ	9953	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PSMN030-150p，127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
psmn1r5-30yl，115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
PEMH16,115	-	RFQ	7278	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMH1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
BUK764R2-80E，118	-	RFQ	6782	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	136 NC @ 10 V	±20V	10426 pf @ 25 V	-	324W（TC）
PSMN7R8-120PS127	-	RFQ	4606	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PDTC123TMB，315	0.0300	RFQ	100	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC123			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V	230 MHz	2.2 kohms
PDTC115TM，315	0.0300	RFQ	94	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
PBSS305NZ，135	-	RFQ	4669	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000
PMBS3906,235	0.0200	RFQ	38	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		40 V	100 ma		50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	150MHz
PSMN3R5-80PS	-	RFQ	4544	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	1
PMP5501V，115	-	RFQ	6787	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMP5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000
PBSS4230PANP，115	0.1600	RFQ	21	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS4230			510MW	6-Huson（2x2）	下载					Ear99	8541.29.0075	1,868																		30V	2a		100NA（ICBO）	NPN，PNP	290mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	120MHz
A3G26H200W17SR3	103.0700	RFQ	1475	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v			NI-780S-4S2S		2.496GHZ〜2.69GHz	-		NI-780S-4S2S	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	-		-	120 MA	34W	14.2db											-			48 v
BLT81	0.5000	RFQ	32	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-BLT81	Ear99	8541.29.0075	1
A5G35S008N-3400	105.4700	RFQ	8662	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		3.3GHz〜3.8GHz	-		6-PDFN （4x4.5）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	-		-	24 ma	27dBm	18.6dB											-			48 v
A5G38H045N-3700	337.5000	RFQ	4488	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	6-dlfn暴露垫		-	-		6-PDFN （7x6.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	-		-		5W	-											-
MRF24G300HR5	113.2852	RFQ	3352	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		底盘安装	NI-780-4		2.4GHz〜2.5GHz	甘		NI-780-4	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-MRF24G300HR5TR	Ear99	8541.29.0095	50	2 n通道		-		300W	15.2db											-			48 v
A3G22H400-04SR3	122.6564	RFQ	8801	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3G22					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
A3T18H408W24SR3	-	RFQ	8075	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					A3T18					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
MRF24G300HSR5	136.8900	RFQ	153	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	MOSFET		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）		-		300W	15.3db											-			48 v
PMN50UPE，115	1.0000	RFQ	3851	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	66mohm @ 3.6A，4.5V	900mv @ 250µA	15.7 NC @ 10 V	±8V	24 pf @ 10 V	-	510MW（TA）
CLF1G0035-200PU	-	RFQ	6477	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的				-		-	-		-	-	不适用				Ear99	8541.29.0075	20	-		-		-	-											-
BLF6G20-110,112	-	RFQ	1486年	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A		1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20			29a	900 MA	25W	19db											-			28 V
BUK7511-55B，127	0.4000	RFQ	2	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	2604 PF @ 25 V	-	157W（TC）
ON5275,135	-	RFQ	2230	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5275	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058851135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
ON5223,118	-	RFQ	6876	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934056465118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
BUK9E15-60E，127	-	RFQ	4254	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	54A（TC）	5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）
AFV10700GSR5	569.2382	RFQ	8010	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		底盘安装	NI-780GS-4L	AFV10700	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		NI-780GS-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935362013178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	100 ma	700W	19.2db											-			50 V
J2A012YXY/S1AY73AJ	-	RFQ	1123	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²