晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
PDTC114YE,115	-	询价	7763	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	PDTC114			150毫W	SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		1微安	NPN - 预偏置	100mV@250μA，5mA	100@5mA，5V		10欧姆	47欧姆
PHE13003C,126	0.0800	询价	5	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头				2.1W	TO-92-3	下载					EAR99	8541.29.0095	3,963																		400V	1.5安		100微安	NPN	1.5V@500mA，1.5A	5@1A，2V	-
BC856BW/DG/B3115	1.0000	询价	9717	恩智浦	*	大部分	的积极					BC856					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BFU520WX	0.4600	询价	第461章	恩智浦	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SC-70、SOT-323	BFU520			450毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000						18.5分贝												12V	30毫安			NPN		60@5mA，8V	10GHz			0.6dB@900MHz
MRF5S19150HR5	-	询价	9074	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	1.4A	32W	14分贝											-			28V
MRF9045LR5	-	询价	2873	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			NI-360	MRF90	945兆赫	LDMOS		NI-360短接头	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50			-	350毫安	45W	18.8分贝											-			28V
IRFZ24N,127	-	询价	5929	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFZ2		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	17A（温度）	10V	70毫欧@10A、10V	4V@1mA	19nC@10V	±20V	500pF@25V	-	45W（温度）
BUK762R0-40C,118	0.9200	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极					山毛洼76					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
MRF085HR3	-	询价	1580	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	133伏		安装结构	NI-650H-4L	MRF08	1.8MHz～1.215GHz	LDMOS		NI-650H-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935351494128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的		2微安	100毫安	85W	25.6分贝											-			50V
BF1102R,115	-	询价	7124	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF110	800兆赫	场效应晶体管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		40毫安	15毫安	-	-											2分贝			5V
PMK35EP,518	-	询价	6361	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	不适用	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		P沟道					30V	14.9A（温度）	10V	19毫欧@9.2A，10V	3V@250μA	42nC@10V	±25V	2100pF@25V	-	6.9W（温度）
CLF1G0035S-100	-	询价	5708	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1
PHB110NQ08T,118	1.0400	询价	750	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	290		N沟道					75V	75A（温度）	10V	9毫欧@25A，10V	4V@1mA	113.1nC@10V	±20V	4860pF@25V	-	230W（温度）
PBSS5350D,135	-	询价	8100	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457				750毫W	6-TSOP	下载					EAR99	8541.29.0075	1																		50V	3A		100nA（ICBO）	国民党	300mV@200mA，2A	100 @ 2A、2V	100兆赫兹
BFR93AW,115	-	询价	3976	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BFR93			300毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000						-												12V	35毫安			NPN		40@30mA，5V	5GHz			1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
博西首页电121135	0.0900	询价	14	恩智浦	*	大部分	的积极					BSH1					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000
PDTA115TT,215	-	询价	3574	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PMV90ENE215	-	询价	9040	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK7528-55A,127	0.2800	询价	4	恩智浦	TrenchMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					55V	42A（温度）	10V	28毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	1165pF@25V	-	99W（温度）
BF1205,135	-	询价	4907	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	800兆赫	场效应晶体管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056890135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应		30毫安	12毫安	-	35分贝											1.2分贝			5V
BUK7Y7R6-40E/GFX	-	询价	3433	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					山毛禅7					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,500人
MRF7S24250NR3	139.4500	询价	144	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	LDMOS		OM-780-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	100毫安	256W	14.7分贝											-			30V
PSMN2R8-40BS,118	0.8300	询价	6	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					40V	100A（温度）	10V	2.9毫欧@10A、10V	4V@1mA	71nC@10V	±20V	4491pF@20V	-	211W（温度）
PDTA144EM，315	0.0300	询价	78	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA14					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000
PUMB2/DG/B3115	0.0300	询价	84	恩智浦	*	大部分	的积极					泵MB2					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BUK9840-55/CUX	-	询价	6412	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					55V	5A（Ta）、10.7A（Tc）	5V	40mOhm@5A、5V	2V@1mA		±10V	1400pF@25V	-	8.3W（温度）
PMK50XP518	1.0000	询价	9556	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道					20V	7.9A（温度）	4.5V	50毫欧@2.8A，4.5V	950mV@250μA	10nC@4.5V	±12V	1020pF@20V	-	5W（温度）
ON5157,127	-	询价	6744	恩智浦	-	管子	的积极			通孔	TO-220-3	ON5157	-	-		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934057064127	EAR99	8541.29.0095	50	-		-		-	-											-
PBSS4032NX,115	0.2000	询价	5	恩智浦	*	大部分	的积极					PBSS4					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000
PH9130AL115	0.2700	询价	511	恩智浦	*	大部分	的积极					PH9130					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1,500人

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²