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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BF909,235	-	RFQ	6850	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF909	800MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934028850235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											2DB			5 v
MRF8S7235NR3	-	RFQ	5031	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8	728MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314786528	5A991G	8541.29.0095	250			-	1.4 a	63W	20dB											-			28 V
BC817-16/6215	0.0200	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	15,000
BC53-10PA，115	-	RFQ	3852	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		80 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
AFT21S230SR3	-	RFQ	7962	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-780S-6	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314997128	5A991G	8541.29.0095	250			-	1.5 a	50W	16.7dB											-			28 V
PDTA124TS，126	-	RFQ	6291	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA124			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		22 KOHMS
BLT50,115	-	RFQ	4323	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BLT5			2W	SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						-												10V	500mA			NPN		25 @ 300mA，5V	470MHz			-
BUK6207-30C，118	-	RFQ	7428	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk62		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.8V @ 1mA	54.8 NC @ 10 V	±16V	3470 pf @ 25 V	-	128W（TC）
MW7IC2425NBR1	-	RFQ	8019	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	TO-272-16变体，平线	MW7IC	2.45GHz	ldmos		TO-272 WB-16	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500			-	55 MA	25W	27.7db											-			28 V
PDTC114YEF，115	-	RFQ	5024	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	PDTC114			250兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V		10 kohms	47科姆斯
BFT25,215	-	RFQ	4589	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFT25			30MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												5V	6.5mA			NPN		20 @ 1mA，1V	2.3GHz			5.5db @ 500MHz
BUK9520-55,127	-	RFQ	9391	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	52A（TC）	5V	20mohm @ 25a，5v	2V @ 1mA		±10V	2400 PF @ 25 V	-	116W（TC）
BUK624R5-30C，118	0.4400	RFQ	24	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道					30 V	90A（TC）	10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±16V	4707 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK762R9-40E/GFJ	-	RFQ	2511	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					Buk76					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800
AFT26H250W03SR6	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4S	AFT26	2.5GHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935323483128	Ear99	8541.29.0095	150			-	700 MA	50W	14.1db											-			28 V
BCX18,215	0.0300	RFQ	130	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0095	1																		25 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
BFU910F	-	RFQ	5055	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	3,000
BUK9E4R4-40B，127	-	RFQ	6907	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	64 NC @ 5 V	±15V	7124 PF @ 25 V	-	254W（TC）
A3G26H501W17SR3	140.6060	RFQ	9327	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3G26					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
PDTA144TE，115	-	RFQ	1239	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA144			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		47科姆斯
BLF4G10-160,112	-	RFQ	6208	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF4	894MHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			15a	900 MA	160W	19.7db											-			28 V
MRF5S21100H3	-	RFQ	3229	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	2.16GHz〜2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-	1.05 a	23W	13.5dB											-			28 V
BFG424W，115	-	RFQ	2830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG42			135MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						22DB												4.5V	30mA			NPN		50 @ 25mA，2V	25GHz			0.8db〜1.2dB @ 900MHz〜2GHz
BFG541,115	-	RFQ	2350	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG54			650MW	SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000						-												15V	120mA			NPN		60 @ 40mA，8v	9GHz			1.3db〜2.4dB @ 900MHz
PSMN023-40YLCX	-	RFQ	5066	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	24A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 5a，10v	1.95V @ 1mA	8.4 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 20 V	-	25W（TC）
PDTC114TEF，115	-	RFQ	1331	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	PDTC114			150兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
MRFE6S9201HSR5	-	RFQ	7713	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	40W	20.8dB											-			28 V
PBLS6001D，115	0.0700	RFQ	111	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS60					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
MMRF1014NT1	13.1400	RFQ	927	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	68 v		表面安装	PLD-1.5	MMRF1014	1.96GHz	ldmos		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-	50 mA	4W	18db											-			28 V
MRF6S23140HR5	-	RFQ	5062	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.3 a	28W	15.2db											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²