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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
BF1100R,215 NXP USA Inc. BF1100R,215 -
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ECAD 第1647章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 14V 表面贴装 SOT-143R BF110 800兆赫 场效应管 SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 10毫安 - - 2分贝 9V
PSMN010-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN010-25YLC,115 -
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ECAD 4953 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PSMN0 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 25V 39A(温度) 4.5V、10V 10.6毫欧@10A、10V 1.95V@1mA 11nC@10V ±20V 678pF@12V - 30W(温度)
BUK961R5-30E,118 NXP USA Inc. BUK961R5-30E,118 -
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ECAD 3018 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 30V 120A(温度) 5V、10V 1.3毫欧@25A,10V 2.1V@1mA 93.4nC@5V ±10V 14500pF@25V - 324W(温度)
BF245C,112 NXP USA Inc. BF245C,112 -
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ECAD 7680 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 30V 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF245 100兆赫兹 结型场效应晶体管 TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 N沟道 25毫安 - - 1.5分贝 15V
BLF8G27LS-100V,118 NXP USA Inc. BLF8G27LS-100V,118 57.2300
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ECAD 74 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 65V 安装结构 SOT-1244B 2.5GHz~2.7GHz LDMOS CDFM6 下载 EAR99 8541.29.0075 6 - 900毫安 25W 17分贝 - 28V
PDTA114ET,235 NXP USA Inc. PDTA114ET,235 0.0200
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ECAD 154 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA114 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V 10欧姆 10欧姆
PHM25NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM25NQ10T,518 -
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ECAD 第1684章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 PHM25 MOSFET(金属O化物) 8-HVSON (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100伏 30.7A(温度) 10V 30毫欧@10A,10V 4V@1mA 10V时为26.6nC ±20V 1800pF@20V - 62.5W(温度)
BLF6G15LS-250PBRN112 NXP USA Inc. BLF6G15LS-250PBRN112 146.3600
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ECAD 59 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
PDTA114EK,115 NXP USA Inc. PDTA114EK,115 -
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ECAD 第1274章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA114 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V 10欧姆 10欧姆
PXTA14,115 NXP USA Inc. PXTA14,115 0.1100
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ECAD 93 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PXTA14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
NX7002BKMB315 NXP USA Inc. NX7002BKMB315 -
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ECAD 3657 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 10,000
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. MRF8S9202NR3 -
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ECAD 1218 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 表面贴装 OM-780-2 MRF8 920兆赫 LDMOS OM-780-2 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935310535528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.3A 58W 19分贝 - 28V
PBSS4240T,215 NXP USA Inc. PBSS4240T,215 -
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ECAD 5475 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
BUK7628-100A,118 NXP USA Inc. BUK7628-100A,118 0.6300
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ECAD 6 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 47A(温度) 10V 28毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 3100pF@25V - 166W(温度)
BFQ18A,115 NXP USA Inc. BFQ18A,115 -
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ECAD 8250 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA BFQ18 1W SOT-89-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 18V 150毫安 NPN 25@100mA,10V 4GHz -
PMXB120EPE147 NXP USA Inc. PMXB120EPE147 -
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ECAD 第1459章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 5,000
MRF5S19150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S19150HSR3 -
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ECAD 7120 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-880S MRF5 1.99GHz LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.4A 32W 14分贝 - 28V
MRF6V10010NR4 NXP USA Inc. MRF6V10010NR4 94.7400
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ECAD 212 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 100伏 表面贴装 PLD-1.5 MRF6V10010 1.09GHz LDMOS PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 100 - 10毫安 10W 25分贝 - 50V
MRF6S21050LR3 NXP USA Inc. MRF6S21050LR3 -
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ECAD 7368 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-400 MRF6 2.16GHz LDMOS NI-400 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 450毫安 11.5W 16分贝 - 28V
PHP143NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP143NQ04T,127 -
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ECAD 7997 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP14 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 5.2毫欧@25A,10V 4V@1mA 52nC@10V ±20V 2840pF@25V - 200W(温度)
BUK7Y72-80EX NXP USA Inc. BUK7Y72-80EX -
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ECAD 3237 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 80V 16A(温度) 10V 72mOhm@5A,10V 4V@1mA 9.8nC@10V ±20V 633pF@25V - 45W(温度)
MRFX600HSR5 NXP USA Inc. MRFX600HSR5 140.6500
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ECAD 30 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 179伏 表面贴装 NI-780S-4L MRFX600 1.8MHz~400MHz LDMOS NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 10微安 100毫安 600W 26.4分贝 - 65V
PUMB16,115 NXP USA Inc. 泵16,115 0.0200
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ECAD 112 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 泵16 300毫W SOT-363 下载 EAR99 8541.21.0095 1 50V 100毫安 1微安 2 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 80@5mA,5V - 22k欧姆 47k欧姆
J2A012ZXS/S1AZ299J NXP USA Inc. J2A012ZXS/S1AZ299J -
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ECAD 5957 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J2A0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
BF199,112 NXP USA Inc. BF199,112 -
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ECAD 4532 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF199 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 25V 25毫安 100nA(ICBO) NPN - 38@7mA,10V 550兆赫
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A,118 -
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ECAD 9906 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 8毫欧@25A,10V 2V@1mA 60nC@5V ±15V 4633pF@25V - 211W(温度)
MMRF1305HSR5 NXP USA Inc. MMRF1305HSR5 88.7162
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ECAD 1628 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 NI-780S-4L MMRF1305 512兆赫 LDMOS NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935318166178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 100W 26分贝 - 50V
PDTA114ES,126 NXP USA Inc. PDTA114ES,126 -
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ECAD 2746 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTA114 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V 10欧姆 10欧姆
PUMB18,115 NXP USA Inc. 泵18,115 -
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ECAD 6889 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PUMB18 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PSMN035-150B,118 NXP USA Inc. PSMN035-150B,118 -
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ECAD 9888 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PSMN0 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800
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    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库