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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. AFT09H310-03SR6 -
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ECAD 8970 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-1230S AF09 920兆赫 LDMOS NI-1230S - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935324687128 EAR99 8541.29.0075 150 - 680毫安 56W 17.9分贝 - 28V
BUK9516-75B,127 NXP USA Inc. BUK9516-75B,127 -
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ECAD 4511 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 67A(温度) 4.5V、10V 14毫欧@25A,10V 2V@1mA 35nC@5V ±15V 4034pF@25V - 157W(温度)
PML260SN,118 NXP USA Inc. PML260SN,118 0.3600
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ECAD 6829 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 EAR99 8541.29.0095 第636章 N沟道 200V 8.8A(温度) 6V、10V 294毫欧@2.6A,10V 4V@1mA 13.3nC@10V ±20V 657pF@30V - 50W(温度)
BUK7E4R3-75C,127 NXP USA Inc. BUK7E4R3-75C,127 -
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ECAD 7802 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 100A(温度) 10V 4.3毫欧@25A,10V 4V@1mA 142nC@10V ±20V 11659pF@25V - 333W(温度)
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. AFT09MP055NR1 21.9432
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ECAD 8536 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 40V 表面贴装 TO-270AB AF09 870兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935315139528 EAR99 8541.29.0075 500 - 550毫安 1W 15.7分贝 - 12.5V
2PD601ASL,215 NXP USA Inc. 2PD601ASL,215 0.0200
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ECAD 5699 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 2PD60 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
PMBT2222,235 NXP USA Inc. PMBT2222,235 0.0200
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ECAD 60 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMBT2222 250毫W SOT-23 - EAR99 8541.21.0075 1 30V 600毫安 10nA(ICBO) NPN 1.6V@50mA、500mA 100@150mA,10V 250兆赫
MRF6S19120HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19120HSR5 -
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ECAD 5535 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1A 19W 15分贝 - 28V
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T21H410-24SR6 -
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ECAD 第1483章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230-4LS2L A2T21 2.17GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935312756128 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 600毫安 72W 15.6分贝 - 28V
BF240,112 NXP USA Inc. BF240,112 -
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ECAD 3286 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF240 300毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 - 40V 25毫安 NPN 67@1mA,10V 150兆赫 -
MMRF1306HR5 NXP USA Inc. MMRF1306HR5 197.1090
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ECAD 6339 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 安装结构 SOT-979A MMRF1306 230兆赫 LDMOS NI-1230-4H 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 1250W 24分贝 - 50V
BSH205G2235 NXP USA Inc. BSH205G2235 -
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ECAD 4171 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 10,000
BC55-10PAS115 NXP USA Inc. BC55-10PAS115 1.0000
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ECAD 1903年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTC123YM,315 NXP USA Inc. PDTC123YM,315 0.0300
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC123 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000
MRF13750HR5 NXP USA Inc. MRF13750HR5 201.2460
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ECAD 3451 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 105V 安装结构 SOT-979A MRF13750 700MHz~1.3GHz LDMOS NI-1230-4H 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 10微安 650W 20.6分贝 - 50V
PDTA143XE,135 NXP USA Inc. PDTA143XE,135 -
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ECAD 6446 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTA143 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 50@10mA,5V 4.7欧姆 10欧姆
BLA6H0912-500112 NXP USA Inc. BLA6H0912-500112 568.7800
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ECAD 74 0.00000000 恩智浦 - 托盘 不适合新设计 100伏 SOT634A 960MHz~1.22GHz LDMOS CDFM2 下载 不适用 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 1 54A 100毫安 450W 17分贝 - 50V
BUK6208-40C,118 NXP USA Inc. BUK6208-40C,118 -
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ECAD 5165 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 山毛凹62 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 90A(温度) 4.5V、10V 6.2毫欧@15A,10V 2.8V@1mA 67nC@10V ±16V 3720pF@25V - 128W(温度)
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. PDTD113EK,115 -
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ECAD 7770 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTD113 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 500毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 33@50mA,5V 1欧姆 1欧姆
BFS17A,235 NXP USA Inc. BFS17A,235 -
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ECAD 8751 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFS17 300毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 933750250235 EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25毫安 NPN 25@2mA,1V 2.8GHz 2.5dB@800MHz
BCM857BV,315 NXP USA Inc. BCM857BV,315 -
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ECAD 9091 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 BCM857 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100毫安 15nA(ICBO) 2 PNP(双)匹配 400毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 175兆赫
BUK9E4R4-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E4R4-40B,127 -
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ECAD 6907 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 布克9 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 4mOhm@25A,10V 2V@1mA 64nC@5V ±15V 7124pF@25V - 254W(温度)
BC857AW,135 NXP USA Inc. BC857AW,135 0.0200
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ECAD 310 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 600毫伏@5毫安、100毫安 125@2mA,5V 100兆赫兹
PSMN023-80LS,115 NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115 -
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ECAD 7471 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 PSMN0 MOSFET(金属O化物) 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,400 N沟道 80V 34A(温度) 10V 23毫欧@10A,10V 4V@1mA 21nC@10V ±20V 1295pF@40V - 65W(温度)
BUK9520-55,127 NXP USA Inc. BUK9520-55,127 -
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ECAD 9391 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 52A(温度) 5V 20毫欧@25A,5V 2V@1mA ±10V 25V时为2400pF - 116W(温度)
PBSS5580PA,115 NXP USA Inc. PBSS5580PA,115 -
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ECAD 2987 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BC807-25W,115 NXP USA Inc. BC807-25W,115 0.0200
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ECAD 133 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC80 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
NXP3875Y,215 NXP USA Inc. 恩智浦3875Y,215 -
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ECAD 7474 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
PDTC114YE,115 NXP USA Inc. PDTC114YE,115 -
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ECAD 7763 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTC114 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@5mA,5V 10欧姆 47欧姆
PHE13003C,126 NXP USA Inc. PHE13003C,126 0.0800
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2.1W TO-92-3 下载 EAR99 8541.29.0095 3,963 400V 1.5安 100微安 NPN 1.5V@500mA,1.5A 5@1A,2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库