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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTD123YS，126	-	RFQ	6845	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTD123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	500 MA		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V		2.2 kohms	10 kohms
MRF6V10010NR4	94.7400	RFQ	212	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v		表面安装	PLD-1.5	MRF6V10010	1.09GHz	ldmos		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100			-	10 MA	10W	25DB											-			50 V
BUK9509-55A，127	-	RFQ	8053	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±15V	4633 PF @ 25 V	-	211W（TC）
MRF18030ALSR3	-	RFQ	3797	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-400s	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		Ni-400s	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	250			-	250 MA	30W	14dB											-			26 V
BFT92,215	-	RFQ	5042	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFT92			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	25mA			PNP		20 @ 14mA，10v	5GHz			2.5db @ 500MHz
MRFE6VP61K25GSR5	227.0268	RFQ	3977	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	NI-1230S-4 GW	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230S-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311183178	5A991G	8541.29.0095	50			-	100 ma	1250W	24dB											-			50 V
BC547,116	-	RFQ	7050	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC54			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PDTA144EU，115	0.0200	RFQ	44	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	PDTA144			200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
PHD77NQ03T，118	-	RFQ	8697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD77		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	10V	9.5MOHM @ 25A，10V	3.2V @ 1mA	17.1 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 12 V	-	107W（TC）
BF820W，115	0.0400	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BF820					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MMRF1305HSR5	88.7162	RFQ	1628年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	NI-780S-4L	MMRF1305	512MHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318166178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	100W	26dB											-			50 V
BFS20W115	1.0000	RFQ	3331	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1
PUMH2/L135	0.0300	RFQ	212	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
BUK754R3-40B，127	-	RFQ	4691	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4824 PF @ 25 V	-	254W（TC）
BUK753R4-30B，127	-	RFQ	4637	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	10V	3.4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	75 NC @ 10 V	±20V	4951 PF @ 25 V	-	255W（TC）
PDTC123JM，315	0.0200	RFQ	2672	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC123			250兆	DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0075	10,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
ON5407,135	-	RFQ	3145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5407	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934059372135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
PH2525L，115	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PH25					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
BUK9Y98-80E，115	-	RFQ	6303	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y98		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067034115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	-		-	-				-	-
MRF377HR5	-	RFQ	7124	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	860MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	50			-	2 a	45W	18.2db											-			32 v
PHB20N06T，118	0.3600	RFQ	2034	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	20.3A（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	483 pf @ 25 V	-	62W（TC）
BUK7K35-60EX	-	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k35		MOSFET （金属 o化物）	38W	LFPAK56D	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						60V	20.7a		30mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	12.5nc @ 10V		794pf @ 25V	-
PMR290XN，115	-	RFQ	1678年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PMR2		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	970mA（tc）	2.5V，4.5V	350MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.72 NC @ 4.5 V	±12V	34 pf @ 20 V	-	530MW（TC）
MPSA64,116	-	RFQ	9407	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA64			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		30 V	500 MA		100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
MRF6VP3450HR6	-	RFQ	3489	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	860MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	1.4 a	90W	22.5dB											-			50 V
PDTA114EM/L315	0.0300	RFQ	6523	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	7,000
MMRF1019NR4	77.8600	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	100 v		表面安装	PLD-1.5	MMRF1019	1.09GHz	ldmos		PLD-1.5	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100			-	10 MA	10W	25DB											-			50 V
BC557,116	-	RFQ	2738	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC55			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
MRF1K50GNR5	199.0600	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50 V		底盘安装	OM-1230G-4L	MRF1K50	1.8MHz〜500MHz	ldmos		OM-1230G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		1500W	23dB											-			50 V
BUK7526-100B，127	-	RFQ	3903	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100		n通道					100 v	49A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2891 PF @ 25 V	-	157W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²