晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	噪声系数（dB Typ @ f）
PHB33NQ20T,118	-	询价	6095	恩智浦	*	大部分	的积极					PHB33					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
PMT760EN,135	-	询价	4263	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	PMT7		MOSFET（金属O化物）		SC-73	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					100伏	900mA（塔）	4.5V、10V	950mOhm@800mA，10V	2.5V@250μA	3nC@10V	±20V	80V时为160pF	-	800mW（Ta）、6.2W（Tc）
MRF8P23160WHR3	-	询价	3226	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			NI-780-4	MRF8	2.32GHz	场效应晶体管		NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935317531128	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道		-	600毫安	30W	14.1分贝											-			28V
MRF21010LSR5	-	询价	1980年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-360S	MRF21	2.17GHz	LDMOS		NI-360S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50			-	100毫安	10W	13.5分贝											-			28V
PHPT61010PY115	-	询价	2201	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
PMZB950UPE315	-	询价	第1274章	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
NX3008NBKT,115	-	询价	2280	恩智浦	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	NX30		MOSFET（金属O化物）		SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	350mA（塔）	1.8V、4.5V	1.4欧姆@350mA，4.5V	1.1V@250μA	0.68nC@4.5V	±8V	50pF@15V	-	250mW（Ta）、770mW（Tc）
MRF6S21050LR3	-	询价	7368	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	NI-400	MRF6	2.16GHz	LDMOS		NI-400	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	450毫安	11.5W	16分贝											-			28V
2PA1774QMB315	0.0400	询价	57	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN				250毫W	DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		40V	100毫安		100nA（ICBO）	国民党	200毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	100兆赫兹
PHP143NQ04T,127	-	询价	7997	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP14		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	75A（温度）	10V	5.2毫欧@25A，10V	4V@1mA	52nC@10V	±20V	2840pF@25V	-	200W（温度）
BUK761R8-30C,118	-	询价	第1442章	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼76		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					30V	100A（温度）	10V	1.8毫欧@25A，10V	4V@1mA	150nC@10V	±20V	10349pF@25V	-	333W（温度）
BUK7Y72-80EX	-	询价	3237	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669			MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					80V	16A（温度）	10V	72mOhm@5A，10V	4V@1mA	9.8nC@10V	±20V	633pF@25V	-	45W（温度）
MRFG35003N6T1	-	询价	2223	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000			-	180毫安	3W	9分贝											-			6V
MRF6V10010NR4	94.7400	询价	212	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	100伏		表面贴装	PLD-1.5	MRF6V10010	1.09GHz	LDMOS		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100			-	10毫安	10W	25分贝											-			50V
PBSS301NX,115	0.2000	询价	第432章	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				2.1W	SOT-89	下载					EAR99	8541.29.0075	1,495																		12V	5.3A		100nA（ICBO）	NPN	200mV@265mA，5.3A	250@2A、2V	140兆赫
MRF5S19150HSR3	-	询价	7120	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			NI-880S	MRF5	1.99GHz	LDMOS		NI-880S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250			-	1.4A	32W	14分贝											-			28V
BC858W,115	1.0000	询价	2509	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		30V	100毫安		15nA（ICBO）	国民党	600毫伏@5毫安、100毫安	125@2mA，5V	100兆赫兹
PDTA144TE115	0.0400	询价	90	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA144					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK7E2R3-40C,127	0.9700	询价	4	恩智浦	*	管子	的积极					山毛禅7					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
BFU530R	0.4000	询价	第339章	恩智浦	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BFU530			450毫W	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						21.5分贝												12V	40毫安			NPN		60@10mA，8V	11GHz		0.6dB@900MHz
BFT25,215	-	询价	4589	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		175°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFT25			30毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						-												5V	6.5毫安			NPN		20@1mA，1V	2.3GHz		5.5dB@500MHz
A3T18H360W23SR6	83.7375	询价	第1649章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	ACP-1230S-4L2S	A3T18	1.8GHz～1.88GHz	LDMOS		ACP-1230S-4L2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935346354128	EAR99	8541.29.0075	150			10微安	700毫安	63W	16.6分贝											-			28V
PH3075L,115	-	询价	6024	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669	PH30		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					75V	30A（温度）	4.5V、10V	28毫欧@15A，10V	2.3V@1mA	19nC@5V	±15V	2070pF@25V	-	75W（温度）
PBSS5260PAP,115	1.0000	询价	5054	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-UFDFN 裸露焊盘	PBSS5260			510毫W	6-休森 (2x2)	下载					EAR99	8541.29.0075	1																		60V	2A		100nA（ICBO）	2 PNP（双）	500mV@200mA，2A	110@1A，2V	100兆赫兹
PSMN050-80BS,118	-	询价	9168	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	800		N沟道					80V	22A（温度）	10V	46mOhm@10A，10V	4V@1mA	11nC@10V	±20V	633pF@12V	-	56W（温度）
PDTB123TS,126	-	询价	7639	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PDTB123			500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	500毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	100@50mA，5V		2.2欧姆
MRF377HR5	-	询价	7124	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-860C3	MRF37	860兆赫	LDMOS		NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	50			-	2A	45W	18.2分贝											-			32V
MRF7S27130HR5	-	询价	3250	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF7	2.7GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.5A	23W	16.5分贝											-			28V
PHB20N06T,118	0.3600	询价	2034	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		N沟道					55V	20.3A（温度）	10V	75毫欧@10A，10V	4V@1mA	11nC@10V	±20V	483pF@25V	-	62W（温度）
PBR941B,215	-	询价	5671	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PBR94			360毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						-												10V	50毫安			NPN		100 @ 5mA，6V	9GHz		1.5dB~2.5dB@1GHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²