SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
MRF7S27130HSR3 NXP USA Inc. MRF7S27130HSR3 -
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 2.7GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935316811128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 23W 16.5db - 28 V
BUK7513-75B,127 NXP USA Inc. BUK7513-75B,127 0.4400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * 管子 积极的 Buk75 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
PMV62XN,215 NXP USA Inc. PMV62XN,215 -
RFQ
ECAD 7380 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 PMV6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934066503215 Ear99 8541.29.0095 3,000
MPSA06,126 NXP USA Inc. MPSA06,126 -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA06 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 MA 50NA(iCBO) NPN 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
AFT18S230SR5 NXP USA Inc. AFT18S230SR5 128.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-6 AFT18 1.88GHz ldmos NI-780S-6 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0095 50 - 1.8 a 50W 19db - 28 V
BLS3135-50,114 NXP USA Inc. BLS3135-50,114 -
RFQ
ECAD 7038 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 200°C(TJ) 表面安装 SOT-422A bls3 80W CDFM2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4 8DB 75V 6a NPN 40 @ 1.5A,5V 3.5GHz -
BUK664R6-40C,118 NXP USA Inc. BUK664R6-40C,118 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk66 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 800
MRF7S38075HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38075HSR3 -
RFQ
ECAD 8862 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 MA 12W 14dB - 30 V
BUK7614-55A,118 NXP USA Inc. BUK7614-55A,118 -
RFQ
ECAD 4647 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 73A(TC) 10V 14mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 2464 PF @ 25 V - 166W(TC)
AFT21S220W02SR3 NXP USA Inc. AFT21S220W02SR3 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 AFT21 2.14GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935311938128 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 a 50W 19.1db - 28 V
MRF8S21200HSR5 NXP USA Inc. MRF8S21200HSR5 -
RFQ
ECAD 7216 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 NI-1230S MRF8 2.14GHz ldmos NI-1230S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4 a 48W 18.1db - 28 V
BC856B/DG/B3235 NXP USA Inc. BC856B/DG/B3235 0.0200
RFQ
ECAD 230 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC856 250兆 TO-236AB 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
BC517,116 NXP USA Inc. BC517,116 -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC51 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1V @ 100µA,100mA 30000 @ 20mA,2V 220MHz
BCV27/DG/B2215 NXP USA Inc. BCV27/DG/B2215 1.0000
RFQ
ECAD 2209 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
PBLS4004D,115 NXP USA Inc. PBLS4004D,115 -
RFQ
ECAD 7074 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 PBLS4004 600MW 6-TSOP 下载 Ear99 8541.21.0075 3,372 50V,40V 100mA,700mA 1µA,100NA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 310mv @ 100mA,1a 60 @ 5mA,5v / 300 @ 100mA,5V 150MHz 22KOHMS 22KOHMS
A3T21H456W23SR6 NXP USA Inc. A3T21H456W23SR6 93.4511
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 A3T21 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 150
PBRN113EK,115 NXP USA Inc. PBRN113EK,115 -
RFQ
ECAD 8611 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PBRN113 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 40 V 600 MA 500NA npn-预先偏见 1.15V @ 8mA,800mA 180 @ 300mA,5V 1 kohms 1 kohms
BC52-10PAS115 NXP USA Inc. BC52-10PAS115 -
RFQ
ECAD 6430 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
PUMH13/ZL115 NXP USA Inc. PUMH13/ZL115 0.0500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
BFU910F NXP USA Inc. BFU910F -
RFQ
ECAD 5055 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 3,000
PMMT591A,235 NXP USA Inc. PMMT591A,235 -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMMT5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
BFU530R NXP USA Inc. BFU530R 0.4000
RFQ
ECAD 339 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFU530 450MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 21.5db 12V 40mA NPN 60 @ 10mA,8v 11GHz 0.6dB @ 900MHz
PHB66NQ03LT NXP USA Inc. PHB66NQ03LT 0.4000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.29.0095 800
BC807-25QAZ NXP USA Inc. BC807-25QAZ 0.0300
RFQ
ECAD 505 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-XDFN暴露垫 900兆 DFN1010D-3 下载 Ear99 8541.21.0095 9,306 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 700mv @ 50mA,500mA 40 @ 500mA,1V 80MHz
PHM25NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM25NQ10T,518 -
RFQ
ECAD 1684年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 PHM25 MOSFET (金属 o化物) 8-hvson(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 30.7A(TC) 10V 30mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 26.6 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 20 V - 62.5W(TC)
MMRF1004NR1 NXP USA Inc. MMRF1004NR1 31.9300
RFQ
ECAD 449 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 TO-270AA MMRF1004 2.17GHz ldmos TO-270-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 130 MA 10W 15.5db - 28 V
BUK663R7-75C,118 NXP USA Inc. BUK663R7-75C,118 -
RFQ
ECAD 9920 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 75 v 120A(TC) 4.5V,10V 4mohm @ 25a,10v 2.8V @ 1mA 234 NC @ 10 V ±16V 15450 pf @ 25 V - 306W(TC)
PDTC144VS,126 NXP USA Inc. PDTC144VS,126 -
RFQ
ECAD 8258 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC144 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 40 @ 5mA,5V 47科姆斯 10 kohms
MRF6S9125NR1 NXP USA Inc. MRF6S9125NR1 -
RFQ
ECAD 3126 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 TO-270AB MRF6 880MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 950 MA 27W 20.2dB - 28 V
BUJD203AD,118 NXP USA Inc. BUJD203AD,118 -
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 80 W DPAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 425 v 4 a 100µA NPN 1V @ 600mA,3a 11 @ 2a,5v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库