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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
BUK794R1-40BT,127 NXP USA Inc. BUK794R1-40BT,127 -
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ECAD 5785 0.00000000 恩智浦 TrenchPLUS 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-5 山毛洼79 MOSFET(金属O化物) TO-220-5 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.1毫欧@50A,10V 4V@1mA 83nC@10V ±20V 6808pF@25V 温度传感方向 272W(温度)
BFS25A,115 NXP USA Inc. BFS25A,115 -
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ECAD 4004 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BFS25 32毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 - 5V 6.5毫安 NPN 50@500μA,1V 5GHz 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
BC847C/DG/B2215 NXP USA Inc. BC847C/DG/B2215 0.0200
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ECAD 63 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PVR100AD-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B3V0,115 -
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ECAD 3955 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 个人录像10 300毫W SC-74 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
MRF8S9202GNR3,528 NXP USA Inc. MRF8S9202GNR3,528 123.4300
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0075 1
BUK7Y08-40B/C,115 NXP USA Inc. BUK7Y08-40B/C,115 -
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ECAD 4690 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 山毛蚀刻7Y08 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934064767115 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 40V 75A(温度) 10V 8毫欧@25A,10V 4V@1mA 10V时为36.3nC ±20V 2040pF@25V - 105W(温度)
BUK9245-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK9245-55A/C1118 0.2400
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人
PBRN113ES,126 NXP USA Inc. PBRN113ES,126 -
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ECAD 3291 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRN113 700毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 40V 800毫安 500纳安 NPN - 预偏置 1.15V@8mA,800mA 180@300mA,5V 1欧姆 1欧姆
BUK661R6-30C118 NXP USA Inc. BUK661R6-30C118 0.8800
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 120A(温度) 10V 1.6毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 229nC@10V ±16V 14964pF@25V - 306W(温度)
BUK9675-55A118 NXP USA Inc. BUK9675-55A118 0.4800
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 第683章
PHP165NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP165NQ08T,127 -
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ECAD 第1562章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PHP16 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934062188127 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 75A(温度) 10V 5毫欧@25A,10V 4V@1mA 165nC@10V ±20V 8250pF@25V - 250W(温度)
PUMH2/L135 NXP USA Inc. PUMH2/L135 0.0300
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ECAD 212 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 10,000
BUK7675-55A,118 NXP USA Inc. BUK7675-55A,118 -
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ECAD 8633 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛洼76 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800
PMN27UP,115-NXP NXP USA Inc. PMN27UP,115-恩智浦 -
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ECAD 2799 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 3,000 P沟道 20V 5.7A(塔) 32毫欧@2.4A,4.5V 950mV@250μA 31nC@4.5V ±8V 10V时为2340pF - 540mW(Ta),6.25W(Tc)
PUMH14,115 NXP USA Inc. PUMH14,115 -
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ECAD 9681 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PUMH14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
MRF6VP3450HSR5-NXP NXP USA Inc. MRF6VP3450HSR5-恩智浦 225.1400
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ECAD 13 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 110V 安装结构 NI-1230-4S 470MHz~860MHz LDMOS NI-1230-4S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 10微安 1.4A 450W 22.5分贝 - 50V
MRF5S21130HR3 NXP USA Inc. MRF5S21130HR3 -
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ECAD 9746 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF5 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2A 28W 13.5分贝 - 28V
PBSS8110Z,135 NXP USA Inc. PBSS8110Z,135 -
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ECAD 8400 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS8 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000
AFT09MS015NT1 NXP USA Inc. AFT09MS015NT1 6.1700
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ECAD 1226 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 40V 表面贴装 PLD-1.5W AF09 870兆赫 LDMOS PLD-1.5W 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0040 1,000 - 100毫安 16W 17.2分贝 - 12.5V
AFV121KH-960MHZ NXP USA Inc. AFV121KH-960MHZ 1.0000
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ECAD 3060 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 112V 安装结构 NI-1230-4S 960MHz~1.215GHz LDMOS(双) NI-1230-4S - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 568-AFV121KH-960MHZ EAR99 8541.29.0095 1 2 N 沟道 10微安 100毫安 1000W 19.6分贝 - 50V
MMRF1314HR5 NXP USA Inc. MMRF1314HR5 603.9620
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ECAD 4362 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 105V 安装结构 SOT-979A MMRF1314 1.4GHz LDMOS NI-1230-4H 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 双重的 - 100毫安 1000W 17.7分贝 - 50V
PDTB114EU115 NXP USA Inc. PDTB114EU115 1.0000
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ECAD 8066 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1
PDTC114YM315 NXP USA Inc. PDTC114YM315 -
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ECAD 4864 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 PDTC114 250毫W DFN1006-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@5mA,5V 230兆赫 10欧姆 47欧姆
PMN38EN,165 NXP USA Inc. PMN38EN,165 -
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ECAD 2429 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞N3 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934060023165 EAR99 8541.29.0095 10,000 N沟道 30V 5.4A(温度) 4.5V、10V 38毫欧@3A,10V 2V@1mA 6.1nC@4.5V ±20V 495pF@25V - 1.75W(温度)
A2I08H040NR1 NXP USA Inc. A2I08H040NR1 -
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ECAD 5353 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 TO-270-15 变体,薄牛皮 A2I08 920兆赫 LDMOS TO-270WB-15 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.33.0001 500 双重的 - 25毫安 9W 30.7分贝 - 28V
BUJ103AX,127 NXP USA Inc. BUJ103AX,127 0.4000
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ECAD 10 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 26W TO-220F 下载 EAR99 8541.29.0095 第760章 400V 4A 100微安 NPN 1V@600mA,3A 12 @ 500mA,5V -
ON5233,118 NXP USA Inc. ON5233,118 -
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ECAD 3804 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 ON5233 - - DPAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934056765118 EAR99 8541.29.0095 2,500人 - - - - -
BLF4G20LS-130,112 NXP USA Inc. BLF4G20LS-130,112 -
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ECAD 8910 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502B BLF4 1.93GHz~1.99GHz LDMOS SOT502B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 60 15A 900毫安 130W 14.6分贝 - 28V
BUK7610-100B,118 NXP USA Inc. BUK7610-100B,118 -
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ECAD 4013 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛洼76 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800
PEMD10,115 NXP USA Inc. PEMD10,115 1.0000
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ECAD 5202 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMD10 300毫W SOT-666 下载 0000.00.0000 1 50V 100毫安 1微安 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 100mV@250μA,5mA 100@10mA,5V - 2.2k欧姆 47k欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库