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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PHP83N03LT，127	-	RFQ	9529	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP83		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	33 NC @ 5 V	±15V	1660 pf @ 25 V	-	115W（TC）
PH3075L，115	-	RFQ	6024	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH30		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					75 v	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 15a，10v	2.3V @ 1mA	19 nc @ 5 V	±15V	2070 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BC817-16/6215	0.0200	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	15,000
PBRN123EK，115	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBRN123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		40 V	600 MA		500NA	npn-预先偏见	1.15V @ 8mA，800mA	280 @ 300mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
MRF7S38075HSR5	-	RFQ	8378	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	12W	14dB											-			30 V
MRFG35003ANT1	-	RFQ	3304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-	55 MA	3W	10.8db											-			12 v
BUK763R9-60E/GFJ	-	RFQ	8616	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					Buk76					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800
BFT92W，115	-	RFQ	8868	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFT92			300MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	25mA			PNP		20 @ 15mA，10v	4GHz			2.5db〜3db @ 500MHz〜1GHz
PDTA113Z，126	-	RFQ	3139	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA113			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，5v		1 kohms	10 kohms
MRF8P23080HSR5	-	RFQ	3843	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.3GHz	ldmos		NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	280 MA	16W	14.6dB											-			28 V
BCP54-16,115	-	RFQ	6572	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCP54					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000
BC547B，116	-	RFQ	7702	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC54			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
MRF21010LR5	-	RFQ	2381	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360	MRF21	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	100 ma	10W	13.5dB											-			28 V
BLF6G10LS-200,118	-	RFQ	6306	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF6	871.5MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100			49a	1.4 a	40W	20.2dB											-			28 V
MRF7S21210HR5	-	RFQ	1245	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	63W	18.5db											-			28 V
A3G26D055N-1805	675.0000	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		100MHz〜2.69GHz	甘		6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1			-	40 MA	8W	13.9db											-			48 v
MRF5S9100MR1	-	RFQ	5044	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF5	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	20W	19.5db											-			26 V
PHB101NQ04T，118	-	RFQ	8383	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB10		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36.6 NC @ 10 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BF1212R，215	-	RFQ	4180	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SOT-143R	BF121	400MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30dB											0.9dB			5 v
PDTC143TE，115	-	RFQ	3616	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC143			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	200 @ 1mA，5V		4.7科姆斯
MRF7S19170HSR3	-	RFQ	7830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935319253128	Ear99	8541.21.0075	250			-	1.4 a	50W	17.2db											-			28 V
MRF6S19060GNR1	-	RFQ	8032	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270BA	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-			28 V
MRFE6P3300HR3	-	RFQ	9840	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-860C3	MRFE6	857MHz〜863MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.6 a	270W	20.4dB											-			32 v
PHX20N06T，127	-	RFQ	1562	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	12.9a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	9.8 NC @ 10 V	±20V	320 pf @ 25 V	-	23W（TC）
AFT09H310-03SR6	-	RFQ	8970	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-1230S	AFT09	920MHz	ldmos		NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935324687128	Ear99	8541.29.0075	150			-	680 MA	56W	17.9db											-			28 V
BUK7C1R4-40EJ	-	RFQ	9023	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c1		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067489118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	-		-	-				-	-
MRF18060ALR3	-	RFQ	5791	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	500 MA	60W	13DB											-			26 V
PEMZ7315	-	RFQ	1747年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BCX70J，235	0.0200	RFQ	9735	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	13,000																		45 v	100 ma		20NA（ICBO）	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
PSMN023-80L，115	-	RFQ	7471	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,400		n通道					80 V	34A（TC）	10V	23mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	1295 PF @ 40 V	-	65W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²