晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
MRF9030LR5	-	询价	5419	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	NI-360	MRF90	945兆赫	LDMOS		NI-360	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50			-	250毫安	30W	19分贝											-			26V
PMCM6501VNE023	-	询价	3378	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
BC857W,135	0.0200	询价	1	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC857			200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		45V	100毫安		15nA（ICBO）	国民党	600毫伏@5毫安、100毫安	125@2mA，5V	100兆赫兹
BF998R,235	-	询价	5842	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	12V		表面贴装	SOT-143R	BF998	200兆赫	场效应晶体管		SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934002660235	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应		30毫安	10毫安	-	-											0.6分贝			8V
PDTC143ES,126	-	询价	5268	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PDTC143			500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	100毫安		1微安	NPN - 预偏置	150mV@500μA，10mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
PHPT60415NY115	0.2300	询价	3981	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,500人
MW7IC2425NBR1	-	询价	8019	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	TO-272-16 变体，薄牛皮	MW7IC	2.45GHz	LDMOS		TO-272 WB-16	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500			-	55毫安	25W	27.7分贝											-			28V
MRF8S19260HSR6	-	询价	5639	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-1110B	MRF8	1.99GHz	LDMOS		NI1230S-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935310356128	EAR99	8541.29.0075	150	双重的		-	1.6安	74W	18.2分贝											-			30V
PSMN023-40YLCX	-	询价	5066	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669	PSMN0		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					40V	24A（温度）	4.5V、10V	23毫欧@5A，10V	1.95V@1mA	10V时为8.4nC	±20V	520pF@20V	-	25W（温度）
MRF7S16150HSR3	-	询价	5157	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF7	1.6GHz～1.66GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.5A	32W	19.7分贝											-			28V
PHT4NQ10LT,135	-	询价	1796	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	PHT4		MOSFET（金属O化物）		SC-73	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					100伏	3.5A（温度）	5V	250mOhm@1.75A，5V	2V@1mA	12.2nC@5V	±16V	374pF@25V	-	6.9W（温度）
PDTC123EMB	1.0000	询价	5216	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTC123					下载						0000.00.0000	1
BCM847DS/DG/B2115	0.0600	询价	12	恩智浦	*	大部分	的积极					BCM847					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
A2T18S261W12NR3	-	询价	6553	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	OM-880X-2L2L	A2T18	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		OM-880X-2L2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935338749528	EAR99	8541.29.0075	250			10微安	1.5A	280W	18.2分贝											-			28V
MMRF1015NR1	20.9500	询价	第355章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	68V		表面贴装	TO-270-2	MMRF1015	960兆赫	LDMOS		TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500			-	125毫安	10W	18分贝											-			28V
AFT09MP055NR1	21.9432	询价	8536	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	40V		表面贴装	TO-270AB	AF09	870兆赫	LDMOS		TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315139528	EAR99	8541.29.0075	500			-	550毫安	1W	15.7分贝											-			12.5V
PDTC123YMB315	0.0200	询价	2063	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTC123					下载					EAR99	8541.21.0075	4,895
BUK7C2R2-60EJ	-	询价	6677	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	山毛凹7C2		MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067492118	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					60V	-		-	-				-	-
PMN35EN,115	-	询价	2233	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	中性粒细胞N3		MOSFET（金属O化物）		SC-74	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	5.1A（塔）	4.5V、10V	31毫欧@5.1A，10V	2.5V@250μA	9.3nC@10V	±20V	15V时为334pF	-	500毫W（塔）
PML260SN,118	0.3600	询价	6829	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		DFN3333-8	下载					EAR99	8541.29.0095	第636章		N沟道					200V	8.8A（温度）	6V、10V	294毫欧@2.6A，10V	4V@1mA	13.3nC@10V	±20V	657pF@30V	-	50W（温度）
AFT09H310-03SR6	-	询价	8970	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V		安装结构	NI-1230S	AF09	920兆赫	LDMOS		NI-1230S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935324687128	EAR99	8541.29.0075	150			-	680毫安	56W	17.9分贝											-			28V
MRF6V2010NR1	-	询价	9055	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V		表面贴装	TO-270AA	MRF6	220兆赫	LDMOS		TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500			-	30毫安	10W	23.9分贝											-			50V
PSMN017-80PS,127	-	询价	4106	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN0					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000
BC859C,215	-	询价	7427	恩智浦	*	大部分	的积极					BC85					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
PSMN035-150P	1.0000	询价	2084	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
PMZB380XN,315	0.0900	询价	243	恩智浦	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883			MOSFET（金属O化物）		DFN1006B-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道					30V	930mA（塔）	2.5V、4.5V	460毫欧@200毫安，4.5伏	1.5V@250μA	0.87nC@4.5V	±12V	56pF@25V	-	360mW（Ta）、2.7W（Tc）
MRFE6VP61K25HSR6	-	询价	3547	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	133伏		安装结构	NI-1230S	MRFE6	230兆赫	LDMOS		NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	150	双重的		-	100毫安	1250W	24分贝											-			50V
BUK9516-75B,127	-	询价	4511	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					75V	67A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@25A，10V	2V@1mA	35nC@5V	±15V	4034pF@25V	-	157W（温度）
泵MF12,115	-	询价	1953年	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	泵浦MF12			300毫W	6-TSSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000																		50V、40V	100毫安		1微安	1个NPN预偏置，1个PNP	150mV @ 500μA、10mA / 200mV @ 5mA、50mA	80 @ 5mA、5V / 120 @ 1mA、6V	100兆赫兹	22k欧姆	47k欧姆
A2T23H200W23SR6	-	询价	6130	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	ACP-1230S-4L2S	A2T23	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS		ACP-1230S-4L2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	150			10微安	500毫安	51W	15.5分贝											-			28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²