RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUK7611-55B，118	0.6200	RFQ	720	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk76				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
PMDPB56XNEA，115	-	RFQ	5428	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载			Ear99	8541.29.0095	1
PMST4403,115	0.0200	RFQ	179	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PMST4				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9K13-60EX	-	RFQ	6785	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk9k13	MOSFET （金属 o化物）	64W	LFPAK56D	下载			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		60V	40a		12.5MOHM @ 10A，5V	2.1V @ 1mA	22.4NC @ 5V		2953pf @ 25V	逻辑级别门
BUK7675-55A，118	-	RFQ	8633	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk76				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK9Y6R0-60E，115	-	RFQ	8369	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载				0000.00.0000	1		n通道	60 V	100A（TC）	5V	5.2MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	39.4 NC @ 5 V	±10V	6319 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
2PB709ASL，215	0.0200	RFQ	503	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				2pb70				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PDTA123YMB315	0.0200	RFQ	97	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载			Ear99	8541.21.0075	1
BCM857BV，315	-	RFQ	9091	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BCM857		300MW	SOT-666	下载			Ear99	8541.21.0075	1													45V	100mA	15NA（icbo）	2（PNP （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	175MHz
BC807-40QA，147	0.0300	RFQ	35	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载			Ear99	8541.21.0095	1
BCM857BV，115	-	RFQ	8323	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BCM85				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	4,000
PBSS5350D，135	-	RFQ	8100	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			750兆w	6-TSOP	下载			Ear99	8541.29.0075	1													50 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，2v	100MHz
PBSS5580PA，115	-	RFQ	2987	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PBSS5				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PHB33NQ20T，118	-	RFQ	6095	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PHB33				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
PSMN3R4-30BL，118	0.6100	RFQ	900	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载			Ear99	8541.29.0095	494		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	3907 PF @ 15 V	-	114W（TC）
BUK9212-55B，118	-	RFQ	9662	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk92				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
MRF7S38010HR3,118	-	RFQ	8531	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载			Ear99	8541.29.0075	1
BUK7610-100B，118	-	RFQ	4013	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk76				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK962R8-60E，118	-	RFQ	8419	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	120A（TC）	5V	2.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	92 NC @ 5 V	±10V	15600 PF @ 25 V	-	324W（TC）
PBLS1501Y，115	-	RFQ	6931	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PBLS15				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PSMN019-100YL，115	1.0000	RFQ	1461	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								-				0000.00.0000	1
BC807-16W，115	0.0200	RFQ	7328	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BC80				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK7Y113-100EX	-	RFQ	1948年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	12A（TC）	10V	113MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	10.4 NC @ 10 V	±20V	601 PF @ 25 V	-	45W（TC）
BUJ103AX，127	0.4000	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡			26 W	TO-220F	下载			Ear99	8541.29.0095	760													400 v	4 a	100µA	NPN	1V @ 600mA，3a	12 @ 500mA，5V	-
BC849C，215	0.0200	RFQ	2309	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BC84				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK7618-55/C，118	0.6400	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								-				0000.00.0000	1
BUK9K89-100E，115	1.0000	RFQ	6523	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK9K89	MOSFET （金属 o化物）	38W	LFPAK56D	下载			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		100V	12.5a		85MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	16.8nc @ 10V		1108pf @ 25V	逻辑级别门
PEMD17,115	0.0400	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PEMD1				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000
PSMN5R5-60YS115	-	RFQ	9941	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载			Ear99	8541.29.0095	1
PMD2001d，115	-	RFQ	8282	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PMD2001				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²