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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
BFU550WX NXP USA Inc. BFU550WX 0.8600
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ECAD 8 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BFU550 450毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 18分贝 12V 50毫安 NPN 60@15mA,8V 11GHz 0.6dB@900MHz
MRF8S19140HSR5 NXP USA Inc. MRF8S19140HSR5 -
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ECAD 5230 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF8 1.96GHz LDMOS NI-780S - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935314248178 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1安 34W 19.1分贝 - 28V
BFU520XAR NXP USA Inc. BFU520XAR 0.4700
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFU520 450毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 20分贝 12V 30毫安 NPN 60@5mA,8V 10.5GHz 0.7dB@900MHz
MRF8HP21080HR3 NXP USA Inc. MRF8HP21080HR3 -
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ECAD 1925年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780-4 MRF8 2.17GHz LDMOS NI-780-4 - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935310794128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 150毫安 16W 14.4分贝 - 28V
MRF19045LSR5 NXP USA Inc. MRF19045LSR5 -
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ECAD 5309 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-400S MRF19 1.93GHz LDMOS NI-400S-240 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8542.31.0001 50 - 550毫安 9.5W 14.5分贝 - 26V
MRF7S21150HR3 NXP USA Inc. MRF7S21150HR3 -
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ECAD 1039 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.35安 44W 17.5分贝 - 28V
AFT21S230SR5 NXP USA Inc. AFT21S230SR5 -
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ECAD 4089 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-780S AF21 2.11GHz LDMOS NI-780S-6 - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935314997178 5A991G 8541.29.0095 50 - 1.5A 50W 16.7分贝 - 28V
MRF8S9260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HSR3 -
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ECAD 4924 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 表面贴装 NI-880S MRF8 960兆赫 LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935319595128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.7安 75W 18.6分贝 - 28V
BF1105WR,115 NXP USA Inc. BF1105WR,115 -
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ECAD 1823年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BF110 800兆赫 场效应晶体管 CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 - 20分贝 1.7分贝 5V
MRF7S21110HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21110HSR5 -
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ECAD 8783 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1安 33W 17.3分贝 - 28V
PHU11NQ10T,127 NXP USA Inc. PHU11NQ10T,127 -
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ECAD 8552 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PHU11 MOSFET(金属O化物) 爱帕克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 75 N沟道 100伏 10.9A(温度) 10V 180mOhm@9A,10V 4V@1mA 14.7nC@10V ±20V 360pF@25V - 57.7W(温度)
BCX55-16,115 NXP USA Inc. BCX55-16,115 -
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ECAD 5567 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BCX55 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000
MRF5S19100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S19100HSR3 -
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ECAD 4518 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF5 1.93GHz~1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 1A 22W 13.9分贝 - 28V
PUMD12/L135 NXP USA Inc. PUMD12/L135 0.0300
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ECAD 82 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 10,000
BUK9Y7R8-80E,115 NXP USA Inc. BUK9Y7R8-80E,115 -
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ECAD 2261 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 SC-100、SOT-669 山毛洼9Y7 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067026115 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 80V - - - - -
PRFX1K80HR5 NXP USA Inc. PRFX1K80HR5 -
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ECAD 6513 0.00000000 恩智浦 - 过时的 182伏 安装结构 SOT-979A PRFX1 1.8MHz~470MHz LDMOS NI-1230-4H 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1 双重的 100毫安 1800W 24分贝 -
BUK653R4-40C,127 NXP USA Inc. BUK653R4-40C,127 -
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ECAD 1638 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹65 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 100A(温度) 4.5V、10V 3.6毫欧@25A,10V 2.8V@1mA 125nC@10V ±16V 8020pF@25V - 204W(温度)
AFT21S240-12SR3 NXP USA Inc. AFT21S240-12SR3 -
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ECAD 5957 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-880XS-2L-2L AF21 2.17GHz LDMOS NI-880XS-2L-2L - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935320365128 5A991B 8541.29.0075 250 - 1.4A 55W 20.4分贝 - 28V
PMD4001K,115 NXP USA Inc. PMD4001K,115 -
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ECAD 3129 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 40V 感应驱动器 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMD40 SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 3,000 100毫安 NPN + 基极-发射极
PVR100AZ-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B2V5,115 -
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ECAD 9921 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 个人录像10 550毫W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
BUK9237-55A/C1,118 NXP USA Inc. BUK9237-55A/C1,118 -
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ECAD 3614 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BUK9237 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 934061634118 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 55V 32A(温度) 4.5V、10V 33毫欧@15A,10V 2V@1mA 17.6nC@5V ±15V 1236pF@25V - 77W(温度)
BF904R,215 NXP USA Inc. BF904R,215 -
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ECAD 2384 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 SOT-143R BF904 200兆赫 场效应晶体管 SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 10毫安 - - 1分贝 5V
MRFE6VP6300HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HR5 127.0900
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ECAD 191 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 130伏 安装结构 NI-780-4 MRFE6 230兆赫 LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 300W 26.5分贝 - 50V
MRF6S19060GNR1 NXP USA Inc. MRF6S19060GNR1 -
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ECAD 8032 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 TO-270BA MRF6 1.93GHz LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 第610章 12W 16分贝 - 28V
PDTA123YE,115 NXP USA Inc. PDTA123YE,115 -
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ECAD 1950年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTA123 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 35@5mA,5V 2.2欧姆 10欧姆
BF1109WR,115 NXP USA Inc. BF1109WR,115 -
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ECAD 2147 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 11伏 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BF110 800兆赫 场效应晶体管 CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 - 20分贝 1.5分贝 9V
MRF8P9300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P9300HSR6 -
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ECAD 5070 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-1230S MRF8 960兆赫 LDMOS NI-1230S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935310166128 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 2.4A 100W 19.4分贝 - 28V
PDTC144VS,126 NXP USA Inc. PDTC144VS,126 -
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ECAD 8258 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTC144 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@500μA,10mA 40@5mA,5V 47欧姆 10欧姆
BSS84AK/DG/B2215 NXP USA Inc. BSS84AK/DG/B2215 -
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ECAD 2786 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
BCW61C/DG/B4215 NXP USA Inc. BCW61C/DG/B4215 0.0300
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ECAD 35 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库