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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
PHP225NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP225NQ04T,127 -
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP22 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 10V 3.1MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 300W(TC)
MRFE6S9045GNR1 NXP USA Inc. MRFE6S9045GNR1 -
RFQ
ECAD 3047 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 表面安装 TO-270BB MRFE6 880MHz ldmos TO-270 WB-4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 350 MA 10W 22.1db - 28 V
MRF9060LSR1 NXP USA Inc. MRF9060LSR1 -
RFQ
ECAD 3597 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-360S MRF90 945MHz ldmos NI-360S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8541.21.0075 500 - 450 MA 60W 17dB - 26 V
PMZ390UNE/S500315 NXP USA Inc. PMZ390UNE/S500315 1.0000
RFQ
ECAD 1323 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
PDTA144TU,115 NXP USA Inc. PDTA144TU,115 0.0200
RFQ
ECAD 143 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
PMZB390UNE315 NXP USA Inc. PMZB390UNE315 -
RFQ
ECAD 7807 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
MRF6S21050LSR3 NXP USA Inc. MRF6S21050LSR3 -
RFQ
ECAD 9100 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 Ni-400s MRF6 2.16GHz ldmos Ni-400s 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 450 MA 11.5W 16dB - 28 V
PDTB143XU115 NXP USA Inc. PDTB143XU115 0.0300
RFQ
ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BF1201R,215 NXP USA Inc. BF1201R,215 -
RFQ
ECAD 5254 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 10 v 表面安装 SOT-143R BF120 400MHz MOSFET SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 15 ma - 29dB 1dB 5 v
BCW61C,235 NXP USA Inc. BCW61C,235 0.0300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCW61 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
PDTA115EMB,315 NXP USA Inc. PDTA115EMB,315 0.0300
RFQ
ECAD 199 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 PDTA115 250兆 DFN1006B-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 20 ma 1µA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 80 @ 5mA,5V 180 MHz 100 kohms 100 kohms
CLF1G0060S-10 NXP USA Inc. CLF1G0060S-10 1.0000
RFQ
ECAD 1622 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150 v 表面安装 SOT-1227B 6GHz 甘姆特 SOT1227B 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 - 50 mA 10W 16dB - 50 V
PHK13N03LT,518 NXP USA Inc. PHK13N03LT,518 -
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PHK13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
PBLS6021D,115 NXP USA Inc. PBLS6021D,115 0.1200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS60 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
MRF7S19100NR1 NXP USA Inc. MRF7S19100NR1 -
RFQ
ECAD 1651年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 TO-270AB MRF7 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935322766528 Ear99 8541.29.0075 500 - 1 a 29W 17.5db - 28 V
BUK9516-75B,127 NXP USA Inc. BUK9516-75B,127 -
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 67A(TC) 4.5V,10V 14mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 35 NC @ 5 V ±15V 4034 PF @ 25 V - 157W(TC)
PHB129NQ04LT,118 NXP USA Inc. PHB129NQ04LT,118 -
RFQ
ECAD 3732 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB12 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 75A(TC) 4.5V,10V 5mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 44.2 NC @ 5 V ±15V 3965 PF @ 25 V - 200W(TC)
PEMB15,115 NXP USA Inc. PEMB15,115 0.0400
RFQ
ECAD 62 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 PEMB15 300MW SOT-666 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50V 100mA 1µA 2 PNP-) 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 10mA,5V - 4.7kohms 4.7kohms
MRF6S21050LR3 NXP USA Inc. MRF6S21050LR3 -
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 NI-400 MRF6 2.16GHz ldmos NI-400 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 450 MA 11.5W 16dB - 28 V
MMRF2005NR1 NXP USA Inc. MMRF2005NR1 -
RFQ
ECAD 3251 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 TO-270-16变体,平面线 MMRF2 940MHz ldmos TO-270 WBL-16 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935324908528 Ear99 8541.29.0075 500 - 106 MA 3.2W 35.9dB - 28 V
PDTD113ZQA147 NXP USA Inc. PDTD113ZQA147 0.0300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 5,000
PHU11NQ10T,127 NXP USA Inc. PHU11NQ10T,127 -
RFQ
ECAD 8552 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Phu11 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 10.9a(TC) 10V 180mohm @ 9a,10v 4V @ 1mA 14.7 NC @ 10 V ±20V 360 pf @ 25 V - 57.7W(TC)
IRFR220,118 NXP USA Inc. IRFR220,118 -
RFQ
ECAD 5547 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR2 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 4.8A(TC) 10V 800MOHM @ 2.9a,10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 280 pf @ 25 V - 42W(TC)
A2T18S261W12NR3 NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3 -
RFQ
ECAD 6553 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 OM-880X-2L2L A2T18 1.805GHZ〜1.88GHz ldmos OM-880X-2L2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935338749528 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 1.5 a 280W 18.2db - 28 V
BLF6G27LS-50BN,118 NXP USA Inc. BLF6G27LS-50亿,118 -
RFQ
ECAD 5685 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 底盘安装 SOT-1112B BLF6G27 2.5GHz〜2.7GHz ldmos CDFM6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934064687118 Ear99 8541.29.0095 100 双重的 12a 430 MA 3W 16.5db - 28 V
BUK7Y18-55B,115 NXP USA Inc. BUK7Y18-55B,115 -
RFQ
ECAD 6607 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 55 v 47.4A(TC) 10V 18mohm @ 20a,10v 4V @ 1mA 21.9 NC @ 10 V ±20V 1263 PF @ 25 V - 85W(TC)
A2I25D025GNR1 NXP USA Inc. A2I25D025GNR1 -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 TO-270-17变体,鸥翼 A2I25 2.69GHz ldmos TO-270WBG-17 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.33.0001 500 双重的 - 59 MA 3.2W 31.9db - 28 V
PMV65XPE215 NXP USA Inc. PMV65XPE215 -
RFQ
ECAD 7270 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
A2T23H200W23SR6 NXP USA Inc. A2T23H200W23SR6 -
RFQ
ECAD 6130 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 底盘安装 ACP-1230S-4L2S A2T23 2.3GHz〜2.4GHz ldmos ACP-1230S-4L2S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 150 10µA 500 MA 51W 15.5db - 28 V
PHPT610030PK115 NXP USA Inc. PHPT610030PK115 1.0000
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库