晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
AFT21S230SR5	-	询价	4089	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V				NI-780S	AF21	2.11GHz	LDMOS		NI-780S-6	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314997178	5A991G	8541.29.0095	50			-	1.5安	50W	16.7分贝											-			28V
MRF8S9260HSR3	-	询价	4924	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V			表面贴装	NI-880S	MRF8	960兆赫	LDMOS		NI-880S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935319595128	EAR99	8541.29.0075	250			-	1.7安	75W	18.6分贝											-			28V
BF1105WR,115	-	询价	1823年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V			表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF110	800兆赫	场效应晶体管		CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安		-	20分贝											1.7分贝			5V
MRF7S21110HSR5	-	询价	8783	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-780S	MRF7	2.17GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.1安	33W	17.3分贝											-			28V
PHU11NQ10T,127	-	询价	8552	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PHU11		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					100伏	10.9A（温度）	10V	180mOhm@9A，10V	4V@1mA	14.7nC@10V	±20V	360pF@25V	-	57.7W（温度）
BCX55-16,115	-	询价	5567	恩智浦	*	大部分	的积极						BCX55					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000
MRF5S19100HSR3	-	询价	4518	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250			-	1A	22W	13.9分贝											-			28V
PUMD12/L135	0.0300	询价	82	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
BUK9Y7R8-80E,115	-	询价	2261	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		-		表面贴装	SC-100、SOT-669	山毛洼9Y7		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067026115	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					80V	-		-	-				-	-
PRFX1K80HR5	-	询价	6513	恩智浦	-	条	过时的	182伏			安装结构	SOT-979A	PRFX1	1.8MHz～470MHz	LDMOS		NI-1230-4H	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	双重的		100毫安		1800W	24分贝											-
BUK653R4-40C,127	-	询价	1638	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3	山毛凹65		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	100A（温度）	4.5V、10V	3.6毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	125nC@10V	±16V	8020pF@25V	-	204W（温度）
AFT21S240-12SR3	-	询价	5957	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-880XS-2L-2L	AF21	2.17GHz	LDMOS		NI-880XS-2L-2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320365128	5A991B	8541.29.0075	250			-	1.4A	55W	20.4分贝											-			28V
PMD4001K,115	-	询价	3129	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		感应驱动器	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMD40				SMT3；帕金克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000			100毫安																			NPN + 基极-发射极
BUK9237-55A/C1,118	-	询价	3614	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	BUK9237		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	934061634118	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					55V	32A（温度）	4.5V、10V	33毫欧@15A，10V	2V@1mA	17.6nC@5V	±15V	1236pF@25V	-	77W（温度）
BF904R,215	-	询价	2384	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V			表面贴装	SOT-143R	BF904	200兆赫	场效应晶体管		SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	10毫安	-	-											1分贝			5V
MRFE6VP6300HR5	127.0900	询价	191	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	130伏			安装结构	NI-780-4	MRFE6	230兆赫	LDMOS		NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的		-	100毫安	300W	26.5分贝											-			50V
MRF6S19060GNR1	-	询价	8032	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V			表面贴装	TO-270BA	MRF6	1.93GHz	LDMOS		TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500			-	第610章	12W	16分贝											-			28V
BF1109WR,115	-	询价	2147	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	11伏			表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF110	800兆赫	场效应晶体管		CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安		-	20分贝											1.5分贝			9V
MRF8P9300HSR6	-	询价	5070	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V			安装结构	NI-1230S	MRF8	960兆赫	LDMOS		NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935310166128	EAR99	8541.29.0075	150	双重的		-	2.4A	100W	19.4分贝											-			28V
PDTC144VS,126	-	询价	8258	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的				通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PDTC144			500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	100毫安		1微安	NPN - 预偏置	150mV@500μA，10mA	40@5mA，5V		47欧姆	10欧姆
BSS84AK/DG/B2215	-	询价	2786	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BCW61C/DG/B4215	0.0300	询价	35	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PEMD17,115	0.0400	询价	12	恩智浦	*	大部分	的积极						PEMD1					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000
MRF8P8300HR6	-	询价	2994	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V			安装结构	NI-1230	MRF8	820兆赫	LDMOS		NI-1230	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314412128	EAR99	8541.29.0075	150	双重的		-	2A	96W	20.9分贝											-			28V
MRF8S21100HR3	-	询价	9247	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	场效应晶体管		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935317144128	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道		-	700毫安	24W	18.3分贝											-			28V
PDTA113EMB,315	0.0200	询价	140	恩智浦	-	大部分	的积极				表面贴装	SC-101、SOT-883	PDTA113			250毫W	DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@1.5mA、30mA	30@40mA，5V	180兆赫	1欧姆	1欧姆
2PC4081R,115	0.0200	询价	990	恩智浦	*	大部分	的积极						2PC40					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
BC807-40QA,147	0.0300	询价	35	恩智浦	*	大部分	的积极											下载					EAR99	8541.21.0095	1
MW7IC2020NT1	30.7569	询价	3693	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V			表面贴装	24-PowerQFN	MW7IC2020	2.14GHz	LDMOS		24-PQFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8542.33.0001	1,000			-	40毫安	2.4W	32.6分贝											-			28V
PMN45EN,135	0.1800	询价	450	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	SC-74、SOT-457			MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	10,000		N沟道					30V	5.2A（温度）		40毫欧@3A，10V	2V@1mA	6.1nC@4.5V	20V	495pF@25V	-	1.75W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²