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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BUK7516-55A，127	0.3700	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	65.7a（TC）	10V	16mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2245 PF @ 25 V	-	138W（TC）
BUK9620-100A，118	-	RFQ	5477	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	63A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	6385 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BSH121,135	0.0900	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSH1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
PMBT3904,215	-	RFQ	2896	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
PDTC123YMB315	0.0200	RFQ	2063	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123					下载					Ear99	8541.21.0075	4,895
BLF4G10LS-160,112	-	RFQ	6550	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	894.2MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			15a	900 MA	160W	19.7db											-			28 V
BFU520WX	0.4600	RFQ	461	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFU520			450MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						18.5db												12V	30mA			NPN		60 @ 5mA，8v	10GHz			0.6dB @ 900MHz
BC618,112	-	RFQ	3355	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC61			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																		55 v	500 MA		50µA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	155MHz
BC817-40/6215	1.0000	RFQ	6522	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRFE6VP61K25HSR6	-	RFQ	3547	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	133 v		底盘安装	NI-1230S	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	1250W	24dB											-			50 V
BUJ303B，127	0.3600	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	825																		400 v	5 a		100µA	NPN	1.5V @ 1a，3a	23 @ 800mA，3v	-
BUK9Y153-100E，115	1.0000	RFQ	2230	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	9.4A（TC）	5V	146MOHM @ 2A，10V	2.1V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±10V	716 pf @ 25 V	-	37W（TC）
PMR780SN115	0.1000	RFQ	3	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416			MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	550mA（ta）	4.5V，10V	920MOHM @ 300mA，10V	3V @ 250µA	1.05 NC @ 10 V	±20V	23 pf @ 30 V	-	530MW（TC）
BUK7Y7R6-40E/GFX	-	RFQ	3433	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
BFS20W115	1.0000	RFQ	3331	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1
PDTA144WK，115	-	RFQ	3381	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA144			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		47科姆斯	22 KOHMS
BC847C/AU，215	-	RFQ	5655	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	15,000
NXP3875Y，215	-	RFQ	7474	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
MRFG35010ANR5	-	RFQ	5304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		NI-360HF	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	130 MA	1W	10dB											-			12 v
AFT21S230SR3	-	RFQ	7962	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-780S-6	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314997128	5A991G	8541.29.0095	250			-	1.5 a	50W	16.7dB											-			28 V
psmn011-30yl，115	-	RFQ	1492	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	51A（TJ）	4.5V，10V	10.7MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	14.8 NC @ 10 V	±20V	726 pf @ 15 V	-	49W（TC）
MRF7S38010HSR3	-	RFQ	9616	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	160 MA	2W	15DB											-			30 V
BUK7Y12-100E115	1.0000	RFQ	9023	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
MRF5S9080NBR1	-	RFQ	9908	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	TO-272BB	MRF5	960MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316835528	Ear99	8541.29.0075	500			-	600 MA	80W	18.5db											-			26 V
BFS19,235	0.0900	RFQ	81	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	3,213																		20 v	30 ma		100NA（ICBO）	NPN	-	65 @ 1mA，10v	260MHz
BF1202,215	-	RFQ	8189	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF120	400MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30.5db											0.9dB			5 v
PMPB15XN，115	-	RFQ	7078	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB15		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载						0000.00.0000	1		n通道					20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	21mohm @ 7.3a，4.5V	900mv @ 250µA	20.2 NC @ 4.5 V	±12V	1240 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PMSTA55,115	0.0200	RFQ	139	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0095	1																		60 V	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
PSMN035-150p	1.0000	RFQ	2084	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
PMF250XNE115	1.0000	RFQ	3791	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²