晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电流消耗 (Id) - 最大
PMBS3906,215	-	询价	2870	恩智浦	*	大部分	的积极					PMBS3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
BCP69-16/S500115	0.0600	询价	7	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	4,683
J3E081CA4/S1ACH49J	-	询价	4633	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					J3E0					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人
PDTC124EMB	-	询价	2024年	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
BUK6228-55C,118	0.2400	询价	2	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,268		N沟道					55V	31A（温度）	10V	29毫欧@10A、10V	2.8V@1mA	10V时为20.2nC	±16V	1340pF@25V	-	60W（温度）
BC69PASX	0.0700	询价	100	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-UDFN 裸露焊盘				420毫W	DFN2020D-3	下载					EAR99	8541.29.0075	1																		20V	2A					100nA（ICBO）		国民党	600mV@200mA，2A	85@500mA，1V	140兆赫
BUK9506-40B,127	0.5200	询价	6	恩智浦	*	管子	的积极					山毛洼95					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
BFR31,215	-	询价	3834	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFR31			250毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					25V							4pF@10V								1毫安@10伏	2.5V@0.5nA										10毫安
PMPB13XNE,115	0.1100	询价	18	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XFDFN 裸露焊盘	PMPB13		MOSFET（金属O化物）		DFN1010B-6	下载					EAR99	8541.29.0095	2,876		N沟道					30V	8A（塔）	1.8V、4.5V	16mOhm@8A，4.5V	900mV@250μA	36nC@4.5V	±12V	15V时为2195pF	-	1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
MMRF1006HSR5	-	询价	3075	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	120V			NI-1230S-4	MMRF1006	450兆赫	LDMOS		NI-1230S-4	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311705178	EAR99	8541.29.0075	50			-	150毫安	1000W	20分贝											-			50V
PH3120L,115-恩智浦	-	询价	3809	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-100、SOT-669			MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,500人		N沟道					20V	100A（温度）	4.5V、10V	2.65毫欧@25A，10V	2V@1mA	48.5nC@4.5V	±20V	4457pF@10V	-	62.5W（温度）
A2T26H165-24SR3128	127.1600	询价	第497章	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0075	1
PMBFJ108,215	-	询价	第1537章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMBFJ1			250毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					25V							30pF @ 10V (VGS)							25V	80毫安@15伏	10V@1μA		8欧姆
PDTC143ET235	-	询价	3530	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
PMSTA3904,115	0.0200	询价	8177	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	PMSTA			200毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																		40V	200毫安					50nA（ICBO）		NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
ON5257215	0.1800	询价	96	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,664
MRF1513NT1	-	询价	5131	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		表面贴装	PLD-1.5	MRF15	520兆赫	LDMOS		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000			2A	50毫安	3W	15分贝											-			12.5V
MRF9135LSR3	-	询价	6890	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF91	880兆赫	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	250			-	1.1安	25W	17.8分贝											-			26V
PH6530AL115	0.1800	询价	4	恩智浦	-	大部分	的积极		-	表面贴装	SC-100、SOT-669			MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1,500人		N沟道					30V	-		-	-				-	-
MRF8P20100HSR5	-	询价	5508	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V		表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	LDMOS		NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的		-	400毫安	20W	16分贝											-			28V
AFV10700HSR5	503.6126	询价	1060	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	NI-780S-4L	AFV10700	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS		NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的		10微安	100毫安	770W	19.2分贝											-			50V
BUK7L06-34ARC,127	-	询价	2374	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛禅7		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					34V	75A（温度）	10V	6毫欧@30A，10V	3.8V@1mA	82nC@10V	±20V	4533pF@25V	-	250W（温度）
BF1202R,215	-	询价	7326	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V			TO-253-4、TO-253AA	BF120	400兆赫	场效应管		SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	12毫安	200毫W	30.5分贝											0.9分贝			5V
PBLS4005V,115	-	询价	8587	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-563、SOT-666	PBLS4005			300毫W	SOT-666	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V、40V	100毫安、500毫安					1微安		1个NPN预偏置，1个PNP	150mV @ 500μA、10mA / 350mV @ 50mA、500mA	80 @ 5mA、5V / 150 @ 100mA、2V	300兆赫	47k欧姆	47k欧姆
BC68PAS115	-	询价	5550	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BF1204,115	-	询价	8977	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	400兆赫	场效应管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	12毫安	-	30分贝											0.9分贝			5V
BUK9E1R9-40E	1.0000	询价	1158	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1
BFU520AR	0.6100	询价	8617	恩智浦	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFU520			450毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						18分贝												12V	30毫安							NPN		60@5mA，8V	10GHz			0.7dB@900MHz
MRF6S9045NR1	-	询价	6948	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		表面贴装	TO-270AA	MRF6	880兆赫	LDMOS		TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500			-	350毫安	10W	22.7分贝											-			28V
BUK9608-55,118	-	询价	2196	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼96		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					55V	75A（温度）	5V	8毫欧@25A，5V	2V@1mA		±10V	6900pF@25V	-	187W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²