RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PHX27NQ11T，127	-	RFQ	7638	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX27	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	110 v	20.8A（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	50W（TC）
PHX8NQ11T，127	-	RFQ	7652	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	110 v	7.5A（TC）	10V	180mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA	14.7 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	27.7W（TC）
PMBFJ111,215	-	RFQ	8652	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1		300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	40 V							6pf @ 10V（vgs）					40 V	20 ma @ 15 V	10 V @ 1 µA		30欧姆
PMBFJ112,215	-	RFQ	8937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1		300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	40 V							6pf @ 10V（vgs）					40 V	5 ma @ 15 V	5 V @ 1 µA		50欧姆
PMBFJ309,215	-	RFQ	7304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ3		250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	25 v							5pf @ 10V					25 v	12 ma @ 10 V	1 V @ 1 µA		50欧姆
PDTA143XE，115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA143		150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma				1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V	4.7科姆斯	10 kohms
PDTA143XK，115	-	RFQ	1945年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143		250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma				1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V	4.7科姆斯	10 kohms
PDTB113ZS，126	-	RFQ	8465	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTB113		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000												50 V	500 MA				500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	1 kohms	10 kohms
PDTB123TK，115	-	RFQ	3372	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTB123		250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	500 MA				500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	2.2 kohms
PDTC115EK，115	-	RFQ	3416	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC115		250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	20 ma				1µA		npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	100 kohms	100 kohms
PDTC123JE，115	-	RFQ	9674	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC123		150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma				1µA		npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	2.2 kohms	47科姆斯
PDTC124EE，115	-	RFQ	9408	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC124		150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma				1µA		npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v	22 KOHMS	22 KOHMS
PDTC124ES，126	-	RFQ	6655	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTC124		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000												50 V	100 ma				1µA		npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v	22 KOHMS	22 KOHMS
PDTC144WK，115	-	RFQ	2057	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC144		250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma				1µA		npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v	47科姆斯	22 KOHMS
PDTD113ES，126	-	RFQ	9705	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTD113		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000												50 V	500 MA				500NA		npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V	1 kohms	1 kohms
PDTA114TS，126	-	RFQ	9063	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA114		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000												50 V	100 ma				1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V	10 kohms
PDTA123EK，115	-	RFQ	9921	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA123		250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma				1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v	2.2 kohms	2.2 kohms
PDTA124EK，115	-	RFQ	8915	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA124		250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	9,000												50 V	100 ma				1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v	22 KOHMS	22 KOHMS
PHB55N03LTA，118	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB55	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
PHB96NQ03LT，118	-	RFQ	1908年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB96	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
PHD108NQ03LT，118	-	RFQ	9462	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	PhD10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	75A（TC）	5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V	±20V	1375 PF @ 12 V	-	187W（TC）
PHD34NQ10T，118	-	RFQ	9369	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	PHD34	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	35A（TC）	10V	40mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1704 PF @ 25 V	-	136W（TC）
PHD37N06LT，118	-	RFQ	6789	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	PHD37	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	37A（TC）	5V，10V	32MOHM @ 17a，10v	2V @ 1mA	22.5 NC @ 5 V	±13V	1400 pf @ 25 V	-	100W（TC）
PHK24NQ04LT，518	-	RFQ	1983	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHK24	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	21.2A（TC）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 14A，10V	2V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	2985 pf @ 25 V	-	6.25W（TC）
PHP110NQ08LT，127	-	RFQ	5437	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	75A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	127.3 NC @ 10 V	±20V	6631 PF @ 25 V	-	230W（TC）
PHP110NQ08T，127	-	RFQ	4764	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	75 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	113.1 NC @ 10 V	±20V	4860 pf @ 25 V	-	230W（TC）
PHP160NQ08T，127	-	RFQ	3905	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	75A（TC）	10V	5.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5585 pf @ 25 V	-	300W（TC）
PHP21N06T，127	-	RFQ	7939	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	21a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	69W（TC）
PHP54N06T，127	-	RFQ	5698	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP54	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	54A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	1592 PF @ 25 V	-	118W（TC）
PHP71NQ03LT，127	-	RFQ	4406	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP71	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²