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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PBSS4160PANPS115	0.1300	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	2,423
PMXB350UPE147	-	RFQ	9685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
MRFE6VP5600HSR6	-	RFQ	7384	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	130 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	600W	25DB											-			50 V
PBHV9560Z115	1.0000	RFQ	4271	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1,000
PHPT60610PY115	-	RFQ	2238	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BLF988S，112	509.2500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	110 v			SOT539B		860MHz	ldmos		SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源		-	1.3 a	250W	20.8dB											-			50 V
PDTA143XK，115	-	RFQ	1945年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
PMBT2222,215	-	RFQ	2040	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT2222					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BUK754R0-40C，127	0.4900	RFQ	989	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	100A（TA）		4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±20V	5708 PF @ 25 V	-	203W（TA）
PBLS6024D，115	0.1200	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS60					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BLF8G10L-160V，118	-	RFQ	2946	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BLF8					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066408118	Ear99	8541.29.0075	100
PSMN8R040PS127	-	RFQ	9657	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					40 V	77a（ta）		7.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	1262 PF @ 12 V	-	86W（ta）
PUMD3/ZL，165	0.0300	RFQ	260	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-					Ear99	8541.21.0075	1
MRF8S18210WGHSR3	127.9372	RFQ	5485	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v		表面安装	NI-880XS-2 GW	MRF8S18210	1.93GHz	MOSFET		NI-880XS-2海鸥	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310994128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	1.3 a	50W	17.8db											-			30 V
PDTA113EU，115	0.0200	RFQ	430	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	PDTA113			200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 1.5mA，30mA	30 @ 40mA，5V		1 kohms	1 kohms
PHPT60610NY115	0.2200	RFQ	38	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,343
PSMN2R9-25YLC/GFX	-	RFQ	4100	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					PSMN2					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
BC807-40,235	-	RFQ	2638	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
PDTC123JQA147	0.0300	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
MHT1801A	1.1400	RFQ	9	NXP USA Inc.	*	大部分	不适合新设计										-	不适用	供应商不确定	根据要求获得可用的信息	2832-MHT1801A	Ear99		1
PSMN070-200B，118	-	RFQ	3268	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
ON5452518	1.0000	RFQ	8360	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000
A2T23H160-24SR3	132.9651	RFQ	4413	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	NI-780S-4L2L	A2T23	2.3GHz	ldmos		NI-780S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935326016128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	350 MA	28W	17.7dB											-			28 V
MRF19125R5	-	RFQ	6238	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-880	MRF19	1.93GHz	ldmos		NI-880	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	1.3 a	24W	13.5dB											-			26 V
PEMD18,115	-	RFQ	9747	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMD1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
PMBT3946YPN，125	-	RFQ	8939	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMBT3946			350MW	SOT-363	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		40V	200mA		50NA（iCBO）	NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz，250MHz
BUK7511-55A，127	-	RFQ	5183	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3093 PF @ 25 V	-	166W（TC）
PEMB16,115	-	RFQ	6307	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
BC857BW，135	0.0200	RFQ	23	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC857					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²