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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
ON5407,135	-	RFQ	3145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5407	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934059372135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
BUK753R4-30B，127	-	RFQ	4637	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	10V	3.4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	75 NC @ 10 V	±20V	4951 PF @ 25 V	-	255W（TC）
BUK9Y98-80E，115	-	RFQ	6303	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y98		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067034115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	-		-	-				-	-
MRF377HR5	-	RFQ	7124	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	860MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	50			-	2 a	45W	18.2db											-			32 v
PHB20N06T，118	0.3600	RFQ	2034	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	20.3A（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	483 pf @ 25 V	-	62W（TC）
MPSA64,116	-	RFQ	9407	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA64			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		30 V	500 MA		100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
MRF6VP3450HR6	-	RFQ	3489	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	860MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	1.4 a	90W	22.5dB											-			50 V
BUK7K35-60EX	-	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k35		MOSFET （金属 o化物）	38W	LFPAK56D	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						60V	20.7a		30mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	12.5nc @ 10V		794pf @ 25V	-
PDTA114EM/L315	0.0300	RFQ	6523	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	7,000
MRF1K50GNR5	199.0600	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50 V		底盘安装	OM-1230G-4L	MRF1K50	1.8MHz〜500MHz	ldmos		OM-1230G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		1500W	23dB											-			50 V
MMRF1019NR4	77.8600	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	100 v		表面安装	PLD-1.5	MMRF1019	1.09GHz	ldmos		PLD-1.5	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100			-	10 MA	10W	25DB											-			50 V
BUK7526-100B，127	-	RFQ	3903	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100		n通道					100 v	49A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2891 PF @ 25 V	-	157W（TC）
PH2525L，115	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PH25					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
BFU580QX	0.9500	RFQ	6761	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BFU580			1W	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						8.5dB												12V	60mA			NPN		60 @ 30mA，8v	10.5GHz	1.3db @ 1.8GHz
BF420,116	-	RFQ	9865	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF420			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		300 v	50 mA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
A3G20S250-01SR3	87.3364	RFQ	2843	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3G20					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
BLF8G27LS-100V，112	52.4000	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	SOT-1244B		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		CDFM6	下载					Ear99	8541.29.0075	6			-	900 MA	25W	17dB											-			28 V
PSMN0R9-25YLC/GFX	-	RFQ	8789	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					PSMN0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
BUK7516-55A，127	0.3700	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	65.7a（TC）	10V	16mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2245 PF @ 25 V	-	138W（TC）
BUK9620-100A，118	-	RFQ	5477	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	63A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	6385 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BSH121,135	0.0900	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSH1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
PMBT3904,215	-	RFQ	2896	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
PDTC123YMB315	0.0200	RFQ	2063	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123					下载					Ear99	8541.21.0075	4,895
BFU520WX	0.4600	RFQ	461	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFU520			450MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						18.5db												12V	30mA			NPN		60 @ 5mA，8v	10GHz	0.6dB @ 900MHz
BC618,112	-	RFQ	3355	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC61			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																		55 v	500 MA		50µA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	155MHz
BC817-40/6215	1.0000	RFQ	6522	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRFE6VP61K25HSR6	-	RFQ	3547	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	133 v		底盘安装	NI-1230S	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	1250W	24dB											-			50 V
BUJ303B，127	0.3600	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	825																		400 v	5 a		100µA	NPN	1.5V @ 1a，3a	23 @ 800mA，3v	-
BUK9Y153-100E，115	1.0000	RFQ	2230	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	9.4A（TC）	5V	146MOHM @ 2A，10V	2.1V @ 1mA	6.8 NC @ 5 V	±10V	716 pf @ 25 V	-	37W（TC）
PMR780SN115	0.1000	RFQ	3	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416			MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	550mA（ta）	4.5V，10V	920MOHM @ 300mA，10V	3V @ 250µA	1.05 NC @ 10 V	±20V	23 pf @ 30 V	-	530MW（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²