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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BUK9Y59-60E，115	-	RFQ	7203	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	16.7A（TC）	5V	52MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	6.1 NC @ 5 V	±10V	715 PF @ 25 V	-	37W（TC）
BLF644P112	150.6000	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
BUK9K5R1-30EX	-	RFQ	2017	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk9k5		MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						30V	40a		5.3MOHM @ 10a，5v	2.1V @ 1mA	26.7nc @ 5V		3065pf @ 25V	逻辑级别门
BC847T，115	-	RFQ	1144	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC84			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PDTA143TMB，315	0.0300	RFQ	129	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA143			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	200 @ 1mA，5V	180 MHz	4.7科姆斯
AFT26H050W26SR3	-	RFQ	5840	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780S-4L4L-8	AFT26	2.69GHz	ldmos		NI-780S-4L4L-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935311268128	Ear99	8541.29.0075	250			-	100 ma	9W	14.2db											-			28 V
PSMN2R5-60PL127	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PMV20XN，215	-	RFQ	2557	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV2		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	4.8A（ta）	2.5V，4.5V	25mohm @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	585 pf @ 15 V	-	510MW（TA）
MRF8P9210NR3	-	RFQ	1418	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v			NI-780-4	MRF8P9210	960MHz	MOSFET		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321673528	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	750 MA	63W	16.8db											-			28 V
PDTA143TU，115	-	RFQ	1754年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF9030LR1	-	RFQ	7051	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	250 MA	30W	19db											-			26 V
PBR941	-	RFQ	5634	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000
BUK7E04-40A，127	0.8000	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					buk7					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK78150-55A/CU135	-	RFQ	6683	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4,000
A2G22S190-01SR3	84.2912	RFQ	6434	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A2G22					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
PHP225NQ04T，127	-	RFQ	2195	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PDTA115ES，126	-	RFQ	4836	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA115			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	20 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V		100 kohms	100 kohms
MRFE6S9045GNR1	-	RFQ	3047	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	350 MA	10W	22.1db											-			28 V
MRF7S16150HSR3	-	RFQ	5157	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.6GHz〜1.66GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.5 a	32W	19.7db											-			28 V
MRF9060LSR1	-	RFQ	3597	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	500			-	450 MA	60W	17dB											-			26 V
PHB110NQ08T，118	1.0400	RFQ	750	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	290		n通道					75 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	113.1 NC @ 10 V	±20V	4860 pf @ 25 V	-	230W（TC）
PDTA144TU，115	0.0200	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BUJ100,412	-	RFQ	4524	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					buj1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
MRF6V12500GSR5	581.4510	RFQ	5990	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	110 v		表面安装	NI-780GS-2L	MRF6V12500	960MHz〜1.215GHz	ldmos		NI-780GS-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935326078178	Ear99	8541.29.0075	50			200µA	200 ma	-	19.7db											-			50 V
PDTA124XE，115	-	RFQ	5212	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA124			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
BC847C，235	1.0000	RFQ	2887	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	-					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
PSMN016-100XS，127	-	RFQ	3738	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	32.1a（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	46.2 NC @ 10 V	±20V	2404 PF @ 50 V	-	46.1W（TC）
PHD13003C，412	0.0800	RFQ	23	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHD13					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000
PDTA115EMB，315	0.0300	RFQ	199	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA115			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	20 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	180 MHz	100 kohms	100 kohms
PDTC143XQA147	0.0300	RFQ	122	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²