晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	噪声系数（dB Typ @ f）
SRF9030NR1	-	询价	4262	恩智浦	*	大部分	过时的					SRF90					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
BLT50,115	-	询价	4323	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		175°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BLT5			2W	SC-73	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000						-												10V	500毫安			NPN		25@300mA，5V	470兆赫		-
BUK95150-55A,127	-	询价	5425	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	13A（温度）	4.5V、10V	137毫欧@13A，10V	2V@1mA		±10V	339pF@25V	-	53W（温度）
PMEM4030NS,115	-	询价	8515	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PMEM4			1W	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																		50V	2A		100nA（ICBO）	NPN + 隔离（隔离）	370mV@300mA，3A	200@1A，2V	100兆赫兹
BFG93A,215	-	询价	3130	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		175°C（太焦）	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BFG93			300毫W	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						-												12V	35毫安			NPN		40@30mA，5V	6GHz		1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz
PHKD13N03LT,518	-	询价	9048	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PHKD13		MOSFET（金属O化物）	3.57W	8-SO	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	2,500人	2 个 N 沟道（双）						30V	10.4A		20毫欧@8A，10V	2V@250μA	10.7nC@5V		752pF@15V	逻辑电平门
PDTA143TK,115	-	询价	5976	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PDTA143			250毫W	SMT3；帕金克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		1微安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	200@1mA，5V		4.7欧姆
BUK754R7-60E,127	-	询价	1264	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛秃75		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	100A（温度）	10V	4.6毫欧@25A，10V	4V@1mA	82nC@10V	±20V	6230pF@25V	-	234W（温度）
PSMN019-100YL,115	1.0000	询价	第1461章	恩智浦	*	大部分	的积极										-						0000.00.0000	1
PHB23NQ10LT,118	-	询价	第1232章	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	PHB23		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100伏	23A（温度）	5V、10V	72毫欧@10A、10V	2V@1mA	49nC@10V	±15V	1704pF@25V	-	98W（温度）
BSH111BK215	-	询价	2382	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
J5C145MU0/T0BC7DUP	-	询价	7483	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					J5C145					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人
MRF9060NBR1	-	询价	5083	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			TO-272-2	MRF90	945兆赫	LDMOS		TO-272-2	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500			-	450毫安	60W	18分贝											-			26V
ON5088	0.0200	询价	63	恩智浦	*	大部分	过时的										-	符合ROHS3标准	供应商未定义	可根据要求提供REACH信息	2832-ON5088	EAR99	8541.29.0075	1
BUK7540-100A,127	-	询价	9116	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛秃75		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	37A（温度）	10V	40毫欧@40A，10V	4V@1mA		±20V	2293pF@25V	-	138W（温度）
MMRF1317H-1030	1.0000	询价	第1681章	恩智浦	-	大部分	的积极	105V		安装结构	SOT-979A		1.03GHz～1.09GHz	LDMOS（双）		NI-1230-4H	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-MMRF1317H-1030			1	2 N 沟道		10微安	100毫安	1500W	18.2分贝											-			50V
ON5154,127	-	询价	4234	恩智浦	-	管子	过时的			通孔	TO-220-3	ON51	-	-		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934057065127	EAR99	8541.29.0095	50	-		-		-	-											-
MMRF1314H-1200	1.0000	询价	2907	恩智浦	-	大部分	的积极	105V		安装结构	SOT-979A		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS（双）		NI-1230-4H	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-MMRF1314H-1200			1	2 N 沟道		10微安	100毫安	1000W	17.7分贝											-			52V
PHP78NQ03LT,127	-	询价	6482	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP78		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					25V	75A（温度）	5V、10V	9毫欧@25A，10V	2V@1mA	13nC@5V	±20V	1074pF@25V	-	93W（温度）
PMBTA56,235	0.0200	询价	61	恩智浦	*	大部分	的积极					聚苯并咪唑身边					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000
PMZB290UNE,315	-	询价	6671	恩智浦	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883			MOSFET（金属O化物）		DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					20V	1A（塔）	1.8V、4.5V	380mOhm@500mA，4.5V	950mV@250μA	0.68nC@4.5V	±8V	10V时为83pF	-	360mW（Ta）、2.7W（Tc）
BLF6G27LS-50BN,118	-	询价	5685	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	SOT-1112B	BLF6G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS		CDFM6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934064687118	EAR99	8541.29.0095	100	双重的		12A	第430章	3W	16.5分贝											-			28V
PBSS4160QA147	0.0600	询价	290	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	5,000
PDTA114EE,115-恩智浦	0.0200	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA114					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	3,000
J3E081GXS/S1AGCK7J	-	询价	1884年	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					J3E0					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人
A2G26H281-04SR3	108.8832	询价	1136	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	NI-780S-4L	A2G26	2.496GHz～2.69GHz	LDMOS		NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935332873128	EAR99	8541.29.0075	250			-	150毫安	50W	14.2分贝											-			48V
J3E145GXS/S0BGCA5J	-	询价	7070	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的					J3E1					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人
PMV20XNE215	1.0000	询价	8069	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF1518NT1	-	询价	2563	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		表面贴装	PLD-1.5	MRF15	520兆赫	LDMOS		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000			4A	150毫安	8W	13分贝											-			12.5V
PSMN012-80PS,127	-	询价	6968	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN0					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²