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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. PBRN113ZK,115 -
RFQ
ECAD 8188 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PBRN113 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 40 V 600 MA 500NA npn-预先偏见 1.15V @ 8mA,800mA 500 @ 300mA,5V 1 kohms 10 kohms
MRF6V3090NBR5 NXP USA Inc. MRF6V3090NBR5 -
RFQ
ECAD 4429 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 110 v 底盘安装 TO-272BB MRF6 860MHz ldmos TO-272 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 350 MA 18W 22DB - 50 V
MRF6S18100NBR1 NXP USA Inc. MRF6S18100NBR1 -
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 TO-272BB MRF6 1.99GHz ldmos TO-272 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 900 MA 100W 14.5db - 28 V
PHB225NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB225NQ04T,118 -
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ECAD 4245 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB22 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 75A(TC) 10V 3.1MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 300W(TC)
MRF6V3090NR5 NXP USA Inc. MRF6V3090NR5 -
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ECAD 7743 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 110 v 表面安装 TO-270AB MRF6 860MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 935321513578 Ear99 8541.29.0075 50 - 350 MA 18W 22DB - 50 V
PDTA114YU,115 NXP USA Inc. PDTA114YU,115 0.0200
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ECAD 9657 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA11 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BUK95150-55A,127 NXP USA Inc. BUK95150-55A,127 -
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ECAD 5425 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 13A(TC) 4.5V,10V 137mohm @ 13a,10v 2V @ 1mA ±10V 339 pf @ 25 V - 53W(TC)
BF1100R,235 NXP USA Inc. BF1100R,235 -
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ECAD 2013 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 14 V 表面安装 SOT-143R BF110 800MHz MOSFET SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934036560235 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道双门 30mA 10 MA - - 2DB 9 V
BUK762R0-40C,118 NXP USA Inc. BUK762R0-40C,118 0.9200
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk76 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. A2T18H100-25SR3 141.2360
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ECAD 6878 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 65 v 底盘安装 NI-780-4S4 A2T18 1.81GHz ldmos NI-780-4S4 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935312027128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 230 MA 18W 18.1db - 28 V
BSS84AKW/DG/B2215 NXP USA Inc. BSS84AKW/DG/B2215 0.0500
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ECAD 81 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1
BUK768R1-100E,118 NXP USA Inc. BUK768R1-100E,118 -
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ECAD 6225 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 100A(TC) 10V 8.1MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 108 NC @ 10 V ±20V 7380 pf @ 25 V - 263W(TC)
PN2222A,116 NXP USA Inc. PN2222A,116 -
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ECAD 4478 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PN22 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 40 V 600 MA 10NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 300MHz
PMN38EN,165 NXP USA Inc. PMN38en,165 -
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ECAD 2429 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN3 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934060023165 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 30 V 5.4A(TC) 4.5V,10V 38mohm @ 3a,10v 2V @ 1mA 6.1 NC @ 4.5 V ±20V 495 pf @ 25 V - 1.75W(TC)
MRF8P23160WHR3 NXP USA Inc. MRF8P23160WHR3 -
RFQ
ECAD 3226 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-780-4 MRF8 2.32GHz MOSFET NI-780-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935317531128 Ear99 8541.29.0095 250 n通道 - 600 MA 30W 14.1db - 28 V
MRF8S7120NR3 NXP USA Inc. MRF8S7120NR3 -
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 768MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935314209528 Ear99 8541.29.0075 250 - 600 MA 32W 19.2db - 28 V
MRF8S9220HR5 NXP USA Inc. MRF8S9220HR5 -
RFQ
ECAD 3418 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 960MHz ldmos NI-780H-2L - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.6 a 65W 19.4dB - 28 V
MRF8S8260HR3 NXP USA Inc. MRF8S8260HR3 -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 895MHz ldmos NI-880H-2L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310534128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 70W 21.1db - 28 V
PDTB123YS,126 NXP USA Inc. PDTB123YS,126 -
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTB123 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 70 @ 50mA,5V 2.2 kohms 10 kohms
BC847BT,115 NXP USA Inc. BC847BT,115 -
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ECAD 7937 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 BC84 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 100MHz
PHB78NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB78NQ03LT,118 -
RFQ
ECAD 8520 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB78 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 25 v 40a(TC) 5V,10V 9mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 11 NC @ 4.5 V ±20V 970 pf @ 12 V - 107W(TC)
BF909,235 NXP USA Inc. BF909,235 -
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 7 V 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BF909 800MHz MOSFET SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934028850235 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道双门 40mA 15 ma - - 2DB 5 v
MRFX1K80NR5 NXP USA Inc. MRFX1K80NR5 180.2400
RFQ
ECAD 8532 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 OM-1230-4L MRFX1 1.8MHz〜470MHz ldmos OM-1230-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1800W 24dB - 65 v
PDTC143TMB,315 NXP USA Inc. PDTC143TMB,315 0.0300
RFQ
ECAD 117 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 PDTC143 250兆 DFN1006B-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mV @ 250µA,5mA 200 @ 1mA,5V 230 MHz 4.7科姆斯
BC857AW,135 NXP USA Inc. BC857AW,135 0.0200
RFQ
ECAD 310 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC857 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 600mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
BUK7620-100A,118 NXP USA Inc. BUK7620-100A,118 0.6200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk76 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
PMN27UN,135 NXP USA Inc. PMN27UN,135 -
RFQ
ECAD 5543 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN2 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 20 v 5.7A(TC) 1.8V,4.5V 34mohm @ 2A,4.5V 700mv @ 1MA(typ) 10.6 NC @ 4.5 V ±8V 740 pf @ 10 V - 1.75W(TC)
PMBT3906VS,115 NXP USA Inc. PMBT3906VS,115 0.0700
RFQ
ECAD 524 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMBT3906 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 4,000
PH6030DLV115 NXP USA Inc. PH6030DLV115 1.0000
RFQ
ECAD 4422 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1,500
SRF9030NR1 NXP USA Inc. SRF9030NR1 -
RFQ
ECAD 4262 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 SRF90 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库