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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PSMN004-36B，118	-	RFQ	1460	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					36 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	97 NC @ 5 V	±15V	6000 PF @ 20 V	-	230W（TC）
MRFE6S9130HSR3	-	RFQ	4997	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	950 MA	27W	19.2db											-			28 V
MRF21045LSR5	-	RFQ	1666年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-400s	MRF21	2.16GHz〜2.17GHz	ldmos		Ni-400s	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	500 MA	10W	15DB											-			28 V
MRF6V12500HSR5	580.3800	RFQ	2047	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	110 v		底盘安装	NI-780	MRF6V12500	1.03GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314145178	Ear99	8541.29.0075	50			-	200 ma	500W	19.7db											-			50 V
ON5448,518	-	RFQ	3568	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5448	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288029518	Ear99	8541.29.0095	600	-		-		-	-											-
BC847QAPN147	0.0300	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
PDTC115EMB	1.0000	RFQ	5375	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
BCX18,215	0.0300	RFQ	130	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0095	1																		25 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	620mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
PDTA143XE，135	-	RFQ	6446	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA143			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
MRF9120LR3	-	RFQ	5795	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860	MRF91	880MHz	ldmos		NI-860	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250			-	1 a	120W	16.5db											-			26 V
MRF9135LSR5	-	RFQ	1874年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF91	880MHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-	1.1 a	25W	17.8db											-			26 V
PHP55N03LTA，127	-	RFQ	2739	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP55		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
PBSS4130QA147	-	RFQ	8105	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
BC817-25/6215	0.0200	RFQ	8493	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PHP101NQ03LT，127	-	RFQ	8517	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	5.5MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	23 NC @ 5 V	±20V	2180 pf @ 25 V	-	166W（TC）
PBSS5330PAS115	-	RFQ	7873	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买					A3G35					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
PDTA144TE115	0.0400	RFQ	90	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA144					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BFG505/X，235	-	RFQ	5935	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG50			150MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934018770235	Ear99	8541.21.0075	10,000						-												15V	18mA			NPN		60 @ 5mA，6v	9GHz			1.2db〜1.9dB @ 900MHz〜2GHz
BSP61,115	0.1800	RFQ	9	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.25 w	SOT-223	下载					Ear99	8541.29.0075	1,632																		60 V	1 a		50NA	pnp-达灵顿	1.3V @ 500µA，500mA	2000 @ 500mA，10V	200MHz
A2T23H300-24SR6	-	RFQ	4888	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	A2T23	2.3GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	750 MA	66W	14.9db											-			28 V
BFU530W，115	0.2500	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
J5C145MU0/T0BC7DUP	-	RFQ	7483	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J5C145					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
MMRF5014HR5	489.0600	RFQ	68	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		底盘安装	NI-360H-2SB	MMRF5014	2.5GHz	hemt		NI-360H-2SB	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	350 MA	125W	18db											-			50 V
PMZ1200UPE315	-	RFQ	7241	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
BC856BW/DG/B3115	1.0000	RFQ	9717	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC856					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMZB290Une2315	-	RFQ	1067	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMZB290		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000															-
PDTB113ET，215	0.0300	RFQ	6173	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTB11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BUK9832-55A，115	-	RFQ	7389	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	12A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 8a，10v	2V @ 1mA		±10V	1594 pf @ 25 V	-	8W（TC）
ON5200,118	-	RFQ	3033	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934057580118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²