RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
PMN70XP115	0.0600	RFQ	523	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMV90ENE215	-	RFQ	9040	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PHM12NQ20T，518	-	RFQ	3645	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PHM12		MOSFET （金属 o化物）	8-hvson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					200 v	14.4A（TC）	5V，10V	130mohm @ 12a，10v	4V @ 1mA	26 NC @ 10 V	±20V	1230 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
PBSS302PZ，135	-	RFQ	9222	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000
PDTA124ET，215	0.0200	RFQ	6499	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA124				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PDTD143ET235	-	RFQ	9597	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
PHPT610035NK115	-	RFQ	6813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,500
MRF21010LSR5	-	RFQ	1980	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360S	MRF21	2.17GHz	ldmos	NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	100 ma	10W	13.5dB											-	28 V
BUK95180-100A，127	-	RFQ	6761	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	11A（TC）	4.5V，10V	173MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±15V	619 pf @ 25 V	-	54W（TC）
BUK9907-55，127	-	RFQ	5008	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	BUK99		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 1mA	108 NC @ 5 V	±15V	5836 pf @ 25 V	温度传感二极管	272W（TC）
BCX70H，215	-	RFQ	4005	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCX70				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
A5G38H045NT4	21.3128	RFQ	3683	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	2,500
PHB108NQ03LT，118	-	RFQ	2166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB10		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V	±20V	1375 PF @ 12 V	-	187W（TC）
MRF7P20040HR5	-	RFQ	5714	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF7	2.03GHz	ldmos	NI-780-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	10W	18.2db											-	32 v
BUK964R2-55B/c	0.7200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
MW6S010GMR1	-	RFQ	8184	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270BA	MW6S010	960MHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	125 MA	10W	18db											-	28 V
MRF6VP41KHR5	-	RFQ	4653	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	450MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935309956178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	1000W	20dB											-	50 V
PMF87en，115	-	RFQ	4369	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF87		MOSFET （金属 o化物）	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	80Mohm @ 1.7A，10V	2.5V @ 250µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 15 V	-	275MW（TA）
CLF1G0035S-100	-	RFQ	5708	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1
PHPT61010PY115	-	RFQ	2201	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
PHD66NQ03LT，118	-	RFQ	6619	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD66		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	66A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	93W（TC）
PHP176NQ04T，127	-	RFQ	8027	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP17		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	68.9 NC @ 10 V	±20V	3620 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BUK9518-55,127	-	RFQ	2577	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	57A（TC）	5V	18mohm @ 25a，5v	2V @ 1mA		±10V	2600 PF @ 25 V	-	125W（TC）
BUK78150-55A115	-	RFQ	5434	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7628-100A，118	0.6300	RFQ	6	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	47A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3100 pf @ 25 V	-	166W（TC）
BUK954R8-60E，127	1.0000	RFQ	6060	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	100A（TC）	5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	65 NC @ 5 V	±10V	9710 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK9Y15-60E	1.0000	RFQ	3798	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
BUK7213-40A，118	-	RFQ	9516	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk72		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058199118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	55A（TC）	10V	13mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2245 PF @ 25 V	-	150W（TC）
A2T27S020GNR1	24.6050	RFQ	3612	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	TO-270BA	A2T27	400MHz〜2.7GHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935331769528	Ear99	8541.29.0075	500			10µA	185 MA	20W	21dB											-	28 V
PSMN004-36B，118	-	RFQ	1460	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					36 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	97 NC @ 5 V	±15V	6000 PF @ 20 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²