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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PSMN070-200B	-	RFQ	3024	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN070		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1															-
PZTA14,115	-	RFQ	8374	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PZTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PMP4501G，115	0.0500	RFQ	121	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMP4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
NX3020NAKT，115	-	RFQ	5741	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NX30		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	180mA（TA）	2.5V，10V	4.5Ohm @ 100mA，10v	1.5V @ 250µA	0.44 NC @ 4.5 V	±20V	13 pf @ 10 V	-	230MW（TA），1.06W（tc）
MRF6VP41KHR5	-	RFQ	4653	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	450MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935309956178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	1000W	20dB											-			50 V
BUK7213-40A，118	-	RFQ	9516	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk72		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058199118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	55A（TC）	10V	13mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2245 PF @ 25 V	-	150W（TC）
PMK35EP，518	-	RFQ	6361	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道					30 V	14.9a（TC）	10V	19mohm @ 9.2a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±25V	2100 PF @ 25 V	-	6.9W（TC）
2PC4081S，135	0.0200	RFQ	160	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	150 ma					100NA（ICBO）		NPN	400mv @ 5mA，50mA	270 @ 1mA，6v	100MHz
PDTA144WM，315	0.0300	RFQ	200	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
MMRF1005HSR5	-	RFQ	5795	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	120 v		底盘安装	NI-780	MMRF1	1.3GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935315357178	Ear99	8541.29.0075	50			-	100 ma	250W	22.7dB											-			50 V
PH8230E，115	-	RFQ	2233	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PH82					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
AFT21S240-12SR3	-	RFQ	5957	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-880XS-2L-2L	AFT21	2.17GHz	ldmos		NI-880XS-2L-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320365128	5A991B	8541.29.0075	250			-	1.4 a	55W	20.4dB											-			28 V
Si9410dy，518	-	RFQ	8384	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Si9		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	7A（TJ）	4.5V，10V	30mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V		-	2.5W（TA）
AFV10700H5	502.4500	RFQ	44	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	105 v		底盘安装	NI-780-4	AFV10700	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		1µA	100 ma	770W	19.2db											-			50 V
AFT21S230SR5	-	RFQ	4089	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-780S-6	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314997178	5A991G	8541.29.0095	50			-	1.5 a	50W	16.7dB											-			28 V
PHB45NQ15T，118	-	RFQ	1766年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHB45					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
J110,126	-	RFQ	4664	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J110			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934003870126	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					25 v							30pf @ 0v							25 v	10 mA @ 5 V	4 V @ 1 µA		18欧姆
PMV30XPEA，215-NXP	-	RFQ	4120	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMV30		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1															-
A2G26H281-04SR3	108.8832	RFQ	1136	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L	A2G26	2.496GHZ〜2.69GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935332873128	Ear99	8541.29.0075	250			-	150 ma	50W	14.2db											-			48 v
BCX55-16,115	-	RFQ	5567	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCX55					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000
PDTA124XM，315	-	RFQ	9115	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA124					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
J3D016YXU/T1AY599J	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J3D0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
BF245C，112	-	RFQ	7680	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF245	100MHz	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道		25mA		-	-											1.5dB			15 v
MRF6S18140HSR3	-	RFQ	2799	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	NI-880S	MRF6	1.88GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	29W	16dB											-			28 V
PBSS5112PAP	1.0000	RFQ	4335	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
MRF5S19090HR5	-	RFQ	6428	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	850 MA	18W	14.5db											-			28 V
PSMN010-25YLC，115	-	RFQ	4953	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	39A（TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 10a，10v	1.95V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	678 pf @ 12 V	-	30W（TC）
MRF6S9060MR1	-	RFQ	5958	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-270-2	MRF6	880MHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	450 MA	14W	21.4db											-			28 V
PEMD48,115	-	RFQ	4144	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMD48			300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1																		50V	100mA					1µA		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	150mv @ 500µA，10mA / 100mV @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5v / 100 @ 10mA，5V	-	4.7KOHMS，22KOHMS	47kohms
MRF7S27130HR5	-	RFQ	3250	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.7GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.5 a	23W	16.5db											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²