晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电流消耗 (Id) - 最大
BC817-16,215	0.0200	询价	5705	恩智浦	*	大部分	的积极					BC817					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
BUK9510-55A,127	-	询价	2320	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	75A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@25A，10V	2V@1mA	68nC@5V	±15V	4307pF@25V	-	200W（温度）
PHX9NQ20T,127	-	询价	9179	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	PHX9		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					200V	5.2A（温度）	10V	400mOhm@4.5A，10V	4V@1mA	24nC@10V	±20V	959pF@25V	-	25W（温度）
PBSS301NZ,135	0.2200	询价	26	恩智浦	*	大部分	的积极					PBSS3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	4,000
BUK7628-55A,118	-	询价	3586	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼76		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	42A（温度）	10V	28毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	1165pF@25V	-	99W（温度）
BFR92AW,115	-	询价	6440	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BFR92			300毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						-												15V	25毫安					NPN		65@15mA，10V	5GHz			2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
BC849C,215	0.0200	询价	2309	恩智浦	*	大部分	的积极					BC84					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
ON5407,135	-	询价	3145	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	ON5407	-	-		SC-73	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934059372135	EAR99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
PDTC124EQA147	0.0300	询价	256	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	5,000
PBSS2515M3145	1.0000	询价	6634	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
PMV28UN,215	-	询价	4819	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMV2		MOSFET（金属O化物）		SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					20V	3.3A（塔）	1.8V、4.5V	32毫欧@3.3A，4.5V	1V@270μA	9nC@4.5V	±8V	470pF@10V	-	380毫W（塔）
PHB129NQ04LT,118	-	询价	3732	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	PHB12		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					40V	75A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@25A，10V	2V@1mA	5V时为44.2nC	±15V	3965pF@25V	-	200W（温度）
MRF6S23100HR3	-	询价	8391	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	SOT-957A	MRF6	2.4GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250			-	1A	20W	15.4分贝											-			28V
PBSS5330PAS115	-	询价	7873	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PMF280UN,115	-	询价	6644	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	PMF28		MOSFET（金属O化物）		SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					20V	1.02A（温度）	1.8V、4.5V	340毫欧@200mA，4.5V	1V@250μA	0.89nC@4.5V	±8V	45pF@20V	-	560mW（温度）
IRFZ44N,127	-	询价	5882	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFZ4		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	49A（温度）	10V	22毫欧@25A，10V	4V@1mA	62nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	110W（温度）
MRF7S19170HSR3	-	询价	7830	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	NI-880S	MRF7	1.99GHz	LDMOS		NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935319253128	EAR99	8541.21.0075	250			-	1.4A	50W	17.2分贝											-			28V
PDTA115EMB，315	0.0300	询价	199	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	PDTA115			250毫W	DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	20毫安				1微安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@5mA，5V	180兆赫	100欧姆	100欧姆
BFT46,215	-	询价	8664	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFT46			250毫W	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					25V							5pF@10V							10V时为200μA	1.2V@0.5nA									10毫安
BUK7Y4R4-40E115	-	询价	7756	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
MRF7S35015HSR3	-	询价	5286	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	NI-400S-2S	MRF7	3.1GHz～3.5GHz	LDMOS		NI-400S-2S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	50毫安	15W	16分贝											-			32V
PMDPB760EN115	0.1600	询价	9	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PBRP123YS,126	-	询价	2509	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PBRP123			500毫W	TO-92-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	800毫安				-	PNP - 预偏置	-	-		2.2欧姆	10欧姆
PMN38EN,135	-	询价	4802	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	中性粒细胞N3		MOSFET（金属O化物）		SC-74	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10,000		N沟道					30V	5.4A（温度）	4.5V、10V	38毫欧@3A，10V	2V@1mA	6.1nC@4.5V	±20V	495pF@25V	-	1.75W（温度）
MMRF5014HR5	489.0600	询价	68	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		安装结构	NI-360H-2SB	MMRF5014	2.5GHz	HEMT		NI-360H-2SB	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	350毫安	125W	18分贝											-			50V
AFT05MS006NT1	4.9100	询价	1	恩智浦	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	30V		表面贴装	PLD-1.5W	AF05	520兆赫	LDMOS		PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000			-	100毫安	6W	18.3分贝											-			7.5V
BUJ303B,127	0.3600	询价	5	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				100W	TO-220AB	下载					EAR99	8541.29.0095	第825章																		400V	5A				100微安	NPN	1.5V@1A、3A	23@800mA，3V	-
PEMB17,115	0.0400	询价	266	恩智浦	*	大部分	的积极					PEMB1					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000
BLF10M6LS200U112	95.3500	询价	260	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
PDTA123JQA147	0.0300	询价	125	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²